1、噪声

在相对低的频率时，共源共栅器件产生的噪声可忽略；

由于折叠式共源共栅运放多引入了一对对管，因此折叠式共源共栅结构可能比套筒式的相应结构有更大的噪声；

2、转换速率

反馈电路中使用的运放表现出所谓“转换”（slewing）的大信号特性；

对于足够小的输入的响应遵循指数规律，而对于大的阶跃输入，输出表现为具有不变斜率的线性斜坡，这就是转换，斜坡的斜率为“转换速率”；

转换是一种非线性现象，例如输入幅度增加一倍，在输出的所有点上其电平并不增加一倍，因为斜坡表现出与输入无关的斜率；

在处理大信号的高速电路中，转换是一种不希望的现象；









3、输入范围限制

扩展输入共模范围的一种简单方法是混合使用NMOS差动对和PMOS差动对，使得一个“死”时，另一个“活”。其思想是把具有NMOS和PMOS输入差动对的两个折叠运放结合起来；

但问题是：当输入CM电平改变时，两个差动对的总跨导的变化；

写在前面

最近在啃拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》。一会看得懂一会看不懂，看懂了觉得拉扎维真太牛逼了，看不懂就觉得自己是傻子……而且经常处于傻子状态。M老师说做模拟最重要的是运放，学到运放俺真滴学不下去了。所以破天荒的开个博客记录一下，就当是学习笔记+疑问笔记。希望俺也有成为模拟大师的一天。

模拟电路，模拟人生~
一、基本结构


(a)图是单端输出的运放，（b）图是差动输出的运放，（a）图的结构比（b）图多一个镜像极点。


这是一个单位增益缓冲器，实质就是把单端输出的基本结构（a）的输入输出相连，其实我也不知道这个具体有啥用为什么要叫单位增益缓冲器※※※

这个电路是电压电压反馈，开环输出阻抗很大，是rOP//rON，闭环输出阻抗很小，大概是1/gmN。这有利于通过增大开环输出阻抗设计高增益的运放，但是闭环的输出阻抗又很小。
二、套筒式共源共栅运放


分别是基本结构（a）和（b）的套筒共源共栅形式。

优点：高增益，大概是gmN（gmNrON2//gmPrOP2）

缺点：

①增加了极点：单端输出的方式会在X处产生一个镜像极点（※※※M5D端会有镜像极点吗？）

②减小了输出摆幅：太多层，要减掉很多过驱动电压（※※※好好请教一下什么是输出摆幅）

③很难以输入和输出的方式实现单位增益缓冲器（※※※就是上面的那个没明白为什么短接的方式）

为了理解这个问题，把单端输出的套筒运放输入输出短接一下！



研究一下Vout的范围

必须满足M2和M4都在饱和区对吧





这个值恒小于VTH2

（※※※其实我还是不太明白，就算小于VTH2也没啥关系啊。。又不是输出小于VTH2的意思，只是摆幅小于VTH2而已啊，又没让M2管子截止，是因为觉得这样使得输入和输出的摆幅都变得很小吗？？？还有一个问题，就是这两种表述是一个意思吗：①输入的摆幅很小；②输入的动态范围很小）

共源共栅结构很少用来做单位增益缓冲器，但在开关电容电路中，部分电路会要求输入与输出相接。
三、折叠式共源共栅运放
1.折叠式引入




折叠式共源共栅是在套筒式的基础上改进而来，是为了克服套筒式的输出摆幅小和难以将输入和输出短接的缺点。

折叠式：在NMOS和PMOS共源共栅放大器中，输入管用相反类型的MOS管替换，输入器件的功能仍是把输入电压转化为电流。其优点就是输入管上端没有叠层一个cascode级。

把这种思想运用到差动对管里去，如下图所示：



（※※※

这里涉及到一个我关于增益计算的一个问题：

我觉得这个总的增益是gm1Rout，应该也等于M1的共源极增益乘上M3的共栅级增益吧，共栅级增益不会变吧，那我就不明白为什么要给M1M2的源级加电流源：

M1M2算是带源级负反馈的共源极，单就共源极来说，增益是-RO/(1/gm+RS)）(见第二版P58页)，这个电流源相当于RS无穷大，大大减小了增益啊……

可能我的理解是错的，那Iss的作用到底是啥呢？？

疑惑！）

这里的重要区别有两个：

1.（a）中一个偏置电流Iss供给输入管和cascode级，（b）图中要求外加偏置电流源Iss，这就导致了ISS1要比图（a）中的Iss更大，消耗了更多功耗。

2.（a）图中，为了保证输入级处在饱和区，输入共模电平不能超过Vb1-VGS3+VTH1，（b）图中输入共模电平不能低于Vb1-VGS3-|VTHP|。本质上是因为这俩输入管一个是N管，一个是P管。所以可以把这种折叠共源共栅运放结构设计成输入输出相接的形式。
2.对折叠式共源共栅的探究


M5~M10代替了上面（b）图中的上下理想电流源。

1.看摆幅

输出摆幅等于VDD-(VOD3+VOD5+V|OD7|+V|OD9|)

上面（a）图中套筒式共源共栅电路的输出摆幅要减小一个尾电流源 的过驱动电压（※※※套筒式上面由电流源I1I2，下面有电流源Iss，不也是减掉四个过驱动电压吗）

刚才提过M5M6这俩管子电流很大，要么提高W/L，要么增大过驱动电压，考虑到X点的电容问题，要求有较高的过驱动电压。

2.计算增益，考虑到体效应（并且近似输出短路电流等于M1的漏电流）：



这个数值大概是套筒式共源共栅的1/3~1/2。

3.极点

X和Y点的电容很大，跟套筒式相比，极点更靠近坐标原点。

4.NMOS输入器件和PMOS共源共栅晶体管：

1.优点：可以提高更高的增益：因为NMOS中载流子迁移率较大；

2.	缺点：X和Y点的极点更低。因为极点由电容和1/(gm3+gmb3)的乘积决定，PMOS的这个cascode级导致g比较小，所以极点更小。
3.折叠式共源共栅运放小结
1.特点（与套筒式相比）

优点：输出摆幅大

缺点：①功耗大；②电压增益低；③极点低；④噪声高

2.在输入和输出的共模电平不要求相等的反馈结构中，折叠式允许更宽的输入共模范围。
就先写到这里。

2021.2.18晚~2021.2.19下午

模拟电路-场效应管放大电路
三种基本接法
静态工作点
共源电路
自给偏压电路
分压式偏置电路
动态分析

三种基本接法


像三极管一样，有共源共栅共漏三中接法。
静态工作点
共源电路

VGG 应大于开启电压UGS(th);

令Ui=O, 由于栅－源之间是绝缘的，故栅极电流为0, 所以UGSQ = VGG。
我们可以使用图解法


也可以用近似法直接求


我们来复习一下增强型NMOS的特性曲线。


自给偏压电路
分压式偏置电路
动态分析
未完待续