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  •  下面仍以常见的NPN三极管共发射极电路来说明半导体三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。测绘半导体三极管特性曲线的电路如图一所示。图中的电源E"用来供给发射结正向偏压,而电源Ec则用来供给集电结反向偏压。EB...
  • 根据国家标准GB249-89的规定,半导体三极管的型号由五部分组成,即  半导体三极管型号组成部分的符号及其意义如下。  第一部分:用"3"表示为三极管"  第二部分:用汉语拼音宇母... 国产三极管常见的型号有:  
  • 进口三极管以日本、美国及欧州为多见,这些进口三极管外形封装普遍采用TO系列。下图示出了常见进口三极管外形封装结构,供使用时参考。  图 进口三极管外形  
  • G型金属外形封装主要用于低频大功率三极管的封装,共有5种规格,常见的有G-3和G-4。G型外形封装管(简称G型管)的外形和外形尺寸分别见下图和下表。  图 G型管外形  表 G型管外形尺寸  
  • 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。其常见的分类有以下七种。  1、材质...
  • B2-01型金属外形封装主要用于低频或高频大功率三极管的封装,常见的有两种规格。B2-01型外形封装管(简称B2-01型管)的外形和外形尺寸分别见下图和下表。  图 B2-01管外形  表 B2-01管外形尺寸  
  • 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。其常见的分类有以下七种。
  • 涉及电子行业朋友都知道元器件有封装这个概念,例如MLCC0402,0603等等。这一类含容易理解,但是遇到很多半导体封装时就不明白这份封装含义了,举个例子SOP8,虽然知道这个封装人很多,但是完全知道每个字母...

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    涉及电子行业的朋友都知道元器件有封装这个概念,例如MLCC的0402,0603等等。这一类含容易理解,但是遇到很多半导体封装时就不明白这份封装的含义了,举个例子SOP8,虽然知道这个封装的人很多,但是完全知道每个字母代表什么含义就比较少了。今天在这里跟大家分享的就是这个方面的知识。例如上面的SOP8,它的含义就是SO(Small Outline)代表小封装,P代表塑料封装 (含环氧树脂),8代表8个PIN。


    先说材质:

    材质代码一般会分为如下几种

    材料选项

    C:陶瓷、金属封装

    G:陶瓷、玻璃封装

    L:玻璃

    M:金属

    P:塑料封装 (含环氧树脂)

    X:其它


    再说位置选项:

    该位置是指端子相对与期间身体的位置,只考虑电源/地/信号端子,无电源/地/信号端

    子时则参考引脚位置。不考虑机械插脚、凸轮等。

    A:(Axial)轴向通孔器件,如:

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    E:(End)SMT 类引脚,两头被引脚包住的圆柱体,如:

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    R:(Radial) 圆柱体或多边体(4 条边以上)器件,端子从身体中延伸成一水平面。如:

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    S:(Single)单排端子器件,如:

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    D:(Dual)双排端子器件,如:

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    T:(Triple)三方向排列端子的器件,如:

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    Q:(Quad)四方向排列端子的器件,如:

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    Z:(Zig Zag)端子交叉排列的器件

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    P:(Perpendicular)端子按阵列排列的器件,如:

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    B:(Bottom)端子位于身体底下,如:

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    X:(其它)


    封装外形:

    CC:(Chip Carrier)身体为正方体或长方体,端子从3 或4 个边向内引出,如:

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    FP:(FlatPack)扁平封装,身体为正方体或长方体,端子从3 或4 个边向外引出,如:

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    SO:(Small Outline)小封装,身体为正方体或长方体,端子分布于2 个边上,如:

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    CY:(Cylindrical or Can)圆柱状或罐头状封装,身体为圆柱状,任意个端子分布于

    顶端或底端。如:

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    DB:(Disk Button)圆盘状纽扣封装,身体为圆形或多边形,身体长度小于身体直径,

    如:

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    FM:(Flange Mount)带金属散热片或铆钉孔的封装,如:

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    GA:(GA Grid Array)阵列封装,身体为正方体或长方体,端子位于身体底部,按阵

    列排列,如:

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    LF:(Long Form)长柱状封装,身体为长柱体,端子位于柱体两端,如:

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    PM:(Post Mount)后装结构件,如:

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    IP:(DIP, SIP, ZIP)直插通孔器件,如:

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    MA:(Micro Assembly)电路模块类器件,如:DC-DC 或AC-DC 转换器、电源模块等

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    XC:(Connector)连接件,如:

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    XD:(Discrete)离散器件,如:电容、晶振、二极管、滤波器、保险丝、电感、跳

    线、电位计、电阻、变压器,、三极管、LED、LED 阵列等。

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    XH:(Hardware)无电气特性,用于辅助热、光等的传导。

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    XS:(Switch)开关或继电器。

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    XX:(Other)其它,以上未定义的。


    引脚形式:

    较长青参考另一篇文章。

    电子元器件引脚形式介绍


    结束!感兴趣的朋友,小手点一下加个关注额!

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  • 失效分析需要很多经验,特别是功率电路在失效时的...失效模式与失效机理 常见的失效模式和失效机理之间的对应关系如下图所示: 针对上述失效机理中的概念和定义需做如下简述: 过电应力EOS:指元器件承受的电流、...

    失效分析需要很多经验,特别是功率电路在失效时的条件,必须认真考虑。尽管一些失效图片看起来有些相似,但很难仅从失效图片上得出结论。实践中工程师常常有寻找失效原因的问题,以下几节可能会对此有所帮助。

    失效模式与失效机理

    常见的失效模式和失效机理之间的对应关系如下图所示:

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    针对上述失效机理中的概念和定义需做如下简述:

    过电应力EOS:指元器件承受的电流、电压应力或功率超过其允许的最大范围。

    静电放电ESD:处于不同静电电位的两个物体间的静电电荷的转移就是静电放电。这种静电电荷的转移方式有多种,如接触放电、空气放电。静电放电一般指静电的快速转移或泄放。电子元器件由静电放电引发的失效可分为:突发性失效和潜在性失效两种模式。突发性失效是指元器件受到ESD损伤后,突然完全丧失其规定的功能,主要表现为开路,短路或参数严重漂移。潜在性失效是指静电放电能量较低,仅在元器件内部造成轻微损伤,上电后器件电参数仍能合格或略有变化,但器件的抗过电的能力己经明显削弱,再受到工作应力后将进一步退化,使用寿命将明显缩短。

    辐射损伤:在自然和人造辐射环境中,各种带电或不带电的高能粒子(如质子、电子、中子)以及各种高能射线(如X射线、Y射线等 )对集成电路造成的损伤。

    氧化层电荷:集成电路中存在的与氧化层有关的电荷,包括固定氧化层电荷、可动电荷、界而陷阱电荷和氧化层陷阱电荷。

    热载流子IC:指其能量比费米能级大几个kT以上的载流子,这些载流子与晶格不处于热平衡状态,当其能量达到或超过Si-SiO^界面势垒时便会注入到氧化层中,产生界面态,氧化层陷阱或被陷阱所俘获,使氧化层电荷增加或波动不稳,这就是热载流子效应。

    栅氧击穿:在MOS器件及其集成电路中,栅极下面存在一薄层SiO2 ,此即通称的栅氧(化层)栅氧的漏电与栅氧质量关系极大,漏电增加到一定程度即构成击穿,导致器件失效。

    与时间有关的介质击穿(TDDB):指施加的电场低于栅氧的本征击穿场强,并未引起本征击穿,但经历一定时间后仍发生击穿的现象 ,这是由于施加应力过程中,氧化层内产生并集聚了缺陷(陷阱)的原因。

    电迁移(EM):当器件工作时,金属互连线的铝条内有一定电流通过,金属离子会沿导体产生质量的运输,其结果会使导体的某些部位出现空洞或晶须(小丘),这即电迁移现象。

    应力迁移(SM):铝条经过温度循环或高温处理,由于应力的作 用也会发生铝条开路断裂的失效。这时空洞多发生在晶粒边界处,这种现象叫应力迁移,以与通电后铝条产生电迁移的失效区别。铝条愈细,应力迁移失效愈严重。

    键合失效:一般是指金丝和铝条互连之间的键合失效。由于金- 铝之间的化学势的不同,经长期使用或200°C以上高温储存后,会产生多 种金属间化合物,如紫斑、白斑等。结果使铝层变薄,粘附性下降,造成半断线状态,接触电阻增加,最后导致开路失效。在300℃高温下还会 产生空洞,即柯肯德尔效应,这种效应是在高温下金向铝中迅速扩散并形成化合物,在键合点四周出现环形空洞,使铝膜部分或全部脱离,形成高阻或开路。

    PN结穿钉:一般指在长期电应力或突发的强电流的作用下,在 PN结处于局部铝-硅熔融生成合金钉,穿透PN结,造成PN结短路的现象。

    腐蚀失效:许多集成电路是用树脂包封的,然而水汽可以穿过树脂体和引脚-树脂界面达到铝互连处,由水汽带入的外部杂质或从树脂中溶解的杂质与金属铝作用,使铝互连线发生化学腐蚀或电化学腐蚀。

    失效分析

    失效分析的原则是先进行非破坏性分析,再进行破坏性分析。先外部分析,后内部(解剖分析);先调查了解与失效有关的情况(线路、应力条件、失效现象等),后分析失效元器件。器件分析的通用流程图如下:

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    失效环境调查:

    围绕失效必须详细了解如下信息:

    批次认可。产品数据、存货量和储存条件;

    发现失效的地点和时间。工艺过程、外场使用情况及失效日期;

    产品记录。产品在制造和装配工艺过程中的工艺条件、交货日期、条件和可接受的检查结果,装配条件和相同失效发生的有关记录等;

    工作条件。电路条件、热/机械应力、噪声环境(室内/室外、温度、湿度、大气压),失效发生前的操作;

    失效详情。失效类型(特性退化、完全失效或间歇性失效),失效比例和批次情况等,失效现象(无功能、参数变坏、开短路)。

    失效样品保护

    对于由于机械损伤和环境腐蚀引起的失效结果,必须对元器件进行拍照保存其原始形貌。为了避免进一步失效,样品在传递和存放过程中必须特别小心以保证避免环境(温度、湿度)应力、电和机械对应力元器件的进一步损伤,在传递一些小的元器件时必要的装载必须保证。

    设计失效分析方案

    严格按顺序有目的的选择试验项目避免失误甚至丢失与失效有关痕迹快速准确的得到失效原因的证据。

    外观检査

    下列项目必须在目检中检查:

    灰尘—金属、金属氧化物、灰尘;

    玷污—水迹、油迹、焊料痕迹或溅射的其他液体;

    管脚变色—通常管脚结构的设计能够提高可焊性和防腐蚀,管脚表面的变色通常表明基体材料被热氧化、硫化和有缺陷,预处理不完全或存在明显的缺陷;

    机械引线损坏—机械引线损坏的模式取决于引线的外形、负载及所处的环境。主要的裂缝类型有:疲劳裂缝、振动裂缝、蠕变裂缝和其他裂缝;

    封装裂缝—引起湿气进入元器件里面;

    金属化迁移—高温及高湿度条件下施加电场,则绝缘材料中或其表而的金属离子将从阳极迁移到负极并在该处堆积,最终会导致两极间的短路,扫描电子显微镜观察;

    晶须—软金属,如锡的镀层表面上会偶尔会形成针状单晶结构,会引起引线间的短路。

    电测

    电特性测试:釆用专用于评价设计的测试方案来详细地评价样品的电特性,测试的结果可用来确定失效模式,提高从失效环境中得到的失效机理估计的详细度和精确度,该测试有利于选择正确的分析方案。

    直流特性测试:通过波形记录仪,安培计和示波器等来评测样品的直流特性。大规模集成电路中,寄生二极管的存在使电流的漂移跟不上等效电路的变化,因此,测试时需参考无缺陷元器件来进行。

    失效模式测试:样品经过电特性测试和直流特性测试两个步骤后如检测不到缺陷,就需要进行使用条件的失效模式测试。

    应力试验分析

    元器件的失效通常与应力有关,应力包括温度、电压、电流、功率、湿度、机械振动、冲击、恒定加速度、热冲击和温度循环等。通过应力试验可以评估产品的失效应力分布,确定产品发生失效的应力范围,揭示产品在设计和工艺方面的缺陷、失效模式及相关失效机理。另外应力试验也有助于确定元器件安全工作的极限应力水平。

    故障模拟分析

    元器件的失效有时与应用系统的设计有关,列如电路系统中对过电保护不足、电路分布的干扰或热分布不当等。必须通过实际电路的模拟和示波器或其他的有关仪器进行信号捕捉,找到有用的证据。

    模拟应用分析

    模拟失效条件的试验环境或应用电路中工作,电压、电流、输入信号、各种频率、时钟响应和输出负载等的临界条件;全温度参数测试;瞬时短路、断路的试验分析;高温和高温电偏置试验。

    内部分析

    非破坏性的内部分析一一X射线检查、声学扫描检测(界面的粘结情况、分层现象)、残留气体分析、密封性检查(氨原子示踪检测细小的泄漏)

    破坏性的内部分析一一开封、缺陷隔离技术失效点定位、芯片钝化层的去除、物理分析、杂质和合成物分析。

    确定失效机理

    失效分析的最终目的是确定失效机理。必须从失效鉴别的不同角度、不同方面去合理地解释一个元器件失效的原因。异常现象与失效直接相关的几率是很小的,一个错误的判断可能造成错误的纠正措施。

    纠正措施

    根据失效分析结果,提出防止失效再次发生的纠正措施和建议,包括工艺、设计、结构、线路、材料、删选方法和条件、使用方法和条件、质量控制和管理等各个方面。

    结果验证

    失效分析的结果是否正确,只有在实际应用中才能得到验证。

    注:本文为网络资料的整理所得,侵删!

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    我们常见的电子元器件封装属于最终封装,是可以直接进行印制板(PCB)安装的封装形式,虽然各半导体芯片制造商都提供没有最终封装的预封装裸片(不能直接安装于印制板),但是带有最终封装的元器件仍然是最主要、最主流的提供形式。

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    三极管中,单管芯塑料封装最常见,引脚都是3个,排列也很有规律,很少有例外。有印字的一面朝向自己,引脚向下,从左至右,常见类型的功率晶体管引脚排列如下:

    BJT(双极性晶体管):b(基极)、c(集电极)、e(发射极);IGBT(绝缘栅双极晶体管):G(栅极)、c(集电极)、e(发射极);VMOS(垂直沟道场效应管):G(栅极)、D(漏极)、S(源极);BCR(双向晶闸管):A1(阳极1)、A2(阳极2)、G(控制极);SCR(单向晶闸管):K(阴极)、A(阳极)、G(控制极)大功率二极管除了特有的DO(DirectOutline,两端直接引线)封装外,也常常采用塑封三极管的封装形式,三引脚为共阴极或者共阳极以及双管芯并联,或者将三引脚改为两引脚,通常是中间的一脚省去。

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    对于塑料封装而言,三引脚的TO-220是基本形式,由此扩大,有TO-3P、TO-247、TO-264等,由此缩小,有TO-126、TO-202等,并各自延伸出全绝缘封装以及更多引脚封装和SMD形式。其目的也很明确,在保证耗散功率的前提下缩小封装成本,对于高频开关器件,还要减小引线电感和电容,DirectFET封装就是典型的例子。很多封装仅从外部形状来看,很相似,这时候就需要注意其实际的外形尺寸以及底板是否绝缘等;有些封装不止一个名称,因为封装原本没有统一的国际标准,更多是约定俗成,后来一些行业协会也参与了名称的确认以便于交流,如常见的以SC开头的封装名称就大多是由JEITA,日本电子和信息技术产业协会统一确认的,对常见的TO-220AB,JEITA命名的名称是SC-46。部分功率三极管的封装形式。

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  • 1,pspice中支持的元器件类别及其字母代号:半导体器件:B GaAs场效应晶体管 ;M MOS场效应晶体管(mosfet);Q 双极晶体管;Z 绝缘栅双极晶体管(IGBT);J结型场效应晶体管(JFET)常见器件:C 电容;D 二极管; K 互感...

    1,pspice中支持的元器件类别及其字母代号:

    半导体器件:

    B GaAs场效应晶体管 ;M MOS场效应晶体管(mosfet);Q 双极晶体管;

    Z 绝缘栅双极晶体管(IGBT);J结型场效应晶体管(JFET)

    常见器件:

    C 电容;

    D 二极管;

    K 互感,传输线耦合(互感器又称为仪用变压器,是电流互感器和电压互感器的统称。能将高电压变成低电压、大电流变成小电流,用于量测或保护系统。其功能主要是将高电压或大电流按比例变换成标准低电压(100V)或标准小电流(5A或1A,均指额定值),以便实现测量仪表、保护设备及自动控制设备的标准化、小型化。同时互感器还可用来隔开高电压系统,以保证人身和设备的安全。)

    L 电感;

    R 电阻;

    T 传输线;

    电源:

    E 受电压控制的电压源;

    F 受电流控制的电流源;

    G 受电压控制的电流源;

    H 受电流控制的电压源;

    I  独立电流源;V 独立电压源;

    基本数字电路单元:

    N:数字输入1;O:数字输出1;U:数字电路单元;U STIM:数字电路激励信号源;X 单元子电路调用;

    开关:

    S :电压控制开关;W:电流控制开关;

    Analog模拟元器件;Digital数字元器件,基本覆盖常用商品化半导体器件。

    2,pspice各个组件分析:

    模型参数提取:(ModelEd:Model Editor)

    提供元器件特性数据,ModelEd即可生成模型参数。

    电路图设计软件:capture。。。。拓扑结构,元器件参数值,同时说明电路特性分析类型、设置分析参数并提出结果输出要求。

    激励信号波形编辑(StmEd:Stimulus Editor):瞬态分析信号(脉冲、分段线性、调幅正弦、调频、指数信号),逻辑模拟信号(时钟信号、各种形状脉冲信号、总线信号)。

    模拟结果波形显示和分析:pspice probe

    优化程序 optimizer




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  • 常见的晶闸管实物外形如下图所示。 一、晶闸管(SCR) 晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为...
  • 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件...
  • 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件...
  •  SOP,也可以叫做SOL和DFP,是一种很常见的元器件形式。同时也是表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。封装材料分塑料和陶瓷两种。始于70年代末期。  SOP封装的应用范围很广,除了用于...
  • 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件...
  • 写在前面题外话: 电子元器件是电子元件和小型机器、仪器组成部分,其本身常...电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器
  • 电子元件这个大家庭是由许许多多“家庭成员”组成的,它们在各种电路中起着至关重要的作用,我们最常见的半导体元件有贴片电阻、贴片电容、贴片电感磁珠、贴片二极管等,其中贴片电容、贴片电阻和贴片电感在外观上都...

空空如也

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常见的半导体元器件