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  • 具有记忆功能的单元电路
    2019-09-26 11:06:00

    组合逻辑电路的基本单元是门电路

    时序逻辑(具有记忆功能)电路的基本单元是触发器

    触发器定义:

      能够记忆一位二值信号地基本逻辑电路。也是构成时序电路的基本单元电路

    触发器特点:

      具有俩个能自行保持的稳定状态,1态和0态;根据不同的输入信号可以置成1或0状态;输入信号消失后获得的新状态能够自动保持下来。

    触发分类:

      电路结构的不同:基本触发器,同步触发器(比基本触发器多了cp控制信号,实现了只能在时钟信号到达时,输入信号才起作用),主从触发器(俩个同步触发器组成,一个主触发器一个从触发器,cp控制用非门连接,解决了空翻问题),边沿触发器

      逻辑功能不同:RS触发器,JK触发器,D触发器,T触发器和T‘触发器

      存储数据的原理不同:静态触发器和动态触发器;静态触发器是依靠电路状态的自锁(反馈)存储数据,动态触发器是通过mos管栅极输入电容中存储电荷来存储数据

      稳定状态的特点:双稳态触发器,单稳态触发器

     

    转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7774261.html

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  • 用单片机实现0 ~ 99s的计时,将计时实时显示在LCD上,并用24C02实现掉电记忆。 仿真原理图如下: C语言代码如下: /*------------------------ FileName: clock.h Function: 头文件 Author: Zhang Kaizhou ...

    项目描述:
    用单片机实现0 ~ 99s的计时,将计时实时显示在LCD上,并用24C02实现掉电记忆。
    仿真原理图如下:
    在这里插入图片描述
    C语言代码如下:

    /*------------------------
    FileName: clock.h
    Function: 头文件
    Author: Zhang Kaizhou
    Date: 2019-6-12 18:07:29
    ------------------------*/
    #include <reg52.h>
    #include <intrins.h>
    #include <string.h>
    #define uchar unsigned char
    #define uint unsigned int
    	
    /*IIC总线端口定义*/
    sbit SDA = P2^0;
    sbit SCL = P2^1;
    
    /*LCD1602显示模块端口定义*/
    sbit lcdrs = P1^2;
    sbit lcdrw = P1^3;
    sbit lcden = P1^4;
    
    /*主函数模块函数声明*/
    void writeData24C02(uchar address, uchar dat);
    void readData24C02(uchar address, uchar * dat);
    void checkData(uchar * dat);
    void timerInit();
    
    /*IIC总线模块函数声明*/
    void initIIC();
    void startIIC();
    void responseIIC();
    void stopIIC();
    void writeDataIIC(uchar dat);
    void readDataIIC(uchar * dat);
    
    /*LCD1602显示模块函数声明*/
    void LCDInit();
    void display(uchar dat1, uchar dat2);
    void writeCommand(uchar command);
    void writeDataLCD(uchar dat);
    void delay(uchar xms);
    
    /*--------------------------------------------
    FileName: main.c
    Function: 用单片机实现0 ~ 99s的计时,
    将计时实时显示在LCD上,并用24C02实现掉电记忆;
    Author: Zhang Kaizhou
    Date: 2019-6-12 18:06:18
    --------------------------------------------*/
    #include "clock.h"
    
    /*定义全局变量*/
    uchar second = 0, count = 0;
    bit flag = 0;
    
    void main(){
    	LCDInit();
    	initIIC();
    	readData24C02(1, &second); // 通过IIC总线将24C02的第1个存储单元中的数据读取到变量second中
    	checkData(&second); // 首次读取数据时,原来芯片中的数据可能超过100(非法数据)
    	timerInit();
    	TR0 = 1; // 开始计时
    	while(1){
    		display(second / 10, second % 10);
    		if(flag){
    			flag = 0;
    			writeData24C02(1, second);
    		}
    	}
    }
    
    /*向24C02的任意地址address处写入数据dat*/
    void writeData24C02(uchar address, uchar dat){
    	startIIC();
    	writeDataIIC(0xa0); // 向IIC总线发送寻址信号,并声明要进行写操作
    	responseIIC();
    	writeDataIIC(address);
    	responseIIC();
    	writeDataIIC(dat);
    	responseIIC();
    	stopIIC();
    }
    
    /*从24C02的任意地址address处读出数据到变量dat*/
    void readData24C02(uchar address, uchar * dat){
    	startIIC();
    	writeDataIIC(0xa0);
    	responseIIC();
    	writeDataIIC(address);
    	responseIIC();
    	startIIC();
    	writeDataIIC(0xa1); // 向IIC总线发送寻址信号,并声明要进行读操作
    	responseIIC();
    	readDataIIC(dat);
    	stopIIC();
    }
    
    /*检测从24C02读取的数据是否合法*/
    void checkData(uchar * dat){
    	if((* dat) > 100){
    		* dat = 0;
    	}
    }
    
    /*timer初始化*/
    void timerInit(){
    	TMOD = 0x01; // timer0 定时模式 工作方式1(16位定时器)
    	TH0 = (65536 - 46080) / 256; // 系统晶振为11.0592MHz,定时50ms
    	TL0 = (65536 - 46080) % 256;
    	ET0 = 1; // 开定时器0溢出中断
    	EA = 1; // 开全局中断
    }
    
    /*timer0溢出中断服务程序*/
    void timer0Service() interrupt 1{
    	TH0 = (65536 - 46080) / 256; // 重装初值
    	TL0 = (65536 - 46080) % 256;
    	count++;
    	if(count == 20){ // 50ms * 20 = 1s
    		count = 0;
    		second++;
    		flag = 1;
    		if(second == 100){ // 0 ~ 99s
    			second = 0;
    		}
    	}
    }
    
    /*------------------------------
    FileName: IIC.c
    Function: 实现IIC总线的基本操作
    Author: Zhang Kaizhou
    Date: 2019-6-12 18:08:47
    ------------------------------*/
    #include "clock.h"
    
    /*IIC总线初始化*/
    void initIIC(){
    	SCL = 1;
    	_nop_();
    	SDA = 1;
    	_nop_();
    }
    
    /*IIC总线启动信号*/
    void startIIC(){ // 在SCL高电平期间,SDA产生一个下降沿表示启动
    	SDA = 1;
    	_nop_();
    	SCL = 1;
    	_nop_();
    	SDA = 0;
    	_nop_();
    }
    
    /*IIC总线应答信号*/
    void responseIIC(){ // 从机在SCL高电平期间将SDA拉低表示应答
    	SDA = 0;
    	_nop_();
    	SCL = 1;
    	_nop_();
    	SCL = 0;
    	_nop_();
    }
    
    /*IIC总线停止信号*/
    void stopIIC(){ // 在SCL高电平期间,SDA产生一个上升沿表示停止
    	SDA = 0;
    	_nop_();
    	SCL = 1;
    	_nop_();
    	SDA = 1;
    	_nop_();
    }
    
    /*向IIC总线写一个字节数据*/
    void writeDataIIC(uchar dat){
    	uchar i, temp;
    	temp = dat;
    	for(i = 0; i < 8; i++){
    		temp = temp << 1;
    		SCL = 0;
    		_nop_();
    		SDA = CY;
    		_nop_();
    		SCL = 1;
    		_nop_();
    	}
    	SCL = 0;
    	_nop_();
    	SDA = 1;
    	_nop_();
    }
    
    /*从IIC总线读一个字节数据*/
    void readDataIIC(uchar * dat){
    	uchar i;
    	SCL = 0;
    	_nop_();
    	SDA = 1;
    	_nop_();
    	for(i = 0; i < 8; i++){
    		SCL = 1;
    		_nop_();
    		* dat = ((* dat) << 1) | SDA;
    		SCL = 0;
    		_nop_();
    	}
    }
    
    /*-----------------------------
    FileName:display.c
    Function: LCD1602显示函数
    Author: Zhang Kaizhou
    Date: 2019-6-12 18:09:16
    ------------------------------*/
    #include "clock.h"
    
    uchar code table0[] = {"Timekeeping"};
    uchar code table1[] = {"Time:"};
    uchar code table2[] = {"0123456789"};
    uchar num = 0;
    
    /*初始化LCD1602的设置*/
    void LCDInit(){
    	uchar i;
    	lcden = 0; // 拉低使能端,准备产生使能高脉冲信号
    	writeCommand(0x38); // 显示模式设置(16x2, 5x7点阵,8位数据接口)
    	writeCommand(0x0c); // 开显示,不显示光标
    	writeCommand(0x06); // 写一个字符后地址指针自动加1
    	writeCommand(0x01); // 显示清零,数据指针清零
    	
    	/*LCD上电界面*/
    	writeCommand(0x80); // 将数据指针定位到第一行首
    	for(i = 0; i < strlen(table0); i++){
    		writeDataLCD(table0[i]);
    		delay(5);
    	}
    	
    	writeCommand(0x80 + 0x40); // 将数据指针定位到第二行首
    	for(i = 0; i < strlen(table1); i++){
    		writeDataLCD(table1[i]);
    		delay(5);
    	}
    }
    
    /*LCD显示函数*/
    void display(uchar dat1, uchar dat2){
    	writeCommand(0x80 + 0x40 + strlen(table1));
    	writeDataLCD(table2[dat1]);
    	delay(5);
    	writeCommand(0x80 + 0x40 + strlen(table1) + 1);
    	writeDataLCD(table2[dat2]);
    	delay(5);
    }
    
    /*写指令函数*/
    void writeCommand(uchar command){
    	lcdrs = 0; // 命令选择
    	lcdrw = 0;
    	P0 = command;
    	delay(5);
    	
    	lcden = 1; // 产生一个正脉冲使能信号
    	delay(5);
    	lcden = 0;
    }
    
    /*写数据函数*/
    void writeDataLCD(uchar dat){
    	lcdrs = 1; // 数据选择
    	lcdrw = 0;
    	P0 = dat;
    	delay(5);
    	
    	lcden = 1;
    	delay(5);
    	lcden = 0;
    }
    
    /*延时xms函数*/
    void delay(uchar xms){
    	uchar i, j;
    	for(i = xms; i > 0; i--)
    		for(j = 110; j > 0; j--);
    }
    
    展开全文
  • 原标题:存储器是计算机实现记忆功能的一个重要组成部分内存储器又称之为主存储器(Main memory),用来存放计算机当前正在执行的程序和数据,也就是说,计算机执行的所有程序和操作的数据都要先调入内存。...

    原标题:存储器是计算机实现记忆功能的一个重要组成部分

    内存储器又称之为主存储器(Main memory),用来存放计算机当前正在执行的程序和数据,也就是说,计算机执行的所有程序和操作的数据都要先调入内存。因此,内存的工作速度和存储容量对系统的整体性能、系统所能解决问题的规模和效率都有很大的影响。内存是采用大规模集成电路制成的半导体存储器,可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM两种。

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    RAM中的信息可随机地读出或写入,但信息不能持久保存,一旦关机(断电)后,RAM中的信息不再保存。随机存取存储器所采用的存储单元工作原理的不同又分为静态随机存储器SRAM和静态随机存储器DRAM。SRAM采用稳态电路(如触发器)作为存储单元,在正常工作状态下信息存入,能够稳定保持,可供多次读取,存取速度比DRAM快,但因单元电路比较复杂,集成度比DRAM低,价格也较高。DRAM采用电容的充电原理电路作为存储单元,其结构非常简单,集成度高,价格低,但在正常工作状态下,为使写入的信息保持不变,需要定期刷新。主存储器一般采用动态存储器DRAM。

    8f903335155bdec065eec72036623825.png

    只读存储器在正常工作状态下,只能从中读数据,不能快速地随时改写或重写数据。ROM中的信息断电后不会丢失。因此,ROM常用来存放一些固定的程序或信息,如自检程序、配置信息等。只读存储器中又有掩膜ROM、可编程ROM、可擦可编程ROM等几种。掩膜ROM中的数据在制作时一次写入,用户无法更改。PROM中的数据可以由用户根据自己的需要写入,但一次写入以后就不能再修改了。EPROM中的数据不但可以由用户根据自己的需要写入,而且可以擦除重写,所以具有更大的使用灵活性。

    责任编辑:

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  •  DS3645的主要特征之一是片内的加密密钥存储器,该存储器由32个128字节单元组成,具有高速、直接清除功能。4KB密钥存储器在后台持续补偿,以消除记忆印迹。确定出现篡改事件后,密钥存储器将被快速彻底的清除,并且...
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  • 数字电路-半导体存储电路

    千次阅读 2020-01-04 18:29:38
    本章将系统介绍各种半导体存储电路的结构、工作原理和使用方法。首先介绍基本的存储单元,然后介绍由这些存储单元组成的寄存器和随机存储器,包括静态随机存储器和动态随机存储器。最后还将介绍各种只读存储器。

    摘要:本节将系统介绍各种半导体存储电路的结构、工作原理和使用方法。首先介绍基本的存储单元,然后介绍由这些存储单元组成的寄存器和随机存储器,包括静态随机存储器和动态随机存储器。最后还将介绍各种只读存储器。

    基本概念

    存储单元:存储一位数据的电路。可分为静态存储单元动态存储单元两大类。静态存储单元由门电路连接而成,其中包括各种电路结构形式的锁存器触发器,只要保持通电,静态存储单元的状态会一直保持下去。动态存储单元则是利用电容的电荷存储效应来存储数据的,由于电容存储的电荷会随着时间的推移逐渐泄露,必须定期地进行“刷新”,才能保证数据不会丢失。

    寄存器:存储一组数据的电路,由N个触发器构成。

    存储器:存储大量数据的电路。存储器种类虽然很多,但它们的基本结构形式都是由存储矩阵读/写控制电路两部分组成的。从存储功能上讲,可分为随机存储器(Random Access  Memory,简称RAM)和只读存储器(Read Only Memory ,简称ROM)两大类。随机存储器又分成静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)两类。只读存储器有掩模ROM可编程ROM(PRAM)和可擦除可编程ROM(EPRAM)等几类。

    SR锁存器

    SR锁存器(Set-Reset Latch)是静态存储单元当中最基本、也是电路结构最简单的一种。通常它由两个或非门或者与非门组成。图1给出了两个由或非门组成的SR锁存器电路。

    图1 用或非门组成的锁存器

    工作原理

    • S_{D}=1,R_{D}=0时,Q=1,Q^{'}=0  (定义为1状态)
    • S_{D}=0,R_{D}=0时,输出保持
    • S_{D}=0,R_{D}=1时,Q=0,Q^{'}=1(定义为0状态)
    • S_{D}=1,R_{D}=1时,Q=0,Q^{'}=0。约束条件:S_{D}R_{D}=0

    S_{D}=1,R_{D}=1时,Q=0,Q^{'}=0,这既不是定义的1状态,也不是定义的0状态。而且,在S_{D}R_{D}同时回到0以后无法断定锁存器将回到1状态还是0状态。因此,在正常工作时输入信号应遵守S_{D}R_{D}=0的约束条件。

    用与非门构成的SR锁存器分析略。

    触发器

    为协调各部分的工作,常常要求某些电路同时工作。所以需要一个同步信号(触发信号)叫做时钟信号(CLOCK),简称时钟,用CLK表示。触发信号的工作方式可以分为电平触发边沿触发脉冲触发三种。

    电平触发的触发器

    电路结构和逻辑符号

    图2 电平触发SR触发器

    工作原理

    图3 电平触发SR触发器的特性表

    当CLK=0,输出保持。当CLK=1,输出随S、R变而变,故称电平触发。

    预置功能

    在某些应用场合,有时需要在CLK的有效电平到达之前预先将触发器置成指定状态,为此,在实际电路上往往还设置有异步置1输入端S_{D}^{'}和异步置零输入端R_{D}^{'},如图4所示。

    图4 带异步置位、复位端的电平触发SR触发器

    电平触发方式的动作特点

    1. 当CLK=0,输出保持; 当CLK=1,输出随S、R变而变。
    2. 在CLK=1的全部时间里,S和R状态的变化都可能引起输出状态的改变。在CLK回到0后,触发器保存的是CLK回到0以前瞬间的状态。

    根据上述的动作特点可以想象,如果在CLK=1期间S、R的状态多次发生变化,那么触发器输出的状态也将发生多次翻转,这就降低了触发器的抗干扰能力。

    图5 出错示例

    D触发器

    为了满足约束条件S_{D}R_{D}=0,以及单端输入信号的需求,在一些集成电路产品中把图2的电路改成了图6的形式,得到了电平触发的D触发器。

    图6 D触发器电路结构及特性表

    边沿触发的触发器

    为了提高触发器的可靠性,增强抗干扰能力,希望触发器的次态仅仅取决于CLK信号下降沿(或上升沿)到达时刻输入信号的状态。人们相继研制成了各种边沿触发(edge-triggered)的触发器电路。

    目前边沿触发器有利用电平触发的D触发器构成的边沿触发器维持阻塞触发器利用门电路传输延迟时间的边沿触发器几种。

    电平触发器构成的边沿触发器

    图7是用两个电平触发D触发器组成边沿触发D触发器的原理性框图,目前在CMOS集成电路中主要采用这种电路结构形式制作边沿触发器。

    图7 边沿触发D触发器原理性框图
    图8 实际的CMOS边沿D触发器

    工作原理

    • CLK=0时,FF1开通,Q1随D变而变, FF2保持;
    • CLK=↑时,FF1保持, FF2开通,Q=Q1;
    • CLK=1时,FF1保持, FF2开通,不变。

    动作特点

    1. Q的变化发生在CLK的上升沿或下降沿
    2. Q*仅取决于CLK边沿时的输入信号,而与之前、后的状态无关。

    带异步置位和复位功能的CMOS边沿触发的D触发器

    分析略

    图9 带异步置位和复位功能的CMOS边沿触发的D触发器

    脉冲触发的触发器

    为了提高触发器工作的可靠性,希望在每一个CLK周期里输出端的状态只能改变一次。在电平触发器的基础上又设计出了脉冲触发器(也称主从触发器)。

    主从SR触发器

    图10 脉冲触发的SR触发器

    工作原理-总结

    1. 当CLK=1时,G7 、G8门被打开,主触发器状态翻转,G3 、G4门被封锁,从触发器状态保持;
    2. 当CLK=↓时,G7 、G8门被封锁,主触发器状态保持,G3 、G4门被打开,从触发器状态翻转;
    3. 当CLK=0时,G7 、G8门被封锁,主触发器状态保持,G3 、G4门被打开,从触发器状态不变;

    总结:脉冲触发一时钟周期内只翻转一次,翻转发生在CLK下降沿↓的时候。

    图11 脉冲触发的SR触发器的特性表

    缺点:

    1. CLK=1期间内,Qm的状态仍然会随着S、R变化而变化。
    2. 仍要遵守 SR=0的约束条件

    主从JK触发器

    主从SR触发器仍要遵守 SR=0的约束条件,否则在S_{D}R_{D}同时回到0后,无法确定触发器的次态。为了解除这一约束,如果我们规定当输入S=R=1时,触发器的次态为初态的反状态,即Q*=Q',这样触发器的次态也能确定了。不难想象,在SR触发器的基础上,如果当S=R=1时,将Q和Q'的接回到输入端,用Q'代替S端的输入,用Q代替R端的输入,就可以实现上述要求了。

    图12 正脉冲触发的JK触发器

    满足约束条件:SR=JQ’KQ=0。

    图13 脉冲触发的JK触发器的特性表

    触发器按逻辑功能的分类

    SR触发器

            凡在CLK作用下逻辑功能符合下述特性表的触发器都属于SR触发器

    图14 SR触发器特性表

    特征方程

                                                                                          \left\{\begin{matrix} Q^{'}=S+R^{'}Q\\ SR=0 \end{matrix}\right.

    JK触发器

            凡在CLK作用下逻辑功能符合下述特性表的触发器都属于JK触发器

    图15 JK触发器特性表

    特征方程

                                                                                    Q^{'}=JQ^{'}+K^{'}Q

    T和T’触发器触发器

            具有保持和翻转功能的触发器称T触发器

    图16 T触发器特性表

    特征方程

                                                                               Q^{*}=TQ^{'}+T^{'}Q=T\oplus Q

    D触发器

            凡在CLK作用下逻辑功能符合下述特性表的触发器都属于D触发器

    图17 D触发器特性表

    特征方程

                                                                                          Q^{*}=D

    不同功能触发器的相互转换

    1. JK触发器的功能最强,包含了SR、D、T触发器所有的功能;
    2. 目前生产的触发器定型的只有D和JK触发器;
    3. 可用JK和D触发器实现其它功能触发器。

             D - JK,T,T’

            JK-D,T,T’

    触发器的动态特性

    建立时间t_{su}:输入信号先于CLK动作沿到达时间。

    保持时间t_{h}:CLK动作沿到达后输入信号仍需保持不变的时间。

    传输延迟时间t_{pd}:CLK动作沿开始到输出新稳态所建立时间。

    最高时钟频率:触发器在连续、重复翻转的情况下,时钟信号可以达到的最高重复频率。

    集成电路触发器产品的动态参数往往需要通过实验来测定。

    寄存器

    功能:用于存储一组二值代码的电路。一个触发器存储一位二值信号,N个触发器组成的N位寄存器,存储N位二值信号。

    结构:输入输出直接引出。

    实现:只要求有置1和置0功能的触发器都可以实现。

    示例

    图18 74LS75和74HC175逻辑图

    存储器

    功能:一种能存储大量二值信息(二值数据)的半导体器件。

    结构:利用地址码分配输入输出。

    分类:按存取方式:只读存储器ROM(Read Only  Memory)和随机存取存储器RAM(Random Access Memory)。按半导体器件:双极型MOS型

    静态随机存储器(SRAM)

    电路结构:SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。如图19所示。

    图19 SRAM电路结构框图

     

    图20 1024*4位 SRAM结构框图

    静态存储单元

    静态存储单元是在SR锁存器的基础上附加门控管而构成的,图21是用六只MOS管组成的CMOS静态存储单元。分析略。

    图21 6管CMOS静态存储单元

    动态随机存储器( DRAM )

    静态RAM存储单元所用的管子多,功耗大,集成度受到限制,为了克服这些缺点,人们研制了动态RAM。动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容存储效应。由于漏极电流的存在,电容上存储的数据不能长久保存,因此必须定期给电容补充电荷,以避免存储数据的丢失,这种操作称为再生或刷新。

    图22 单管动态MOS存储单元

    只读存储器ROM

    在存储器的某些应用场合中,要求存储的是一些固定不变的数据。正常工作状态下,这些数据只供读出使用,不需要随时修改,为了适应这种需求,又产生了另外一种类型的存储器-只读存储器。

    电路结构与原理

    ROM的的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲区三个组成部分,如图23所示。存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以用二极管构成,也可以用双极型三极管或MOS管构成。地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号,利用这个控制信号从存储矩阵中将指定的单元选出,并把其中的数据送到输出缓冲器。输出缓冲器的作用有两个,一是能提高存储器的带负载能力,二是实现对输出状态的三态控制,以便于系统的总线连接。

    图23 ROM的电路结构框图
    图24 二极管ROM的电路结构图
    图25 用MOS管构成的存储矩阵

    ROM的分类

    掩模ROM(Mask ROM)

    只读存储器(Read-Only Memory)是一种只能读取资料的存储器。在制造过程中,将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中,其资料内容在写入后就不能更改,所以有时又称为“光罩式只读内存”(mask ROM)。此内存的制造成本较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。

    可编程只读存储器(PROM)

    可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次。 PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用 户可以将其中的部分单元写入1), 以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原 先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还 是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。

    可抹除可编程只读存储器(EPROM)

    可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

    一次编程只读存储器(OTPROM)

    一次编程只读存储器(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)之写入原理同EPROM,但是为了节省成本,编程写入之后就不再抹除,因此不设置透明窗。

    电子式可抹除可编程只读存储器(EEPROM)

    电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。

    快闪存储器(Flash memory)

    快闪存储器(Flash memory)的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”,利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。

    存储容量的扩展

    当一片ROM或RAM不能满足存储容量要求时,就需要将ROM或RAM组合起来,组成一个容量更大的存储器。有位扩展和字扩展两种方法。

    位扩展方式:地址线共用,而数据线并行使用。

    图26 位扩展方式

    字扩展方式:数据线共用,地址线扩展。

    图27 字扩展方式

    用存储器实现组合逻辑电路

    一个存储器在填入数据后可以看做一个真值表,即等价于一个逻辑函数。

    参考链接

    《数字电子技术基础》(第六版)高等教育出版社
    https://wenku.baidu.com/view/b65eb61f5ebfc77da26925c52cc58bd6308693d8.html
    https://wenku.baidu.com/view/e2d822440166f5335a8102d276a20029bd64633d.html
    https://wenku.baidu.com/view/5026871e844769eae109ed0d.html
    https://www.diangon.com/wenku/rd/danpianji/201505/00023800.html
    https://baike.baidu.com/item/ROM/12424911

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