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  • 共源极放大电路

    2020-07-17 13:42:57
    本文简述漏电流Id与漏源电压和栅源电压的关系及小信号模型分析方法。
  • 引言  在由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路中,由于所选用场效应管的性能参数不同,在理论计算中要考虑多项因素而导致理论计算... 由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源极放大电路
  • 引言  在由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路中,由于所选用场效应管的性能参数不同,在理论计算中要考虑多项因素而导致理论计算... 由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源极放大电路
  • 在VMOS管所有的工作方式中,共源极组态的驱动最简单。因为VMOS管是电压控制器件,输入阻抗极高,可以由多重逻辑电路直接驱动。
  • UGSQU_{GSQ}UGSQ​对共源放大电路电压放大倍数的影响 电路搭建(采用增强型MOSFET)恒流区iD=IDO(UGSUGS(th)−1)2i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2iD​=IDO​(UGS(th)​UGS​​−1)2 仿真分析1 采用参数...

    UGSQU_{GSQ}对共源放大电路电压放大倍数的影响

    电路搭建(采用增强型MOSFET)恒流区iD=IDO(UGSUGS(th)1)2i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2
    在这里插入图片描述

    仿真分析1

    采用参数扫描分析方法,设置直流电源V1为被扫描电源,节点1为输出,又源极电阻为1Ω\Omega,因此节点1的输出可视为漏(源)极电流。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    发现,该增强型MOSFET的开启电压UGS(th)U_{GS(th)}=2V,IDO200mAI_{DO}\approx200mAIDOI_{DO}是当UGSU_{GS}=2UGS(th)U_{GS(th)}时的漏极电流)

    仿真分析2

    Rg2R_{g2}分别为6MΩ\Omega和6.1MΩ\Omega时,采用电压表和示波器测UGSQU_{GSQ}UDSQU_{DSQ}UoU_o
    在这里插入图片描述
    Rg2R_{g2}=6MΩ6M\Omega时,
    在这里插入图片描述
    UGSQU_{GSQ}=2.137V,UDSQU_{DSQ}=5.555V \Rightarrow IDQ0.938uAI_{DQ} \approx 0.938uA
    UoU_o\approx 710mV

    Rg2R_{g2}=6.1MΩ6.1M\Omega时,在这里插入图片描述
    UGSQU_{GSQ}=2.107V,UDSQU_{DSQ}=9.254V \Rightarrow IDQ0.572uAI_{DQ} \approx 0.572uA
    UoU_o\approx 546mV

    输入电压峰值/mV Rg2/MΩR_{g2}/M\Omega UGSQU_{GSQ}/V UDSQU_{DSQ}/V IDQI_{DQ}/uA Uo/mVU_o/mV 电压放大倍数Av
    10 6.0 2.137 5.555 0.938 710 -71.0
    10 6.1 2.107 9.254 0.572 546 -54.6

    随着Rg2R_{g2}增大,UGSQU_{GSQ}减小, IDQI_{DQ}减小,电压放大倍数减小
    \Rightarrow 调整偏置电阻,使UGSQU_{GSQ}增大, IDQI_{DQ}增大,从而提高电压放大能力。当然要保证管子工作在恒流区,不失真,即UGS>UGS(th)U_{GS}>U_{GS(th)}UGD<UGS(th)U_{GD}<U_{GS(th)}

    理论计算

    gm=iduGSg_m=\frac{\partial i_d}{\partial u_{GS}}

    gm=2IDOUGS(th)(UGSUGS(th)1)\Rightarrow g_m=\frac{2I_{DO} }{U_{GS(th)}}(\frac{U_{GS}}{{U_{GS(th)}}}-1)

    \Rightarrow gm1=0.0137S;gm2=0.0137Sg_{m1}=0.0137S; g_{m2}=0.0137S

    Av=gmRdRL\Rightarrow A_v=-g_mR_d||R_L

    Av1=68.5;Av2=53.5\Rightarrow A_{v1}=-68.5;A_{v2}=-53.5

    理论计算与实验结果比较

    输入电压峰值/mV Rg2/MΩR_{g2}/M\Omega UGSQU_{GSQ}/V UDSQU_{DSQ}/V IDQI_{DQ}/uA Uo/mVU_o/mV 电压放大倍数Av(实验值) 电压放大倍数Av(理论计算)
    10 6.0 2.137 5.555 0.938 710 -71.0 -68.5
    10 6.1 2.107 9.254 0.572 546 -54.6 -53.5

    说明,公式的近似效果甚好,同时也说明了仿真对电路调试的实际指导意义

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  • BJT的共射极、共基极、共集电极放大电路与MOS的共源极、共栅极、共漏极放大电路傻傻分不清楚

    BJT的共基极、共集电极还是共射极,MOS的共栅极、共漏极还是共源极


    基础很重要,基础很重要,像这些专有名词,一套下来感觉自己牛逼哄哄的。

    其实是发现自己好像也分不太清楚这几个东西了,查阅了下资料,发现好像遗忘了不得了的东西(毕竟主要接触的还是数字电路,知识必须要经常用才能记住嘛)。

    共射极放大电路

    如下所示(说明一下,发射极上的箭头表示发射结加正向偏压时,发射极电流的实际方向):
    在这里插入图片描述

    1. Vs为待放大的时变信号,可以理解为交流分量;
    2. 直流电源VBB通过Rb给BJT的发射结提供正向偏压,并产生Ib(偏流,提供偏流的电路一般称为偏置电路);
    3. 直流电源VCC通过Rc给集电结提供反向偏压(需要与VBB & Rb配合的,不然也反向偏压不了不是),这样发射结正偏,集电结反偏,就能保证BJT工作在放大状态;
    4. Rc的另一个作用是将电流变化转化为电压变化;
    5. 整体来说,输入信号加在基极与发射极之间,而输出信号则从集电极与发射极之间取出,这中间发射极既参与了输入回路又参与了输出回路,所以称为共发射极放大电路。

    共集电极放大电路

    如下所示(其实直接这样看怎么看都看不出来哪里共集电极了,这特么明明还是共射极嘛,实际上是要从交流角度来分析的):
    在这里插入图片描述

    1. 交流角度分析,VCC接地(即集电极接地),输入电压Vi是加在基极和集电极之间;
    2. 同时由于集电极接地,相当于输出电压是从发射极和集电极之间取出,这中间集电极既参与了输入回路又参与了输出回路,所以称为共集电极放大电路(也称为射极输出器)。

    共基极放大电路

    如下所示,同样需要从交流角度来分析:
    在这里插入图片描述

    1. 交流层面,VCC接地,C3由于是电容,交流条件下相当于短路,即基极接地;
    2. Vi加在发射极和地(基极)之间,作为输入;
    3. Vo从集电极和地(基极)之间取出,基极为输入回路与输出回路的共同端,所以称为共基极放大电路。

    MOS管

    MOS管同理,共源极放大电路对应BJT的共射极放大电路;共漏极放大电路对应BJT的共集电极放大电路;共栅极放大电路对应BJT的共基极放大电路。分析的关键点在于交流通路,或者说动态特性。

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  • 上一次给大家讲述了三种类型的运放,这一节主要和大家说一下共源极运放!不会过多重复书上的推理,只会把书上最为重要得知识点提炼出来。 在讲之前,先和大家普及一下大小信号的关系!很多人都不理解这两者有什么...

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    PS:2020.03.08 愿天下母亲幸福快乐!深夜,大雨倾盆,翻书,深思!

    上一次给大家讲述了三种类型的运放,这一节主要和大家说一下共源极运放!不会过多重复书上的推理,只会把书上最为重要得知识点提炼出来。


    在讲之前,先和大家普及一下大小信号的关系!很多人都不理解这两者有什么区别和联系!但是仔细看书的同学一定知道,大小信号是拉扎维关于运放的章节中最先讲述的。拉扎维首先通过大信号,也就是饱和电流公式计算了一个电阻负载的共源极放大电路,然后通过微分,求得了Av=Vout/Vin的关系式,然后在二极管连接负载的共源极中直接列出了小信号的公式,又求得了对应的Av,看到这里,大家应该明白,无论是大信号计算还是小信号计算都可以得到我们的增益Av,说明大信号和小信号是共通的。

    用下面一段人们经常用的比喻来解释他们的关系。

    大信号相当于一条向前滚滚流动的河流:大家可以把河里的流水看作是大信号的DC电流,把河两边的堤岸看作是电流流过的通路,电流是从电势高的地方流向电势低的地方。

    小信号相当于这条河流里面的浪花:大家从堤岸上抄起一块瓦片,向河里面漂去,一个小浪花就代表一级,一共漂起了三朵浪花,这三个浪花一个比一个大,说明这个运放有三级,第三个浪花的大小除以第一个浪花的大小就代表着增益Av。

    可能说到这边大家还不是很理解,人们最早计算增益就是通过大信号写公式然后微分得出的,后来人们为了方便理解,对MOS或者BJT进行建模,然后赋予了各个参数以含义,例如gm,ro等等,最后得出新的一套用来计算增益的公式,这就是小信号公式,在对多级运放进行分析时,小信号明显要比大信号高效得多。


    好了,回归正题!权力的游戏博弈即将开始!

    1.小信号成立条件:

    大家都能信手画出MOS的小信号图形,也能熟练背出公式,但应该得知道这些成立的条件:正确的DC点!只有当DC点正确了,才有gm,ro等一切你能计算的参数。(MOS在饱和区的gm要比线性区大,所以,我们为了追求高增益,尽可能地使得MOS工作在饱和区,就像是电路中的BJT一定要工作在线性放大区一样,MOS管一定要尽量工作在饱和区--->无论是放大管还是电流镜)

    不知道大家还记得我之前讲MOS电容说过的,MOS电容上的电压最好大于Vth,这样容值才会大,一般启动时系统没有这么高的电压,所以启动时用于稳定环路的电容往往容值较小,容易形成振荡!这个原理就是因为其没有正确的DC点!

    对于一个运放来说,它的输入如果不在正确的DC点,那么它的gm就会降低,如果它的输出极MOS管不在正确的DC点,那么它的ro就会降低!

    那DC点博弈的是什么呢?假设你设计一个运放,运放内部的DC点你都可以设置,但是决定增益的是输入和输出,所以在一个环路中,你一定要瞻前顾后,运放的前一级输出的工作范围一定要是你运放的输入摆幅,运放后一级的输入工作范围一定要是你运放的输出摆幅,并且要保证更恶劣的情况都能成立!

    否则,你通常会遇到以下问题:诶呀?怎么我的环路增益这么低?怎么输出电压不跟随基准电压走啦?怎么环路振荡起来啦?怎么我的环路高温(低温下)就不工作啦?......

    总结:运放一定要瞻前顾后,考虑正确的输入输出摆幅,因为这才是小信号成立的条件!

    2.本征增益:

    这个理论在课本中被过分削弱,让我十分痛心!

    适用于单极放大器所有情况,包括共漏极和共栅极!!!后续会讲到!能帮助你更好地理解增益这个式子!

    一个MOS管的最大放大能力是gm*ro!!

    gm*ro就是一个放大管所能产生的最大增益!是它自己的gm乘以它自己的ro!!!

    来看一下书上描述的四种负载类型的增益!

    11a7c96531b91439aca0e5449b91cd0d.png

    Pic1

    第一种简单,负载是电阻R||ro,第二种负载时1/gm||ro,第三种是Ron||ro,第四种是无穷大||ro(电流源负载)。对于同样VIN工作点的输入管来说,gm都是一样的,差别就是输出阻抗了!因为负载是平行于输入管的ro的,所以只有两者并联,只有当负载远大于自身的ro时,整个系统才能有最大的增益,也就是本征增益gm*ro!!!!

    3.带源极负反馈的共源极:

    大家可以先将负反馈这三个唬人的词放一放,这是一个特殊的共源极,我第一次看的时候也相当雨里雾里,不过,我们既然学会了上一条的技能,那么从现在开始,直到整个单极运放篇章的结束,我们不会再去按书上推导出增益公式,我们需要学会看透增益的本质:本征增益!!!

    在本征增益开始我们的show之前,有一个常用的结构需要记住:

    e4375d06b010d040c2525fbba4571d56.png

    Pic2

    这是两个类似的输出结构,具体的输出阻抗R1和R2书上都有推理,但是我想换个角度去阐明他们的输出阻抗。

    首先,先看右图,这两个管子都是MOS管,提到MOS管,就不能不提它的放大作用,但有的MOS是放大作用的,有的只是单纯的电阻,右侧这两个管子谁才是起放大作用的呢?因为这两个管子的栅极电压都可以认为是固定的电压VBIAS,对于小信号而言,大信号中的VBIAS都可以认为是GND,或者可以从另一个角度想,我求这个小信号输出阻抗R2,输入是上管的漏极电压和漏极电流,和两个管子的栅极都没有关系,所以可以认为栅极都是GND;那么问题来了,对于下管小信号栅极接地,无疑其VGS等于0,所以下管不可能是放大管,对于上管的小信号栅极接地,它的VGS当然不是0啦,因为Gate是0但是源极不是零呀!

    明白了谁是放大管之后,下面就是计算了:

    d8498ec1eef1755faefb83799a5b55a3.png

    Pic3

    但是我不想计算,我只想知道结果:总输出阻抗等于放大管的本征增益乘以电阻管的阻抗!!!!

    这里已经用到了本征增益的概念!

    那么我们看这个带源极负反馈的图:

    2c1bc4913121f620788d0e1b8da20098.png

    Pic4

    好了,既然是求增益,那么公式里面肯定少不了放大管M1的本征增益,先不管三七二十一,这个管子的本征增益是gm*ro。

    接下来考虑剩下的事情,因为本征增益是一个管子所能提供的最大增益,所以一般来说不太可能达到本征增益,因此每一种结构都有一个乘在本征增益旁边的系数,该系数就是由结构决定!

    dd3caf2dcea176343b1381ddabc462fb.png

    Pic5

    对于Pic5中左边的简单共源极电路,我们也写出本征增益乘以一个系数,该系数是从Vout到非Vin部分的电阻处以从电源到地的总电阻!

    对于左边的共源极来说,从Vout到非Vin部分,那不就是上面的R吗?从电源到地的总电阻,不就是R+ro吗?那么它的系数不就是R/(R+ro)?

    对于右边的共源极负反馈结构,我们也写出该系数,从Vout到非Vin的电阻,不就是RD吗?从电源到地的总电阻不就是RD+gm*ro*Rs吗?那么它的系数不就是RD/(RD+gm*ro*Rs)吗?

    所以,以上两种结构直接用本征增益乘以系数即可得到!!!大家可以翻开课本验证一下我的公式是不是对的!

    我提出本征增益的伟大意义在于,它适用所有单级放大器!包括共栅极和共漏极增益!!!!任何一个单级放大器都可以用本征增益乘以一个系数来表示!!!!


    令人激动的部分已经结束,因为拉扎维和我的想法不太一样!拉扎维认为整体增益应该是GM*ROUT!这也是贯穿整个模拟世界的基本法则!

    是的,他发现了任何一个运放增益的通用表达式!伟大之处无疑言表!而我,只去探索了一个单极运放的通用表达式,看来模拟道路还有很长的一段路需要走!我会尝试去用我的本征增益想法去诠释通用运放,而无论是GM*ROUT的思想还是本征增益的思想,在我看来本质上都是相同的!

    下面解释一下拉扎维的GM*ROUT思想:

    GM是输出与地短接时的跨导;

    ROUT是输入电压为0时电路的输出电阻!


    以上即是共源极放大电路的重点,抽出时间写了两天,希望大家喜欢,明天讲述共漏级和共栅极,这两部分内容依靠本征增益将很快讲完!

    感谢关注微信公众号:芯路

    参考文献:

    1.模拟CMOS集成电路设计. [USA] Behzad Razavi

    深夜码字,不求喜欢,只求在看,感谢

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    本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。


    1. 原理分析


    二极管连接的MOS管如下图所示。

    无论PMOS还是NMOS,当导通时,均工作在饱和区。

    等效电阻为

    Rx=VxIx=1gm//Ro1gmR_x=\frac{V_x}{I_x}=\frac{1}{g_m}//R_o\approx\frac{1}{g_m}

    以二极管连接的mos作负载的共源极放大器电路连接如下图所示

    以二极管连接的MOS管作负载时,交流小信号等效电路与以电阻为负载的共源极放大器相似,只是将RDR_D换为1gm\frac{1}{g_m}

    所以,Vout=gm1V11gm2V_{out}=-g_{m1}V_{1}\frac{1}{g_{m2}}

    AV=VoutVIN=gm1gm2=μp(W/L)1μn(W/L)2A_V=\frac{V_{out}}{V_{IN}}=-\frac{g_{m1}}{g_{m2}}=-\frac{\sqrt{\mu_p(W/L)}_1}{\sqrt{\mu_n(W/L)}_2}

    Ri=R_i=\infty

    Ro=1gm2R_o=\frac{1}{g_{m2}}

    当考虑体效应时,

    AV=μp(W/L)1μn(W/L)211+ηA_V=-\frac{\sqrt{\mu_p(W/L)}_1}{\sqrt{\mu_n(W/L)}_2}\frac{1}{1+\eta}

    η=1gmb2\eta=\frac{1}{g_{mb2}}

    当不考虑体效应时,增益为两个MOS的宽长比。


    2.仿真验证


    画电路图,填加电源,信号源,并正确设置MOS的宽长比,如下图所示。

    打开ADE,设置仿真变量,仿真类型,和输出信号。

    先DC仿真,找电路的静态工作点。

    ADE设置如下图所示

    开始仿真,得到如下结果。

    放大位数10左右,输入范围大区120mV,输出范围大约1.25V。可设置AC的静态工作点。

    进行瞬态仿真,查看波形是否正常放大。

    vdc修改为vsin,参数设置如下图。

    保存电路,ADE填加瞬态仿真类型。如下图所示

    并观察输入与输出信号的波形。如下图所示

    点击上方红框中的按钮可将两曲线分离,由图可知电路正常放大信号,且无失真。

    最后进行交流小信号分析。设置AC仿真如下图所示

    开始仿真,完成后选择AC Gain & Phase,并依次选择输出信号与输入信号 。

    幅频与相频特性如下图所示

    大概记录了一下以二极管连接的MOS作负载的共源极放大器原理与验证过程。

    如有不对之处,大家多多指正。


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共源极电路