米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 　　米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。[1]

学过模电的朋友应该对三极管或者场效应管的放大电路(本文所说的放大电路均指电压放大)不会感到陌生吧，这可是模电中的重点，但是也是难点，自己知道很重要，就是搞不明白怎么回事，没关系这次就以三极管放大电路的三种组态为例给大家简单说一下放大电路的放大倍数计算公式。
三极管组成的基本组态放大电路可以分为三种，分别是共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路。
共射放大电路
共射放大电路是低频电路中很常用的一种，在记公式的时候有的书上又分为发射极加电阻和不加电阻，其实也可合为一个，因为如果发射极不加电阻，完全可以认为发射极上的电阻为零，先来看一下共射放大电路原理图，看看长什么样。
看起来是不是感觉很复杂，但是这里分析的时候可以分为两个步骤，一个是交流电路的分析，一个是直流电路的分析，直流电路一般是用来求静态工作点，因为在求放大倍数的时候有个参数和静态工作点的选取有关，后面也会提到，我们想求的是放大倍数，所以应该用到交流通路。
对于上面那个实际电路交流分析并不是很利于理解，这里记公式的时候以下面这个电路为例。
这个电路看起来是不是感觉舒服多了，其中T为三极管，Rs是信号源的内阻，Re是发射极上的电阻，R c是集电极上的电阻，R L是负载，画出来交流通路(就是上面那张图)，如果想自己推导出来公式，可以把交流通路中的三极管改成三极管的小信号等效电路，其他元件对应位置不用动，这里就不推导了，直接给出来结果，发射极含有电阻的共射放大电路放大倍数公式为：
其中β为三极管放大倍数，R L'是R c与R L并联后的等效电阻，Re就是发射极上的电阻，R b b'是由基极引线电阻和基区体电阻组成的，其值大约为几十欧，R b b'和三极管本身有关与外电路无关，R b'e阻值很大，在千欧级别，因此R b b'可以忽略，不过R b'e和静态工作点选取有关，也就是上面加黑的那句话，计算公式为：
β同样为三极管的放大倍数，I c q是直流通路中流向集电极的电流，其和外电路有关，但是当电路确定后，I c q也是个定值了。
共基放大电路
共基放大电路输入电阻很小，输出电阻很大，而且频率特性好，但是共基放大电路只有电压放大能力，并没有电流放大能力，直接看一下交流通路电路图。
这个电路是不是看起来很怪，电流从发射极流入集电极流出的是共基极放大电路(看这个电流流向本身就感觉很怪，但是他确实就这样)，通过共射电路的介绍我相信大家应该对原理图上的四个元件很熟悉了，我们直接来看一下这个电路的公式：
其实这个电压放大倍数的大小是和共射放大电路发射极不接电阻时是一样的，只不过二者相差一个负号，公式中每个字母代表的含义和共射极放大电路也是一样的，也就是β表示三极管的放大倍数，R L'等于R c并上R L，R b b'是由基极引线电阻和基区体电阻组成的，R b'e的计算方法也和共射放大电路相同。
共集放大电路
共集放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小，但是只有电流放大能力，没有电压放大能力，一般接近但小于1，共集放大电路的交流通路如下。
乍一看感觉和发射极没电阻的共集放大电路很像，区别就是交流地的位置不一样，自己可以对比一下，以便于区分。交流放大倍数的公式为：
从公式中也可以看出来电压放大倍数是不可能大于1的，通常1+β很大，再加上后面乘上一个大电阻Re'，所以,这个结果是接近于1的。这个公式中就一个Re'和上面两种放大电路的公式不一样，其值等于Re并上R L，其他字母所代表的含义和上面相同。
这三种基本组态放大电路真的很重要，当然这三个公式也需要记下来，在分析复杂的电路的时候可以直接套用公式，这样计算起来就很方便，不但正确率高而且速度快。

湖水效应
湖水积累效应
湖水积累效应，简单的说，就是增加相同的高度，越往上需要的水量越多。
学习是这样，一开始的积累比较容易，但越到后来难度越来越大，但并非几何倍数或是指数式的增加，而是类似于湖的容水量，存在一个拐点，也就是积累过程中最难越过的点，这点单位高度的水量最大，其上与其下水量都呈递减趋势。
公司也是一样，存在资本积累点，比方说是500万，越过500万这个规模很难，但是如果达到1000万以后后续发展就逐渐平坦。
湖水扩张效应
一个湖，有可能越来越大，其增大时，相应的湖水积累拐点也随之改变。有可能有人会问：那不就不存在拐点了么？其实拐点还是存在的，因为公司的扩张速度在遇到拐点之前是递减的，但积累速度在此之前是稳步的，所以两者必然存在一个交点，此交点之后，扩张速度增加，积累速度放慢，接着随着拐点的临近，扩张速度减慢，积累速度稳步，就会在下一个拐点相遇。扩张的决定因素便是越过发展拐点。
湖水收缩效应
湖当然也会干涸，干涸是是一个倒过来的指数函数。也存在干涸拐点，前期可能看起来是线性递减，并且趋势也不是很明显，但在拐点以后，就是迅速的收缩，湖水就迅速干涸，而且这个趋势几乎是不可逆转了，所以公司在有下降趋势的那时就应敲响警钟，察觉潜在风险，否则颓势无法挽回。

场效应管介绍

     场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

 

三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列几条：

1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是垮导gm；

2.驱动能力：MOS管常用电源开关管，以及大电流地方开关电路；

3.成本问题：三极管便宜，MOS贵；

4.BJT线性较差，FET线性较好；

5.BJT噪声较大，FET噪声较小；

6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型，所以FET选型和使用都比较复杂；

7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；

    

    实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制；MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。