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  • 随机存储器ram特点

    2020-07-20 16:52:46
    本文主要介绍了一下关于随机存储器ram特点
  • 存储器RAM ROM FLASH介绍

    千次阅读 2016-01-17 20:33:18
    RAM ROM Flash ...ROM和RAM指的都是半导体存储器, 1.1 ROM-(Read Only Memory) 1.1.1 特点 ROM掉电保持数据。 1.1.2 ROM分类 1. PROM(可编程的ROM):PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法

    RAM ROM Flash

    本文介绍存储分类。

    关键词 单片机内存 RAM ROM FLASH

    1.ROM和RAM指的都是半导体存储器,

    1.1     ROM-(Read Only Memory

    1.1.1  特点

    ROM掉电保持数据。

    1.1.2  ROM分类

    1.       PROM(可编程的ROM):PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了

    2.       EPROM(可擦除可编程ROM):EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。

    3.       EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。

    1.2     RAM-(Random Access Memory)

    1.2.1  特点

    RAM掉电丢失数据。

    1.2.2  RAM分类(两大类)

    1.       静态RAM(StaticRAM/SRAM)

    SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

    2.       动态RAM(DynamicRAM/DRAM)

    DRAM需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

    DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的,典型的RAM就是计算机的内存。内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即 DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

    具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储 的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会 放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量 小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性 

     

    2. FLASH存储器又称闪存

    2.1     特点

    它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 (NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

    2.2     Flash分类

    目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash

    1.        NOR Flash

    NOR Flash 块擦出写入,随机读取。

    NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

    2.        NAND Flash

    NAND Flash 块擦出写入,块读取。

    NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

    一般小容量的用NORFlash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应 用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

    2.3     NAND Flash和NOR Flash的比较

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。

    NAND Flash存储器"经常可以与"NORFlash互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于 NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

    NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般 只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的 接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。在1~4MB的小 容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。

    1.       性能比较:

    flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 1。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反, 擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其 是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素:

    l  NOR的读速度比NAND稍快一些;

    l  NAND的写入速度比NOR快很多;

    l  NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快;

    l  大多数写入操作需要先进行擦除操作。

    l  NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

    (注:NOR FLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。) 

    2.      接口差别

    NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

    NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、 地址和数据信息。

    NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以 取代硬盘或其他块设备。

    3.      可靠性和耐用性

    采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适 的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

    A) 寿命(耐用性)

    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8 倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

    B) 位交换

    所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特(bit)位会发 生反转或被报告反转了。

    一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

    当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正 (EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

    这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其 他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

    C) 坏块处理

    NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

    NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

    4.      易于使用:

    可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

    由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

    在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因 为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

    5.      软件支持:

    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优 化。

     

    在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存 技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

    使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M- System的TrueFFS驱动, 该驱动被Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian和Intel等厂商所采用。

    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

    NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NANDFLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

    NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

    在掌上电脑里要使用NANDFLASH 存储数据和程序,但是必须有NORFLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。

    DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息, 一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且 每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的 很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

    SRAM 利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。

     

    以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。

    Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。 Flash rom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。

    PSRAM,假静态随机存储器

    背景:

    PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年,市场上重要的 SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

    基本原理:

    PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM 那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

    PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发 模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多。

    PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与 SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有 4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品 是一个理想的选择。

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  • 随机存取存储器RAM)的最大特点是:一旦断电,存储在其上的信息将全部消失,且无法恢复。RAM既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息;任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失,所以RAM是易失性存储器。 相关...

    随机存取存储器(RAM)的最大特点是:一旦断电,存储在其上的信息将全部消失,且无法恢复。RAM既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息;任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失,所以RAM是易失性存储器。



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    随机存取存储器(RAM)的最大特点是:一旦断电,存储在其上的信息将全部消失,且无法恢复。

    RAM是计算机内存储器中的一部分。计算机内存储器有ROM和RAM组成。ROM是只读存储器的英文简称,特点是它的信息是可以永久保存的。RAM是可读可写存储器的英文简称,特点是一旦断电它的信息将全部消失。

    扩展资料:

    随机存取存储器(英语:Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。

    RAM既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失,所以RAM是易失性存储器。

    当电源关闭时,RAM不能保留数据。如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。

    RAM的工作特点是通电后,随时可在任意位置单元存取数据信息,断电后内部信息也随之消失。

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  • 描述内存储器内存又称为内存储器,通常也泛称为主存储器,是计算机中的主要部件,它是相对于外存而言的。内存储器是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行...

    描述

    内存储器

    内存又称为内存储器,通常也泛称为主存储器,是计算机中的主要部件,它是相对于外存而言的。

    内存储器是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。

    计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行的,因此内存储器的性能对计算机的影响非常大。

    内存储器(Memory)也被称为内存,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

    只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后CPU再将结果传送出来,

    内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

    分类

    T一般常用的微型计算机的存储器有磁芯存储器和半导体存储器,

    微型机的内存都采用半导体存储器。

    T半导体存储器从使用功能上分,有随机存储器 (Random Access Memory,简称 RAM),

    又称读写存储器;只读存储器(Read Only Memory,简称为ROM)。

    1.随机存储器(Random Access Memory) 随机存储器

    随机存储器

    随机存储器是一种可以随机读∕写数据的存储器,也称为读∕写存储器。

    RAM有以下两个特点:一是可以读出,也可以写入。

    读出时并不损坏原来存储的内容,

    只有写入时才修改原来所存储的内容。

    二是RAM只能用于暂时存放信息,一旦断电一旦断电一是可以读出

    ,存储内容立即消失,即具有易失性。

    RAM通常由MOS型半导体存储器组成,

    根据其保存数据的机理又可分为动态( Dynamic RAM)和静态(Static RAM)两大类。

    DRAM的特点是集成度高,主要用于大容量内存储器;SRAM的特点是存取速度快,主要用于高速缓冲存储器。

    2.只读存储器(Read Only Memory)

    ROM是只读存储器,顾名思义,它的特点是只能读出原有的内容,

    不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是采用掩膜技术由厂家一次性写入的,

    并永久保存下来。它一般 用来存放专用的固定的程序和数据。

    只读存储器是一种非易失性存储器,一旦写入信息后,

    无需外加电源来保存信息,不会因断电而丢失。

    按照是否可以进行在线改写来划分,又分为不可在线改写内容的ROM,以及可在线改写内容的ROM。

    不可在线改写内容的ROM包括掩膜ROM(Mask ROM)、可编程ROM(PROM)和可擦除可编程ROM(EPROM);

    可在线改写内容的ROM包括电可擦除可编程ROM(EEPROM)和快擦除ROM(Flash ROM)。

    3.CMOS存储器(Complementary Metal Oxide Semiconductor Memory,互补金属氧化物半导体内存)

    CMOS内存是一种只需要极少电量就能存放数据的芯片。由于耗能极低,

    CMOS内存可以由集成到主板上的一个小电池供电,这种电池在计算机通电时还能自动充电。

    因为CMOS芯片可以持续获得电量,所以即使在关机后,他也能保存有关计算机系统配置的重要数据。

    外存储器

    外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据

    。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

    常见的类型

    硬盘、软盘、光盘、U盘

    PC机常见的外存储器有软盘存储器、硬盘存储器、光盘存储器等。磁盘有软磁盘和硬磁盘两种。光盘有只读型光盘CD-ROM、

    一次写入型光盘WORM和可重写型光盘MO三种。

    软盘:软磁盘使用柔软的聚酯材料制成原型底片,在两个表面涂有磁性材料。常用软盘直径为3.5英寸,

    存储容量为1.44MB.软盘通过软盘驱动器来读取数据。

    U盘:U盘也被称为“闪盘”,可以通过计算机的USB口存储数据。与软盘相比,由于U盘的体积小、

    存储量大及携带方便等诸多优点,U盘已经取代软盘的地位。

    硬盘:硬磁盘是由涂有磁性材料额铝合金原盘组成的,每个硬盘都由若干个磁性圆盘组成。

    磁带存储器:磁带也被称为顺序存取存储器SAM。它存储容量很大,但查找速度很慢,一般仅用作数据后备存储。

    计算机系统使用的磁带机有3中类型:盘式磁带机、数据流磁带机及螺旋扫描磁带机。

    光盘存储器:光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。它应用了光存储技术,

    即使用激光在某种介质上写入信息,然后再利用激光读出信息。

    光盘存储器可分为:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。

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    软盘、硬盘、光盘、U盘、磁带都是外部存储器。移动硬盘

    从冯。诺依曼的存储程序工作原理及计算机的组成来说,计算机分为运算器、控制器、存储器和输入/输出设备,这里的存储器就是指内存,而硬盘属于输入/输出设备。

    CPU运算所需要的程序代码和数据来自于内存,内存中的东西则来自于硬盘,所以硬盘并不直接与CPU打交道。

    硬盘相对于内存来说就是外部存储器。

    存储器是用来存储器数据的,内存有高速缓存和内存,计算机内部存储,外存就是类似U盘的外部存储。

    内存储器速度快 价格贵,容量小,断电 后内存内数据会丢失。(ROM 断电不丢失)

    外存储器 单位价格低,容量大,速度慢, 断电后数据不会丢失。

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  • 内部存储器

    千次阅读 2018-06-29 20:45:21
    存储器基础存储单元由8个二进制位组成,占用一...半导体存储器可以分为随机存储器RAM)和只读存储器(ROM)随机存储器又可以分为静态RAM和动态RAM只读存储器可以分为掩膜式ROM、一次可编程ROM(PROM)、可擦写ROM...


    存储器基础

    存储单元由8个二进制位组成,占用一个地址编码,CPU对存储器进行信息的写入和读出就以字节作为最基本的单位。

    存储器的分类

    按在计算机中的作用来分,可以分为内存储器(主存)、外存储器(辅存)、缓冲存储器、控制存储器等。

    半导体存储器可以分为随机存储器(RAM)只读存储器(ROM)

    随机存储器又可以分为静态RAM动态RAM

    只读存储器可以分为掩膜式ROM、一次可编程ROM(PROM)、可擦写ROM(EPROM)


    芯片容量 = 存储单元数 × 没单元位数


    随机存取存储器

    RAM通常可以按照存储原理的不同分为静态RAM和动态RAM,前者依靠触发器存储二进制信息,后者依靠寄生电容存储二进制信息。

    RAM的基本结构

    1、地址寄存器和译码器

    地址寄存器用于存放CPU送来的地址吗,其位数通常由地址先条数决定;地址译码器用于对地址寄存器中的地址进行译码,译码后产生字选择线(简称字线,即地址译码器的输出线)可以用来选择存储阵列中的响应存储单元工作,因此字线和存储单元的总数是相等的。

    2、存储阵列

    每个基本存储位元存储1位二进制信息,基本存储位元组成存储单元,其个数与存储器位(线)数或数据线条数相等;存储单元组成存储阵列,其个数与字线数相等,与地址线数目相匹配。

    3、三态双向缓冲器

    用户将存储器连接在总线上,实现与CPU读/写两个方向的数据缓冲。

    4、控制电路

    控制电路通过控制引脚接受CPU送来的控制信号,经过变换后对地址寄存器、存储阵列、和三台双向缓冲器进行控制

    只读存储器

    制度存储器简称为ROM,ROM中的信息,通常是在脱机状态下或在特殊环境下写入的,故ROM的写信息又称为编程。这些信息一旦被写入就不能随意更改,特别是不能再程序运行的过程中再写入新的内容,而只能在程序执行的过程中读出其内容。

    ROM的基本机构

    主要由地址寄存器,地址译码器,存储阵列,输出缓冲器等部件组成。

    一般CPU与存储器的连接以及扩展

    连接中应该考虑的问题

    1、存储器芯片类型的选择

    选择存储器类型就是要考虑选择RAM还是ROM

    2、工作速度匹配

    CPU对存储器进行读写所需要的时间称为访问时间,是指从它发出地址码一直到读出或者写入数据所需要的时间,这个时间由CPU的型号来确定

    CPU的访问时间应该大于存储器的存取时间,这样才能保证数据的稳定可靠。

    3、MCS-51对存储容量的要求

    存储容量的大小取决于喂鸡系统的应用对存储器的要求,一般的原则是先根据基本要求确定容量,适当留有余地,并且要考虑系统便于扩充。

    存储器位数的扩展

    存储芯片的存储单元位数不够时,就要进行存储器位数的扩展(即位数扩展),使每个存储单元的字长满足要求。

    采用2^n × 1位存储器芯片组成2^n × m 位存储存储器时,需要m片2^n × 1位存储器片

    存储器字数的扩展

    通过片选,能够将存储器芯片与所确定的地址空间联系起来,即将芯片中的存储单元与实际地址一一对应,这样次啊能通过寻址对存储单元进行读写。

    片选的方法有三种:线选法、部分译码法、全译码法

    1、线选法

    这种方法直接使用CPU地址中的某一位高位地线作为存储器芯片的片选信号。

    优点是连接简单,不需要复杂的逻辑电路。

    哪个高位地址线为低电平就选中哪片芯片,这样在任何时候都只能选中一片芯片而不会同时选中多片。因此片选地址不允许同时出现有效点评,只允许轮流出现有效。

    2、全译码法

    全译码法的特点是使用CPU的全部高位地址线参与译码器译码后作为存储芯片的片选信号。

    由于全译码法中没有地址线空闲不用,所以无重叠地址范围,每个芯片的地址是唯一的,而且也没有不可使用的地址,寻址范围得到充分利用。

    3、部分译码法

    部分译码法是指用CPU的部分高位地址先参与译码后作为存储芯片的片选信号,它是线选法和全译码法的一个折中,一方面可以简化译码器的设计,另一方面有较强的存储器容量扩建和连续的存储器范围。


    内存

                                

    1) PCB基板

        内存条多数是绿色的,这条长长的电路板称为PCB板,也就是复合树脂板。跟主板一样,PCB板也采用了多层设计,为四层或六层。一般说来,六层PCB板比四层PCB板的电气性能要好,也比较稳定,所以知名品牌的内存大多采用六层PCB板制造。因为如今的电路板设计都很精密,所以从肉眼上很难分辨PCB板是四层还是六层,只能借助一些印在PCB板上的符号或标识来断定。

    2)内存芯片

        内存条的性能、速度和容量都是由内存芯片决定的。目前市场上内存条的品牌很多,但内存芯片的型号并不多,常见的有HY(LGS)KingmaxWinbondToshibaSECMT等。不同厂家生产的内存芯片在速度、容量、发热量及封装模式等各有特点,各不相同。

    3)电容和电阻

        在内存条上有许多附加的电容和电阻,可以使内存的电子信号更稳定、纯正,电气性能更加稳定。内存上的元件采用的是贴片元件,以C代表电容,R代表电阻。

    4)固定卡口

        内存条插到主板上后,主板上的内存插槽会有两个卡子牢固地扣住内存条,这两个缺口就是用来固定内存条用的。

    5)脚缺口

        内存条插脚上一般有两个缺口,它们的作用一是防止将内存插反;二是用来区分不同的内存。如SDRAMDDR DRAM内存的缺口形状和位置就不相同,所以不能混用。

    6)金手指

        内存条插脚上的接触点是内存与主板上内存插槽相接触的部分,通常称为金手指。金手指是铜质导线,使用时间长了有可能被氧化而使其接触不良,会影响内存的正常工作,甚至无法开机。解决的办法是用橡皮擦清理金手指上的氧化物。

    7) SPD芯片

        SPD芯片是随PC100而产生的,它是一个容量为256字节的EEPROM,一般采用八个管脚的SOIC封装形式。它保存着内存条的标准工作速度、频率、容量、工作电压与CAS Latency(Column Address Strobe Latency,列地址控制器的延迟时间)tRCD(RAS toCAS DelayRAS相对CAS的延迟时间)tPR(Row Precharge TimeRAS预充电时间)tAC(Access Time from CLK,相对时钟下降沿的数据读取时间)SPD版本等基本信息,以协调计算机系统更好地工作。这些信息是内存生产厂家预选写入的。

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  • 随机存储器(Random Access Memory)RAM有以下特点:可以读出,也可以写入。读出时并不损坏原来存储的内容,只有写入时才修改原来所存储的内容。断电后,存储内容立即消失,即具有易失性。RAM可分为动态(Dynamic RAM)...
  • 随机存取存储器RAM

    千次阅读 2020-04-17 20:09:49
    随机存取存储器RAM
  • 描述知识点:1、冯诺依曼型计算机特点1.计算机由运算器,控制器,存储器,输入和输出设备5部分组成2.采用存储程序的方式,程序和数据放在同一个存储器中,并以二进制表示。3.指令由操作码和地址码组成4.指令在存储器...
  • 双口RAM存储器

    千次阅读 2014-03-17 19:33:07
    双口RAM是常见的共享式多端口存储器,其最大特点是共享存储数据,即一个存储器配备两套***的地址线、数据线和控制线,允许两个***的CPU或控制器同时异步的访问存储单元。这种同时异步的访问存储单元需要内部仲裁控制...
  • RAM随机存取存储器

    2019-10-07 02:09:52
    RAM(random access memory)随机存储器。 存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。 这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主 要用于存储短时间使用的程序。 按照存储...
  • 微机个人笔记-随机存取存储器(RAM)

    千次阅读 2016-12-04 16:23:18
    微机个人笔记-随机存取存储器(RAM)
  • 内存储器主要由两种组成,ROM和RAMRAM占比最大。 1.1 ROM   ROM的特点是断电后不丢失其中存储的程序和数据,如主板上的BIOS、网卡上的启动程序。ROM是只读存储器!ROM一般由地址译码器、存储矩阵、输出缓冲...
  • 内部存储器——①静态存储器

    千次阅读 2020-03-20 16:04:12
    在现代计算机中,存储器处于全机中心地位,其原因是: (1) 当前计算机正在执行的程序和数据(除了暂存于CPU寄存器的)均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 (2) 计算机系统中输入输出设备数量增多,...

空空如也

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内存储器ram的特点