精华内容
下载资源
问答
  • 所有其他拓扑都需要额外的元件。例如,SEPIC 转换器还需要耦合电容和第二电感。除了非隔离式开关稳压器外,还有一些稳压器是通过变压器来实现电气隔离。 电路设计人员通常将电源视为黑盒子或 4 极元件。其具有两个...
  • 所有其他拓扑都需要额外的元件,例如,SEPIC转换器还需要耦合电容和第二电感。除了非隔离式开关稳压器外,还有一些稳压器是通过变压器来实现电气隔离。 电路设计人员通常将电源视为黑盒子或4极元件,其具有两个输入...
  • 谐振PFC单级AC_DC变换器研究和特性pdf,通常可将带功率因数校正(PFC)的开关变换器分成两级结构和单级结构两种。研究了一种带谐振PFC单级AC/DC变换器。为了改善交流输入电流功率因数,提出了一种新电路...
  • 可与开关场效应管、开关变压器、精密三端比较器、光电耦合器等元器件构成绿色开关电源,通过合理选择外部元件的参数,可以使开关电源具有较宽稳压范围和较灵敏保护特性。基于LD7552B的开关电源可广泛用于液晶...
  • 部分:先说说什么是电感  电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能... 电感是开关电源中常用的元件,由于它的电流、电压相位不同,所以理论上损耗为零。电感常为储能元件,也常与电容一起用在输入滤波和输出滤波电路
  • 液位传感器采用进口开关元件具有体积轻巧,工作原理简单,可靠性高,价格便宜特点,不同材质及规格浮球可供选择,电器参数可根据客户要求改变,特殊规格亦可订制。产品可用于饮水机,热水器,太阳能,空调,...
  • 液位传感器采用进口开关元件具有体积轻巧,工作原理简单,可靠性高,价格便宜特点,不同材质及规格浮球可供选择,电器参数可根据客户要求改变,特殊规格亦可订制。产品可用于饮水机,热水器,太阳能,空调,...
  • 接近开关也叫近接开关,又称无触点行程开关,它除可以完成行程控制和限位保护外,还是一种非接触型的检测装置,在各类开关中,一种对接近它物件"感知"能力的元件--位移传感器。利用位移传感器对接近物体的敏感...
  • 提出了一种基于桥臂基波平均开关函数MMC行为模型,相比于已有的以桥臂为基本建模单元MMC模型,该模型将MMC解锁运行状态与闭锁运行状态结合为一个整体,且模型主电路中只采用了受控电压源、不变电阻以及二极管...
  • 但这些电路并不像开关电源那样具有固定频率并使用驱动芯片和方波放大器去驱动DC/AC逆变器。电子镇流器是由串联或并联IC自谐振荡器构成,这样做原因许多,其中最重要一点是因为灯管在正弦电流驱动下很...
  • 在igbt得到大力发展之前,功率场效应管mosfet被用于需要快速开关的中低压场合,晶闸管、gto被用于中高压领域。mosfet虽然有开关速度快、输入...双极晶体管具有优异低正向导通压降特性,虽然可以得到高耐压、大容...

    在igbt得到大力发展之前,功率场效应管mosfet被用于需要快速开关的中低压场合,晶闸管、gto被用于中高压领域。mosfet虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是,在200v或更高电压的场合,mosfet的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加,使得其功耗大幅增加,存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性,虽然可以得到高耐压、大容量的元件,但是它要求的驱动电流大,控制电路非常复杂,而且交换速度不够快。

    igbt正是作为顺应这种要求而开发的,它是由mosfet(输入级)和pnp晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于mosfet与功率晶体管之间,可正常工作于几十khz频率范围内。基于这些优异的特性,igbt一直广泛使用在超过300v电压的应用中,模块化的igbt可以满足更高的电流传导要求,其应用领域不断提高,今后将有更大的发展。

    igbt的结构与特性:

    如图1所示为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, n+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极e)。n基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极g)。沟道在紧靠栅区边界形成。在c、e两极之间的p型区(包括p+和p-区,沟道在该区域形成),称为亚沟道区(subchannel region)。而在漏区另一侧的p+区称为漏注入区(drain injector),它是igbt特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极c)。

    7788f469ef6523f619333c097d2a0ab9.png

    图1 n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构

    igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给pnp(原来为npn)晶体管提供基极电流,使igbt导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使igbt关断。igbt的驱动方法和mosfet基本相同,只需控制输入极n-沟道mosfet,所以具有高输入阻抗特性。当mosfet的沟道形成后,从p+基极注入到n-层的空穴(少子),对n-层进行电导调制,减小n-层的电阻,使igbt在高电压时,也具有低的通态电压。

    igbt是由mosfet和gtr技术结合而成的复合型开关器件,是通过在功率mosfet的漏极上追加p+层而构成的,性能上也是结合了mosfet和双极型功率晶体管的优点。n+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极e);p+区称为漏区,器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极g)。沟道在紧靠栅区边界形成。在c、e两极之间的p型区(包括p+和p-区)(沟道在该区域形成)称为亚沟道区(subchannel region)。而在漏区另一侧的p+区称为漏注入区(drain injector),它是igbt特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态压降。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极c)。

    5e4b38f33844c1010e1fe7e3d03617de.png

    图2 igbt的结构

    igbt是由一个n沟道的mosfet和一个pnp型gtr组成,它实际是以gtr为主导元件,以mosfet为驱动元件的复合管。igbt除了内含pnp晶体管结构,还有npn晶体管结构,该npn晶体管通过将其基极与发射极短接至mosfet的源极金属端使之关断。igbt的4层pnpn结构,内含的pnp与npn晶体管形成了一个可控硅的结构,有可能会造成igbt的擎柱效应。igbt与mosfet不同,内部没有寄生的反向,因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。

    igbt的理想等效电路及实际等效电路如下图所示:

    943f4ada48ecc4f75ff54bbfa3c868b9.png

    图3 igbt的理想等效电路及实际等效电路

    由等效电路可将igbt作为对pnp双极晶体管和功率mosfet进行达林顿连接后形成的单片型bi-mos晶体管。

    因此,在门极-发射极之间外加正电压使功率mosfet导通时,pnp晶体管的基极-集电极就连接上了低电阻,从而使pnp晶体管处于导通状态,由于通过在漏极上追加p+层,在导通状态下,从p+层向n基极注入空穴,从而引发传导性能的转变。因此,它与功率mosfet相比,可以得到极低的通态电阻。

    此后,使门极-发射极之间的电压为0v时,首先功率mosfet处于断路状态,pnp晶体管的基极电流被切断,从而处于断路状态。

    如上所述,igbt和功率mosfet一样,通过电压信号可以控制开通和关断动作。

    igbt的工作特性:

    1.静态特性

    igbt 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

    igbt 的伏安特性是指以栅源电压ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压ugs 的控制,ugs 越高, id 越大。它与gtr 的输出特性相似,也可分为饱和区1 、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的igbt,正向电压由j2 结承担,反向电压由j1结承担。如果无n+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入n+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此,限制了igbt 的某些应用范围。

    igbt 的转移特性是指输出漏极电流id 与栅源电压ugs 之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时,igbt 处于关断状态。在igbt 导通后的大部分漏极电流范围内, id 与ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15v左右。

    igbt 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。igbt 处于导通态时,由于它的pnp 晶体管为宽基区晶体管,所以其b 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过mosfet 的电流成为igbt 总电流的主要部分。此时,通态电压uds(on) 可用下式表示:

    uds(on) = uj1 + udr + idroh

    式中uj1 —— ji 结的正向电压,其值为0.7 ~1v ;udr ——扩展电阻rdr 上的压降;roh ——沟道电阻。

    通态电流ids 可用下式表示:

    ids=(1+bpnp)imos

    式中imos ——流过mosfet 的电流。

    由于n+ 区存在电导调制效应,所以igbt 的通态压降小,耐压1000v的igbt 通态压降为2 ~ 3v 。igbt 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。

    1动态特性

    igbt在开通过程中,大部分时间是作为mosfet 来运行的,只是在漏源电压uds 下降过程后期, pnp晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td (on) tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。

    igbt的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和的情况。因为igbt栅极- 发射极阻抗大,故可使用mosfet驱动技术进行触发,不过由于igbt的输入较mosfet为大,故igbt的关断偏压应该比许多mosfet驱动电路提供的偏压更高。

    igbt的开关速度低于mosfet,但明显高于gtr。igbt在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。igbt的开启电压约3~4v,和mosfet相当。igbt导通时的饱和压降比mosfet低而和gtr接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。

    igbt的工作原理:

    igbt是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压bvdss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率mosfet具有rds(on)数值高的特征,igbt消除了现有功率mosfet的这些主要缺点。虽然最新一代功率mosfet 器件大幅度改进了rds(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比igbt 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低vce(sat)的能力,以及igbt的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化igbt驱动器的原理图。

    n沟型的igbt工作是通过栅极-发射极间加阀值电压vth以上的(正)电压,在栅极电极正下方的p层上形成反型层(沟道),开始从发射极电极下的n-层注入。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子,从集电极衬底p+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),所以可以降低集电极-发射极间饱和电压。工作时的等效电路如图1(b)所示,igbt的符号如图1(c)所示。在发射极电极侧形成n+pn-寄生晶体管。若n+pn-寄生晶体管工作,又变成p+n- pn+晶闸管。电流继续流动,直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。

    为了抑制n+pn-寄生晶体管的工作igbt采用尽量缩小p+n-p晶体管的电流放大系数α作为解决闭锁的措施。具体地来说,p+n-p的电流放大系数α设计为0.5以下。 igbt的闭锁电流il为额定电流(直流)的3倍以上。igbt的驱动原理与mosfet基本相同,通断由栅射极电压uge决定。

    导通

    igbt硅片的结构与功率mosfet 的结构十分相似,主要差异是igbt增加了p+ 基片和一个n+ 缓冲层(npt-非穿通-igbt技术没有增加这个部分),其中一个mosfet驱动两个双极器件。基片的应用在管体的p+和n+ 区之间创建了一个j1结。当正栅偏压使栅极下面反演p基区时,一个n沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率mosfet的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7v范围内,那么,j1将处于正向偏压,一些空穴注入n-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。最后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(mosfet 电流);空穴电流(双极)。uge大于开启电压uge(th)时,mosfet内形成沟道,为晶体管提供基极电流,igbt导通。

    导通压降

    电导调制效应使电阻rn减小,使通态压降小。

    关断

    当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入n-区内。在任何情况下,如果mosfet电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为换向开始后,在n层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。

    鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度、ic 和vce密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此,根据所达到的温度,降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的,尾流特性与vce、ic和 tc有关。

    栅射极间施加反压或不加信号时,mosfet内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,igbt关断。

    反向阻断

    当集电极被施加一个反向电压时,j1 就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向n-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个机制十分重要。另一方面,如果过大地增加这个区域尺寸,就会连续地提高压降。

    正向阻断

    当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时,p/nj3结受反向电压控制。此时,仍然是由n漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

    闩锁

    igbt在集电极与发射极之间有一个寄生pnpn晶闸管。在特殊条件下,这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加,对等效mosfet的控制能力降低,通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为igbt闩锁,具体地说,这种缺陷的原因互不相同,与器件的状态有密切关系。通常情况下,静态和动态闩锁有如下主要区别:

    式中imos ——流过mosfet 的电流。

    只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。

    为防止寄生npn和pnp晶体管的有害现象,有必要采取以下措施:一是防止npn部分接通,分别改变布局和掺杂级别;二是降低npn和pnp晶体管的总电流增益。

    此外,闩锁电流对pnp和npn器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下,p基区的电阻率会升高,破坏了整体特性。因此,器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例,通常比例为1:5。

    展开全文
  • MAX11410为低功耗、多通道、24位Δ-ΣADC,特性和指标优化用于高 传感器测量。...GPIO减少隔离元件,非常容易控制开关或其它电路。 单周期模式下,数字滤波器在单个转换周期内保持稳定。提供FIR
  • 接近开关也叫近接开关,又称无触点行程开关,它除可以完成行程控制和限位保护外,还是一种非接触型的检测装置,在各类开关中,一种对接近它物件"感知"能力的元件--位移传感器。利用位移传感器对接近物体的敏感...
  • lm2596LM2596开关

    2013-04-26 21:02:49
    LM2596开关电压调节器是降压型电源管理单片集成电路,能够输出3A驱动电流,同时具有很好线性和 负载调节特性。固定输出版本3.3V、5V、12V, 可调版本可以输出小于37V各种电压。 该器件内部集成频率补偿和...
  • 可行性:用过三极管人都清楚,三极管一个特性,就是饱和状态与截止状态,正是因为了这两种状态,使其应用于开关电路成为可能。 必要性:假设我们在设计一个系统电路中,有些电压、信号等等需要在系统运行...
  • LM2596开关电压调节器是降压型电源管理单片集成电路,能够输出3A驱动电流,同时具有很好线性和 负载调节特性。固定输出版本3.3V、5V、12V, 可调版本可以输出小于37V各种电压。 该器件内部集成频率补偿和...
  • 晶体管是放大电路核心元件,既具有电流放大能力,同时又是理想无触点开关元器件。 晶体管结构 晶体管图形符号2.晶体管识别(1)晶体管外形识别 常用晶体管外形及特点 常用晶体管外形及特点(续) ...

    1.晶体管简介

    晶体管俗称三极管,它的工作状态有三种,即放大、饱和、截止。晶体管是放大电路的核心元件,既具有电流放大能力,同时又是理想的无触点开关元器件。

    9d85b23bc82f292eb92d4e485fc28580.png

     晶体管的结构

    9cb835327eeb4c72ee70853179cd7355.png

     晶体管的图形符号

    2.晶体管的识别

    (1)晶体管的外形识别

    30415b561f045b1ba77cba71a9728bef.png

     常用晶体管的外形及特点

    8ef11e8c87dc14590469754eae921217.png

     常用晶体管的外形及特点(续)

    9b046da7ff5e025b191a32ed7f29e38f.png

     常用晶体管的外形及特点(续)

    36eb2ab913d6c5344e13b9ababb0cb5a.png

     带阻尼晶体管

    60213fc025aafb2528f716ebd5418779.png

     达林顿管

    6da63f895507ed022151c89ec521bf42.png

     带阻晶体管

    eb41d99b6003f83bb0bf41a1e524528f.png
    3968c68a2ed47c4b4e23415d0fa14742.png
    146380e276f64339180f50e0ad5a6d9a.png

     国产小功率金属封装晶体管引脚排列

    1f710b10b439c615b4aba7d7a33edbd4.png

     国产小功率塑封晶体管引脚排列

    de932b93a5773477751d9325b8c53a5f.png

     国产大功率金属 封装晶体管的引脚排列

    5c2e006f24dbea44c897eed4dad0f933.png

     进口晶体管引脚排列

    3ffd8604278724829a7e649c3239a51d.png

     三个电极的贴片 晶体管引脚排列

    a5bf56ce7f330d7ea361f811ca4f8a69.png

     四个电极的贴片 晶体管引脚排列

    c8efcffdad2ed90e6011266b30ff00ef.png

     用色点表示β值

    d24d71bc36c5af448ca6566db2258845.png

     色点与β值的对应关系

    3.晶体管的检测

    利用万用表不仅能判定晶体管的电极、测量管子的电流放大系数hFE,还可以鉴别硅管与锗管。

    8d33a165f8c98342b48a09d00f291b08.png

     晶体管C、E极的判定

    场效应晶体管识别与应用

    1.场效应晶体管简介

    场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,所以又称之为电压控制型器件。因它具有很高的输入电阻,能满足高内阻信号源对放大电路的要求,所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点,因而得到了广泛的应用。

    0dbe21a94ee13547f6c39efa9fae4125.png

     结型场效应晶体管的结构

    b0f4fc7ca41eb01ea19612849102e226.png

     绝缘栅型场效应晶体管的结构

    fdeffcb6aadf5a370df88f6225dc916e.png

     VDMOS的截止

    ce49bc6b40c278ae8a1e720bd152a652.png

     VDMOS的导通

    2.场效应晶体管的识别

    (1)场效应晶体管的电气符号识别

    54506b0d43ec7138e0eb8e9cbb6da8ed.png

     场效应晶体管的电气符号

    0974caa7eb5401d6e68092336aa8d6db.png

     场效应晶体管的引脚排列

    3.场效应晶体管的检测

    (1)结型场效应晶体管的检测

    e0382b7892da7dd4b8e75d13346a15ba.png

     常用场效应晶体管引脚顺序

    晶闸管识别与应用

    1.晶闸管简介

    晶闸管是晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器,以前被简称为可控硅。晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性,但它的导通是可控的。

    cd50de5c4f1657a32ebcef4449a48794.png

     晶闸管的基本结构和符号

    2.晶闸管的识别方法

    (1)晶闸管的外形

    7efdf935664f3f9e146c11d1821b7eb9.png

     常用晶闸管的外形

    5be1e0c210568216e68d13d1c94129bd.png

     晶闸管的电气符号

    6e80b778c6d3b414d8388df88a79f902.png

     单向晶闸管的引脚排列

    e51f2a607452ff285e1df2141dfcfa7d.png

     双向晶闸管的引脚排列

    3.晶闸管的检测

    (1)单向晶闸管的检测

    feae976e7170195bd0017f604aed5144.png

     晶闸管极间阻值的测量

    360d522125f0deede08e78c529ec9112.png

     晶闸管导通特性测量示意图

    c71759d991349f1edd48238e035b027f.png

     测量小功率单向晶闸管的触发能力

    9ba79cd75210eee55ee91d4e126fc698.png

     测量大功率单向晶闸管的触发能力

    fb3264049edd926d3bcb3e196089982b.png

     双向晶闸管的检测

    8bdeb377b9999bc772473afe2b082b14.png

     逆导晶闸管的检测

    3ac30bfce51cc17e2f5aab3737c2729a.png

     S3900MF型逆导晶闸管测试结果

    30c5127436a7982dbb58124d7d630060.png

     光控晶闸管测试电路

    展开全文
  • SSR是固态继电器简称,固态继电器一种无机械触点电子开关元件,它具有控制灵活,可靠性高,寿命长,在通与断时间不会产生电火花,无噪声,开关速度快,工作频率高,抗干扰能力强等优点,SSR另一个特点是驱动...
  • 它是由PNPN四层半导体构成的元件,三个电极、阳极A、阴极K和控制极G,晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及...

    晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G,晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

      可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身影.

      可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.

      一、晶闸管的种类

      晶闸管有多种分类方法。

      (一)按关断、导通及控制方式分类

      晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。

      (二)按引脚和极性分类

      晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。

      (三)按封装形式分类

      晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

      (四)按电流容量分类

      晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。

      (五)按关断速度分类

      晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。

     二、晶闸管的工作条件:

      1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

      2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

      3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

      4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。

     三、晶闸管的电路符号

    47dd6641f0e8d410b72231752e291fde.png

    a3e7b1b572b993e444d2cc1dcb643d8e.png
    各种晶闸管图片
    展开全文
  • SSR是一种全部由固态电子元件组成无触点开关元件,他利用电子元器件点,磁和光特性来完成输入与输出可靠隔离,利用大功率三极管,功率场效应管,单项可控硅和双向可控硅等器件的开关特性,来达到无触点,无...
  • SSR是一种全部由固态电子元件组成无触点开关元件,他利用电子元器件点,磁和光特性来完成输入与输出可靠隔离,利用大功率三极管,功率场效应管,单项可控硅和双向可控硅等器件的开关特性,来达到无触点,无...
  • 用稳压二极管构成稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大场合。图3可使原稳压二极管稳定电流及动态电阻范围得到较...
  • (1)电流分配 ... 调节漏电感,使它能具有很快的开关时间,很低交叉损耗,就能使它达到很高效率。这种变压器副边绕组和原边绕组之间匝间传导损耗是很小。  (4)高功率密度  因为平
  • 它由一个变容压力传感器元件、一个温度传感元件和一个界面电路(具有唤醒功能)组成,所有这三个元件都在单块芯片中。  MPXY8020A封装在超级小尺寸封装(SSOP)中,SSOP带介质保护过滤器。为了达到胎压监视系统低...
  • 是一种全部由固态电子元件组成无触点开关元件,它利用电子元器件电、磁和光特性来完成输入与输出隔离,利用大功率三极管,功率场效应管,单向可控硅或双向可控硅等器件的开关特性,来达到无触点,无火花地接通...
  • MC13783 PMUI IC在单个器件中装进了多种系统,具有空前设计自由度和降低了元件数量。各种系统级模块统一整理简化了设计,助于以可竞争价格点推动产品上新高度。 Freescale PMUI包括完整音频系统,电池充电...
  • 限流方式由于其具有电流下垂特性,故障解除后开关电源能自动恢复工作,因此,得到比较广泛应用。 限流保护电路首先要一个电流取样环节,目前,一般做法是串联一个小电阻或者是用霍尔元件来获得电流信号。当...
  • 压敏电阻:一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。 气体放电管:气体放电管指作过电压保护用的避雷管或天线开关管一类,管内二个或多个电极,...

    1、相関概念

    TVS管:瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。

    压敏电阻:一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。

    气体放电管:气体放电管指作过电压保护用的避雷管或天线开关管一类,管内有二个或多个电极,充有一定量的惰性气体。气体放电管是一种间隙式的防雷保护元件,它用在通信系统的防雷保护。

    2、反应时间

    TVS管>压敏电阻>气体放电管

    TVS管为皮秒级,压敏电阻为纳秒级,气体放电管通常为几十个纳秒甚至更多。

    3、通流能力

    气体放电管>压敏电阻>TVS管

    TVS管通常只有几百A,压敏电阻按不同规格可通过数KA到数十KA的单次8/20uS浪涌电流,气体放电管来说通常十KA级别8/20uS浪涌电流可导通数百次。

    4、放电原理

    TVS管基于二极管雪崩效应,压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用,而气体放电管则是基于气体击穿放电。

    5、承压能力

    TVS管通常为5.5V到550V,压敏电阻从10V到9000V,气体放电管从75V到3500V。

    展开全文
  • 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列...

空空如也

空空如也

1 2 3
收藏数 51
精华内容 20
关键字:

具有开关特性的元件有