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  • 总觉得自己动手太少,总是在学理论,突然想着把书里的电路在Cadence里实现一遍,但愿能坚持下去。由于太久没用Cadence,于是又开始把老师的教程看了一遍。还好老师还没解散群,赶紧下载教程。 导入库 总思想:通过...

    通过Cadence学拉扎维的第0天-工艺库的导入+新建工程并画图(以共源电路为例)

    我直接重开了

    总觉得自己动手太少,总是在学理论,突然想着把书里的电路在Cadence里实现一遍,但愿能坚持下去。由于太久没用Cadence,于是又开始把老师的教程看了一遍。还好老师还没解散群,赶紧下载教程。

    导入库

    总思想:通过共享文件夹实现导入工艺库。
    1.点画红线处,选“设置”
    1.点画红线处,选“设置”
    2.添加共享文件夹路径,这个路径是指自己原Windows里的。也就是说先在Windows里建个文件夹,再在这里添加它为共享文件夹。
    在这里插入图片描述
    名称是指在虚拟机里这个文件夹的名字,但不知道为啥添加后名字自己变为eda_share,不过可以在属性中修改,但一定要记得点“确定”
    名称是指在虚拟机里这个文件夹的名字
    在这里面也可以看到这个共享文件夹,filesystem-mnt-hgfs
    在这里插入图片描述
    3.把库放到win下的共享文件夹中
    在这里插入图片描述
    没保存草稿,中午电脑睡眠,下午来给我黑屏,重启还好网页恢复出来内容还在,不然就还没开始就结束了
    保存很重要,但要是有个新电脑就更好
    然后就可以在虚拟机看到这个文件夹
    在这里插入图片描述
    新建一个工作文件夹work,把L35P放进去
    在这里插入图片描述
    4.导入库到软件里,要导入两个文件.tf和.scs
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    打开l35p.v3.scs可以看到所含器件的模型
    在这里插入图片描述
    在work里打开cadence,桌面界面右键鼠标-open terminal-ls(显示所在位置的所有文件)-cd Desktop(打开桌面)-cd work-icfb&(打开cad,省略写)
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    此时只有软件自带的一些库
    然后file-new library-命名新的lib-找到work里刚才的.tf所在的文件夹,ok
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    要找到.tf路径写上去,最后加上文件名-ok
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    导入成功就完事了

    新建工程并画图(以共源电路为例)

    1.新建lib用来画电路,我命名为example1,因为要用L35P因此选第二项。此时在work就会生成example1的文件夹
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    2.给example1新建一个叫做cs_apm的版图(schematic)的cell
    PS:在同一个lib下可以新建cell view来画新的版图
    在这里插入图片描述
    3.画图,基础操作自行百度
    在这里插入图片描述

    vdd(只是个名字,并不具有电压、vdc、gnd、res(电阻)来自analogLib;管子来自L35P;
    同名会连在一起。
    PS:在桌面的work文件夹可以看到自己新建的lib;为了导出电路,可以把文件夹放到共享文件夹就可以在win看到了。

    第一期over

    明天答辩,下一期是仿真教程

    展开全文
  • 本文给大家分享了一个自给偏压共源放大电路
  • 共源放大电路.ms12

    2020-12-24 16:19:33
    完整的共源放大电路特性分析(频谱,放大倍数)
  • 目前相关方面的研究很少,本文以某一型号N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路为例,进行静态、动态和温度特性分析,并且与理论计算结果对比,得出分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真分析...
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  • 在Multisim软件中绘制的分压-自偏压共源放大电路仿真电路,附带电路截图加输入输出波形。
  • 共源极放大电路

    2020-07-17 13:42:57
    本文简述漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的关系及小信号模型分析方法。
  • 针对场效应管电路分析中不同元件性能参数不同而导致一些理论计算复杂、繁琐,并且难于理解的情况,通过对N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路的理论研究,利用Multisim仿真软件对电路实际工作情况...
  • 实验6--结型场效应管共源放大电路实验
  • 在Multisim软件中绘制的分压-自偏压共源放大电路仿真电路,附带电路截图加输入输出波形,在由 N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的分压-自 偏压共源放大电路中 ,由于所选用场效应管的性能参数 不同 ,在理论计算中要考虑...
  • NMOS管共源放大实验电路multisim源文件,multisim10及以上版本可以正常打开仿真,是教材上的电路,可以直接仿真,方便大家学习。
  • MOSFET理解与应用:Lec 12—一篇文章搞定共源级放大电路 https://baijiahao.baidu.com/s?id=1616701539915827630&wfr=spider&for=pc 为了便于保存和引用才进行转载学习 本期内容: 共源级放大电路的偏置...

    转载文章来自:

    MOSFET理解与应用:Lec 12—一篇文章搞定共源级放大电路
    https://baijiahao.baidu.com/s?id=1616701539915827630&wfr=spider&for=pc

    为了便于保存和引用才进行转载学习

    本期内容:

    共源级放大电路的偏置设计

    共源级放大电路的小信号分析

    ——————————————————————————————————

    1、共源级放大器的偏置电路设计

    Fig. 1

    一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提,偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区。如图Fig. 1,这是一个前几期讲过的MOSFET放大器的最基本电路。

    ① 电阻分压偏置电路

    Fig. 2是一个最简单常见的偏置电路的设计,对比Fig. 1有很多不用,首先栅极没有了偏置直流电源,多了好几个电阻,多了一个电容,这些器件都有什么用呢?

    Fig. 2

    Fig. 1中的供电设计是复杂的,需要两种电源才能使放大器工作,这个是我们不希望的,所以Fig. 2中利用电阻的分压电路,使VDD分一部分电压给栅极提供偏置电压,大小为VDD*R2/(R1+R2)。这样整个系统就可以只用一个供电单元来提供电压,简化了设计。所以R1,R2的作用是分压,为MOSFET提供栅极开启电压。Fig. 2 中的R0为小信号源的内阻,这个内阻在实际电路设计中是必须要考虑的,比如要放大的信号时麦克风信号,那R0就表示麦克风的内阻。Fig. 2 中的C0为一个隔直电容,作用是防止前级直流信号对后级偏置电压的影响。只有交流信号能够通过后级电路进行放大。但是电容对于MOSFET器件来说是一个非常大的器件,增加一个电容会占用芯片很大一块位置,所以尽量避免使用电容,如图Fig. 3有两级放大电路,如果前一级的输出Vx的直流部分正好可以作为后级的直流偏置,则不需要加电容和分压电阻。

    Fig. 3

    选择合适的R0,R1,RD才能使MOSFET工作在饱和区,使其具有放大作用。下期讲介绍一个实际的例子来说明这些电阻应该如何选取,大概的量级是多少。

    ② 自偏置电路

    Fig. 4是一个自偏置电路的设计,此时,通过RF的电流为零,RF两边的电压相等,MOSFET的漏极电压和栅极电压相等,都等于VDD-I_D * R_D。

    Fig. 4

    自偏置电路的好处是它对MOSFET的截止电压的敏感性弱,因为工艺的公差会导致两片晶圆片的阈值电压不可能完全相等,比如晶圆片A的阈值电压为V_TH,A,晶圆片B的阈值电压为V_TH,B,如下图Fig. 5,如果用电阻分压方法来提供栅极的偏置电压,则相同的V_GS在两个晶圆片上得到的漏极电流是不同的,这就会导致两片晶圆片做出来的放大器的放大倍数不相同。

    Fig. 5

    但如果用Fig. 4的自偏压电路,V_TH上升会导致I_D下降,I_D下降会导致V_{GS}上升,V_{GS}上升又会导致I_D上升,这个电路有个自反馈的过程在,所以他对V_TH的变化敏感性不高,在一定程度上晶圆片的公差不过过大的影响放大器的性能。

    共源级放大电路的偏置部分就介绍这两种,其他种类的偏置电路大同小异。

    2、共源级放大电路的小信号分析

    放大电路的小信号分析主要考虑三个参数,放大倍数、输入阻抗和输出阻抗,这三个参数直接影响实际电路中的小信号放大倍数。我们以电阻分压偏置电路Fig. 2为例进行计算这三个参数。这里主要运用MOSFET的小信号电路模型和输入阻抗和输出阻抗的概念。不清楚的请查看。MOSFET理解与应用:Lec 9—NMOS、PMOS小信号电路模型总结、MOSFET理解与应用:Lec 10—输入阻抗和输出阻抗的概念。

    Fig. 6

    如图Fig. 6,为电阻分压偏置电路的小信号电路模型,这里只是将Lec 9 中的模型替换了MOSFET器件,是不是超级简单。通过这个电路图可以求出:

    从这个式子可以看出要使放大倍数提高,需要R1||R2远大于R0。这也是偏置电路设计时需要注意的一点。

    总结一下:偏置电路是设计是为了放大器能够正常工作,使MOSFET工作在饱和区,同时引入的器件如电阻也会影响MOSFET的放大倍数。然后利用小信号模型求出具体的放大倍数,输入输出阻抗这三个变量。

    展开全文
  • UGSQU_{GSQ}UGSQ​对共源放大电路电压放大倍数的影响 电路搭建(采用增强型MOSFET)恒流区iD=IDO(UGSUGS(th)−1)2i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2iD​=IDO​(UGS(th)​UGS​​−1)2 仿真分析1 采用参数...

    UGSQU_{GSQ}对共源放大电路电压放大倍数的影响

    电路搭建(采用增强型MOSFET)恒流区iD=IDO(UGSUGS(th)1)2i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2
    在这里插入图片描述

    仿真分析1

    采用参数扫描分析方法,设置直流电源V1为被扫描电源,节点1为输出,又源极电阻为1Ω\Omega,因此节点1的输出可视为漏(源)极电流。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    发现,该增强型MOSFET的开启电压UGS(th)U_{GS(th)}=2V,IDO200mAI_{DO}\approx200mAIDOI_{DO}是当UGSU_{GS}=2UGS(th)U_{GS(th)}时的漏极电流)

    仿真分析2

    Rg2R_{g2}分别为6MΩ\Omega和6.1MΩ\Omega时,采用电压表和示波器测UGSQU_{GSQ}UDSQU_{DSQ}UoU_o
    在这里插入图片描述
    Rg2R_{g2}=6MΩ6M\Omega时,
    在这里插入图片描述
    UGSQU_{GSQ}=2.137V,UDSQU_{DSQ}=5.555V \Rightarrow IDQ0.938uAI_{DQ} \approx 0.938uA
    UoU_o\approx 710mV

    Rg2R_{g2}=6.1MΩ6.1M\Omega时,在这里插入图片描述
    UGSQU_{GSQ}=2.107V,UDSQU_{DSQ}=9.254V \Rightarrow IDQ0.572uAI_{DQ} \approx 0.572uA
    UoU_o\approx 546mV

    输入电压峰值/mV Rg2/MΩR_{g2}/M\Omega UGSQU_{GSQ}/V UDSQU_{DSQ}/V IDQI_{DQ}/uA Uo/mVU_o/mV 电压放大倍数Av
    10 6.0 2.137 5.555 0.938 710 -71.0
    10 6.1 2.107 9.254 0.572 546 -54.6

    随着Rg2R_{g2}增大,UGSQU_{GSQ}减小, IDQI_{DQ}减小,电压放大倍数减小
    \Rightarrow 调整偏置电阻,使UGSQU_{GSQ}增大, IDQI_{DQ}增大,从而提高电压放大能力。当然要保证管子工作在恒流区,不失真,即UGS>UGS(th)U_{GS}>U_{GS(th)}UGD<UGS(th)U_{GD}<U_{GS(th)}

    理论计算

    gm=iduGSg_m=\frac{\partial i_d}{\partial u_{GS}}

    gm=2IDOUGS(th)(UGSUGS(th)1)\Rightarrow g_m=\frac{2I_{DO} }{U_{GS(th)}}(\frac{U_{GS}}{{U_{GS(th)}}}-1)

    \Rightarrow gm1=0.0137S;gm2=0.0137Sg_{m1}=0.0137S; g_{m2}=0.0137S

    Av=gmRdRL\Rightarrow A_v=-g_mR_d||R_L

    Av1=68.5;Av2=53.5\Rightarrow A_{v1}=-68.5;A_{v2}=-53.5

    理论计算与实验结果比较

    输入电压峰值/mV Rg2/MΩR_{g2}/M\Omega UGSQU_{GSQ}/V UDSQU_{DSQ}/V IDQI_{DQ}/uA Uo/mVU_o/mV 电压放大倍数Av(实验值) 电压放大倍数Av(理论计算)
    10 6.0 2.137 5.555 0.938 710 -71.0 -68.5
    10 6.1 2.107 9.254 0.572 546 -54.6 -53.5

    说明,公式的近似效果甚好,同时也说明了仿真对电路调试的实际指导意义

    展开全文
  • JFET 共源级放大电路设计

    千次阅读 2019-08-26 19:04:53
    1.要求: a.增益10db Av= 20log(Vout/Vin) Vout/Vin = 3; b.... ...2.管子种类不一样,IDSS不一样,2SK184GR IDSS范围:2.6ma~6.5...IDSS即可,此处为了安全起见,选择ID=1Ma.Id决定了传导率和噪声,所以设计电路从ID...

    1.要求:

      a.增益10db  Av= 20log(Vout/Vin)     Vout/Vin  = 3;

      b.峰峰值:3Vp-p

      

    2.管子种类不一样,IDSS不一样,2SK184GR  IDSS范围:2.6ma~6.5Ma。

    • 取Id值,设计RD\RS阻值,取值条件只需满足<IDSS即可,此处为了安全起见,选择ID=1Ma.Id决定了传导率和噪声,所以设计电路从ID开始。

           RS=VS/I=2V/1Ma= 2K,   VS选择在1V以上,避免温度变化带来的偏移。

           RD=Av*Rs= 3*2K= 6K。

          功耗计算:P=(15V-1ma*2k-1ma*6k)*I=7V*1ma = 7mW.   小于2SK184GR  PD 200mW。

    • 栅极偏压电路设计

          2SK184GR 传输特性曲线:

    IDSS在1MA左右时,根据上图VGS范围在-0.1~0.4之间,取中间值-0.25V,然后得到VG=2v-0.25V=1.75v,R1电阻压降1.75V,R2电阻压降13.25V。因JFET 输入电阻非常大,G\S间电流几乎为0.

     R2 =20 K,R1=150K。  

     

    Pspice 采用BC264A做仿真,仿真原理图如下:

    Q:

    为什么放大倍数只有2.5倍左右?排查发现S级电压增量和Vin输入电压不一样实际没有2Vp-p.红色为输入信号VIN,绿色为Vs增量。

     

     

     

     

     

     

     

    展开全文
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空空如也

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