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  • 微型计算机的内存储器一般包括RAM和ROM两部分,它们各自的特性和功能是什么?
    2021-06-15 01:33:27

    RAM-RandomAccessMemory随机存储器ROM-ReadOnlyMemory只读存储器简单的说RAM断电后里面东西就没了,ROM断电后里面东西还在RAM(RandomAccessMemory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。4~8M的RAM对于一般应用程序的运行已经足够,如果追求多媒体功能,64M的RAM容量也只能够算是基本要求。ROM(ReadOnlyMemory)的全名为唯读记忆体,它相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改,因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。

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    1、掌握 FPGA 中 ROM 的设置,作为只读存储器ROM 的工作特性和配置方法。 2、用文本编辑器编辑 mif 文件配置ROM,学习将程序代码以 mif 格式文件加载于ROM中。 3、在初始化存储器编辑窗口编辑 mif 文

    一、 实验目的

    1、掌握 FPGA 中 ROM 的设置,作为只读存储器ROM 的工作特性和配置方法。
    2、用文本编辑器编辑 mif 文件配置ROM,学习将程序代码以 mif 格式文件加载于ROM中。
    3、在初始化存储器编辑窗口编辑 mif 文件配置ROM。
    4、验证 FPGA 中 ROM 的功能。

    二、 实验要求

    1、实验前认真复习 ROM 存储器部分的有关内容。
    2、记录实验数据,写出实验报告,给出仿真波形图。
    3、通过本实验,熟悉 FPGA 中 EAB 构成的ROM 存储器。

    三、 实验原理

    ALTERA 的 FPGA 中有许多可调用的模块库,可构成如 rom、ram、fifo 等存储器结构。
    CPU 中的重要部件,如 RAM、ROM 可直接调用他们构成,因此在 FPGA 中利用嵌入式阵列块EAB 可以构成各种结构的存储器,ROM 是其中的一种。ROM 有 5 组信号:地址信号address[ ]、数据信号 q[ ]、时钟信号 inclock、outclock、允许信号 memenable,其参数都是可以设定的。由于 ROM 是只读存储器,所以它的数据口是单向的输出端口,ROM 中的数据是在对 FPGA 现场配置时,通过配置文件一起写入存储单元的。图 2-1-1 中的 ROM 有 3 组信号:inclk——输入时钟脉冲;instruction[31…0]——lpm_ROM 的 32 位数据输出端;a[4…0]——lpm_ROM 的 5 位读出地址。
    实验中主要应掌握以下三方面的内容:
    1、 ROM 的参数设置;
    2、 ROM 中数据的写入,即 FILE 初始化文件的编写;
    3、 ROM 的实际应用,在 GW48_CP+实验台上的调试方法。

    四、 实验内容

    (1)新建工程。工程名是 scinstmem.qpf。
    (2)用初始化存储器编辑窗口编辑 ROM 配置文件(文件名.mif)。这里预先给出后面将要用到的指令存储器初始化文件:scinstmem.mif 。scinstmem.mif 中的数据是机器指令代码
    (图 2-1-3)。
    (3)模块设计。用图形编辑,使用工具 Mega Wizard Plug-In Manager,定制指令存储器
    rom 宏功能块。设置地址总线宽度 address[]和数据总线宽度 q[],分别为 5 位和 32 位,并添加输入输出引脚,如图 1-2 设置和连接。
    在设置 rom 数据参数选择项 file 的对应窗口中(图 1-3),用键盘输入 ROM 配置文件的路径(scinstmem.mif),然后设置在系统 ROM/RAM 读写允许,以便能对 FPGA 中的 ROM 在系统读写。
    (4)全程编译。
    (5)画波形文件并进行功能仿真。
    (6)引脚锁定。
    (7)全程编译。
    (8)编程下载。下载 SOF 文件至 FPGA,改变 ROM 的地址 a[4…0],外加读脉冲,通过实验台上的数码管比较读出的数据是否与初始化数据(scinstmem.mif 中的数据)一致。
    注,工程名是 scinstmem.qpf,下载 scinstmem.sof 示例文件至实验台上的 FPGA,选择实验电路模式仍为 NO.0,32 位数据输出由数码 8 至数码 1 显示,5 位地址由键 2、键 1 输入,键 1 负责低 4 位,地址锁存时钟CLK 由键 8 控制,每一次上升沿,将地址锁入,数码管 8/7/6/5/4/3/2/1 将显示ROM 中输出的数据。发光管 8 至 1 显示输入的 5 位地址值。
    五、 实验环境与设备
    在 Quartus II 环境下,建立好相应的工程,在实验箱中选择 GW48-CP++。

    六、 实验代码(含符号说明)

    1、该实验无代码,rom 宏功能块,如下图:
    在这里插入图片描述
    图1 1 ROM宏模块
    2、scinstmem.mif 中的数据如下:
    在这里插入图片描述
    七、 实验检测与测试
    选择实验电路模式仍为 NO.0,32 位数据输出由数码 8 至数码 1 显示,5 位地址由键 2、键 1 输入,键 1 负责低 4 位,地址锁存时钟CLK 由键 8 控制,每一次上升沿,将地址锁入,数码管 8/7/6/5/4/3/2/1 将显示ROM 中输出的数据。发光管 8 至 1 显示输入的 5 位地址值。
    1、 ROM原理图如下:
    在这里插入图片描述
    图1 2 ROM原理图

    2、 波形图如下:
    在这里插入图片描述
    图1 3 ROM的波形图

    3、 在系统存储模块读写
    在这里插入图片描述
    图1 4在系统存储模块读写

    4、 引脚锁定如下:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    图1 5引脚锁定
    八、 测试数据
    address instruction
    00 3C010000
    01 34240050
    02 20050004
    03 00C00018
    04 AC820000
    05 8C890000
    06 01244022
    07 02005003
    08 20A5FFFF

    九、 实验中出现的问题与处理情况(包括实验现象、原因分析、排除故障的方法)
    1、在GW48CP系统中,测试源程序实际运行情况的时候,出现了与理论推论不符合的情况,经过反复核对排查,发现是引脚分配错误,对引脚分配设置重新修改后,重新编译原程序,并下载到GW48CP系统,测试结果与理论相符,实验成功。
    2、 将自己的电脑连接到GW48CP系统中,下载程序时,出现Failed的情况,经过仔细检查并未发现问题,换个实验箱再次下载,编译成功。

    2.2 FPGA 中 RAM 读写实验

    一、 实验目的

    1、了解 FPGA 中 RAM 模块 ram 的功能
    2、掌握 ram 的参数设置和使用方法
    3、掌握 ram 作为随机存储器 RAM 的工作特性和读写方法

    二、 实验要求

    (1)实验前认真复习运算器和存储器部分的有关内容;
    (2)记录实验数据,写出实验报告,给出仿真波形图。
    (3)通过本实验,进一步认识FPGA中EAB构成的LPM-ROM存储器。

    三、 实验原理

    在 FPGA 中利用嵌入式阵列块 EAB 可以构成存储器,ram 的结构如图 2-3。从Datain[7…0]输入的低 8 位数据由 Ext8to32.v 进行零扩展为 32 位输入数据后,送入 ram 的左边 data[31…0]输入,从右边 dataout[31…0]输出,we——为读/写控制信号端。
    数据的写入:当输入数据和地址准备好以后,clk 是地址锁存时钟,当信号上升沿到来时,地址被锁存,数据写入存储单元。
    数据的读出:从 addr[4…0]输入存储单元地址,在 inclk 信号上升沿到来时,该单元数据从 dataout[31…0]输出。we——读/写控制端,低电平时进行读操作,高电平时进行写操作;inclk——读/写时钟脉冲;datain[7…0] ——低 8 位数据输入端;data[31…0]——RAM 的 32 位数据输入端;addr[4…0]——RAM 的读出和写入地址;dataout[31…0]——RAM 的 32 位数据输出端。

    四、 实验内容

    (1)RAM 定制与 ROM 基本相同,实验步骤也类似。按图 2-3 输入电路图,同样使用工具 Mega Wizard Plug-In Manager。设置地址总线宽度 address[]和数据总线宽度 q[],分别为 5 位和 32 位,并进行编译、仿真、引脚锁定、FPGA 配置。
    (2)注意,RAM 也能加入初始化文件 scdatamem.mif (数据存储器的初始化文件),注意此文件加入的路径表达和文件表达(图 2-2): scdatamem.mif ,(后缀 mif 要小写);同时选择在系统读写RAM 功能,RAM 的 ID 名取为:ram2。
    (3)通过键 1、键 2 输入RAM 的低 8 位数据(选择实验电路模式 1),键 3、键 4 输入存储器的 5 位地址。键 8 控制读/写允许,低电平时读允许,高电平时写允许;键 7(CLK0) 产生读/写时钟脉冲,即生成写地址锁存脉冲,对 ram 进行写/读操作。
    注,工程名是 scdatamem.qpf,下载 scdatamem.sof 至实验台上的 FPGA,选择实验电路模式为 NO.1,按以上方式首先进行验证实验。首先控制读出初始化数据,与载入的初始化文件 scdatamem.mif 中的数据进行比较,然后控制写入一些数据,再读出比较。使用在系统读写RAM 的工具对其中的数据进行读写操作(图 2-3),设置成连续读模式,将在系统读写工具窗口的数据与实验箱上数码管上显示的数据对照起来看。

    五、 实验环境与设备

    在 Quartus II 环境下,建立好相应的工程,在实验箱中选择 GW48-CP++。

    六、 实验代码设计(含符号说明)

    1、 8位二进制数转化为32位的代码如下:
    module ext8to32(a,s);//输入端a,设置为8位
    input [7:0] a;//输出端s,设置为32位
    output [31:0] s;
    assign s={4{a}};
    endmodule
    2、 RAM 加入初始化文件和选择在系统读写 RAM 功能宏模块如下:
    在这里插入图片描述
    图2- 1RAM 宏模块

    1、 scinstmem.mif 中的数据如下
    在这里插入图片描述
    图2- 2scinstmem.mif 中的数据
    七、 实验检验与测试
    1、 RAM的原理图如下:
    在这里插入图片描述
    图2- 3RAM 原理图
    2、 波形图如下:
    在这里插入图片描述v
    图2- 4 RAM波形图

    3、 引脚锁定如下:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    图2- 5引脚锁定
    4、 在系统读写工具对 RAM 中的数据进行读写操作
    在这里插入图片描述
    图2- 6 在系统读写工具对 RAM 中的数据进行读写操作
    八、 测试数据
    在这里插入图片描述
    九、 实验过程中出现的问题及处理情况
    1、 画好原理图时编译不通过,仔细对比试验预习报告,找到错误并改正。
    2、 编程下载发现在写入的时候通过按键3、4输入地址14时,数码管并未出现00A3,经过请求同学帮助,发现是scinstmem.mif的数据忘记设计了,经过改正继续试验。
    3、 将自己携带的电脑连接到WC48CP系统,下载程序时,出现识别不了硬件的情况,通过询问老师明白到,可能是pc端缺少usb驱动控件,根据网上教程,利用Quarstus工具包中带的驱动安装包进行驱动安装,安装成功后,硬件识别成功,顺利将原程序下载到GW48CP系统中。

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    内存储器包括寄存器、高速缓冲存储器和主存储器。

    1、寄存器,是集成电路中非常重要的一种存储单元,通常由触发器组成。在集成电路设计中,寄存器可分为电路内部使用的寄存器和充当内外部接口的寄存器这两类。内部寄存器不能被外部电路或软件访问,只是为内部电路的实现存储功能或满足电路的时序要求。而接口寄存器可以同时被内部电路和外部电路或软件访问,CPU中的寄存器就是其中一种,作为软硬件的接口,为广泛的通用编程用户所熟知。

    2、高速缓冲存储器是指存取速度比一般随机存取记忆体来得快的一种RAM,一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术,而使用昂贵但较快速的SRAM技术,也有快取记忆体的名称。高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器,由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多, 接近于CPU的速度。在计算机存储系统的层次结构中,是介于中央处理器和主存储器之间的高速小容量存储器。它和主存储器一起构成一级的存储器。高速缓冲存储器和主存储器之间信息的调度和传送是由硬件自动进行的。

    3、主存储器,简称主存。是计算机硬件的一个重要部件,其作用是存放指令和数据,并能由中央处理器(CPU)直接随机存取。现代计算机是为了提高性能,又能兼顾合理的造价,往往采用多级存储体系。即由存储容量小,存取速度高的高速缓冲存储器,存储容量和存取速度适中的主存储器是必不可少的。主存储器是按地址存放信息的,存取速度一般与地址无关。32位的地址最大能表达4GB的存储器地址。这对多数应用已经足够,但对于某些特大运算量的应用和特大型数据库已显得不够,从而对64位结构提出需求。

    650a7d6054cbc20ee0ed118e3180bc33.png

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    只读存储器的电路结构

    只读存储器ROM(read-only memory)的电路结构包括存储矩阵地址译码器输出缓冲器三个组成部分。

    其中存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以用二极管、三极管或MOS管构成。每个单元能存放1位二值代码(0或1).每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。

    地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号,利用这个控制信号选定存储矩阵中的某个存储单元,并把其中的数据送到输出缓冲器。而输出缓冲器采用三态控制,意识能提高存储器的带负载能力,二是便于与系统的总线连接。ROM的电路结构框图如图所示。
    在这里插入图片描述
    其中, A 0 ∼ A n − 1 A_0\sim A_{n-1} A0An1为n条地址输入线,能产生 2 n 2^n 2n 种译码输出,范围为 W 0 ∼ W 2 n − 1 W_0\sim W_{2^n-1} W0W2n1 ,每个字的输出为m位,输出是 D 0 ∼ D m − 1 D_0\sim D_{m-1} D0Dm1共m位数据。

    通常称 A 0 ∼ A n − 1 A_0\sim A_{n-1} A0An1为地址线,每种译码输出叫作一个“字”,称 W 0 ∼ W 2 n − 1 W_0\sim W_{2^n-1} W0W2n1为字线,每个字的输出为m位,把 D 0 ∼ D m − 1 D_0\sim D_{m-1} D0Dm1称为位线(或称为数据线)。

    在这里插入图片描述

    只读存储器的工作原理

    在读取数据时,只要输入指定的地址码并令 E N ‾ = 0 \overline{EN} = 0 EN=0,则地址指定的存储单元所存储的数据便会出现。

    例如,当 A 1 A 0 = 01 A_1A_0 = 01 A1A0=01时, W 1 = 1 W_1 = 1 W1=1,而其他字线均为低电平。由于有 D 3 ′ D'_3 D3 D 1 ′ D'_1 D1 D 0 ′ D'_0 D0这3根线与 W 1 W_1 W1间接有二极管,所以这3个二极管导通后使 D 3 ′ D'_3 D3 D 1 ′ D'_1 D1 D 0 ′ D'_0 D0均为高电平,而 D 2 ′ D'_2 D2为低电平。如果这时 E N ‾ = 0 \overline{EN} = 0 EN=0,即可在数据输出端得到 D 3 D 2 D 1 D 0 = 1011 D_3D_2D_1D_0 = 1011 D3D2D1D0=1011。根据二极管存储矩阵的排列形式,可以列出地址 A 1 A 0 A_1A_0 A1A0与输出数据 D 3 D 2 D 1 D 0 D_3D_2D_1D_0 D3D2D1D0的对应关系,如下图。
    在这里插入图片描述
    以上分析可以看出,字线和位线的每个交叉点都是一个存储单元。交点处接有二极管时相当于存1,没有接二极管时相当于存0。交叉点的数目也就是存储单元数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的容量,并写成“字数 × \times ×位数 ”的形式。因此,图8-2中ROM的存储容量应表示成“ 4 × 4 4\times4 4×4位”。

    不同的ROM

    Mask ROM

    programmed in manufacture

    PROM (Programmable ROM)

    OTP (one time programmable)

    从工厂出来,全部都是1。在programme的时候,将储存0的单元,由1烧(burn)成0。

    EPROM (Erasable ROM)

    可以多次地programme。

    rewritable DVD和普通DVD的区别。

    • 普通DVD,一旦刻好,就不可能再被修改。

    • rewritable DVD,就是可以被重写的。

    EEPROM (Electrically Erasable PROM)

    单片机中为什么有了Flash还有EEPROM?

    单片机运行时的数据都存在RAM(随机存储器)中,在掉电后RAM中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用EEPROM或FLASHROM等存储器来实现。

    ROM最初不能编程,出场什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了PROM,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,随着不断改进,终于出现了可以多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下,你往单片机上下了一个程序后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外线下照半小时,然后才能再下一次,这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终于可以随意地修改ROM中地内容了。

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