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  • 介绍SDRAM的内部构造和驱动原理 虽然目前SDRAM 内存条价格已经接底线,内存开始向DDR 和Rambus内存过渡。但是由于DDR 内存 是在SDRAM基础上发展起来的,所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR ...
  • 华硕R414U详细拆机装内存条步骤!

    千次阅读 2019-11-17 21:55:47
    电脑配置不够用,想要自己手动diy,但不同类型的电脑的内部结构都不同,或与会给第一次拆解此型号电脑的小伙伴带来不少麻烦。前几天小编就给自己的电脑加装了一块内存条,今天就和大家分享一下具体的拆解过程;详细...

    华硕R414U手动拆解安装内存条详细步骤

    电脑配置不够用,想要自己手动diy,但不同类型的电脑的内部结构都不同,或与会给第一次拆解此型号电脑的小伙伴带来不少麻烦。前几天小编就给自己的电脑加装了一块内存条,今天就和大家分享一下具体的拆解过程;详细步骤见下面。
    小编拆解的机型是华硕的R414U,这款电脑的自带内存条是集成在主板的,但拆开后发现主板上有预留的扩展内存卡槽的;比较麻烦的是不想其它的电脑在后盖内存处单独开了一块,而这款电脑想要更换内存条的话就得从键盘区开始整个拆开,然后掀开主板,在主板背部插上需要拓展的内存条,下面就给大家详细的拆机步骤。

    1、首先拧下电脑底部的所有螺丝,然后沿着键盘和底部连接之间的缝隙用指甲卡片之类的东西划开,然后慢慢拆开(注意:键盘和主板之间有两组电路连接,分开的时候注意,先拔掉 线再完全拆开)

    如上图,红色圆圈就是连接键盘区的两组电路,拆掉键盘区时候要先拔掉这两组电路

    如上图从此缝隙拆掉键盘区

    2、再用螺丝刀卸掉所有眼睛可见的螺丝和电路连接


    如上图所标部位处连接
    在这里插入图片描述

    注意拆除电路连接的时候,插拔销的直接拔出即可;电路片的要先打开前面的小盖板,然后拔出,连接时也一样,先打开小盖板。

    3、然后可以卸掉第大件“硬盘”和“光驱”了


    上步卸载了螺丝钉后,硬盘就没有固定的地方了,可以直接拆卸了。拆卸方法为首先轻轻向上掰起,然后平行右推,使其拔离主板的母插口,这样硬盘就拆解完成了。然后光驱的拆解方法和硬盘一样,也是平行向右推处即可。

    4、然后拆掉显示屏的固定螺丝

    5、拆掉风扇,和光驱硬盘以及显示屏扩展板

    按上图所标序号依次拆除三块部件

    6、然后顺着电源端竖起主板,即可加装内存条了


    内存卡下部插入插槽与主板保持30度倾斜角,向下按压直到进入卡槽为止则安装完成。装机的话,则先复位主板——两快扩展卡——风扇——显示屏固定——光驱,硬盘——键盘;的顺序安装即可。然后右键我的电脑就可查看内存是否成功识别了 。
    在这里插入图片描述

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  • 内存条

    千次阅读 2011-07-25 19:43:59
    内存外观区别很直接:SDR:两个缺口、单面84针脚、双面168针脚DDR1:一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形DDR2:一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8...
     

    内存外观区别很直接:

    SDR:
    两个缺口、单面84针脚、双面168针脚

    DDR1:
    一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形

    DDR2:
    一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V

    DDR3:
    一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V

    安装好CPU后,接下来就要开始安装内存条了。在安装内存条之前,可以在主板说明书上查阅主板可支持的内存类型、可以安装内存的插槽数据、支持的最大容量等等。虽然这些都是很简单的,但是你知道不同内存条是如何区分的吗?你知道EDO RAM内存为什么必须成对才能使用吗?你知道RDRAM内存插槽的空余位置为何要插满终结器才能使用吗?这些都是安装内存条所必须了解的。如果你还不知道,那么这篇文章就非常适合你。

      一、从外观上识别内存

      从计算机诞生开始,内存型态的发展真可谓千变万化。因此,下面先着重介绍内存的种类及其外观,好让大家对它们进行分辨,这也是大家在装机过程中必须了解的。从内存型态上看,常见的内存有:FPM RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM,如图1所示。从外观上看,它们之间的差别主要在于长度和引脚的数量,以及引脚上对应的缺口。


     FPM RAM主要流行在286、386时代,当时使用的是30pin的FPM RAM内存,容量只有1MB或2MB。而在486时代,及少数586电脑也使用72pin的FPM RAM内存。EDO RAM主要应用在486、586时代,也有72pin和168pin之分。从外形上看,30pin的FPM RAM内存的长度最短,72pin的FPM RAM和EDO RAM内存的长度稍长一些,而168pin和EDO RAM内存与大家常见的SDRAM内存是基本一样的。这几种内存很容易就可以在长度和引脚的数量上区分开来。只不过这些内存如今基本上已经销声匿迹了。
     小提示:由于EDO RAM与FPM RAM内存的内存数据宽度均为32位,而奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64位。因此,要想在奔腾及其以上级别的电脑中使用这些内存条,就必须同时使用二根同样的内存条。成对的二根内存条最好是使用相同型号,且相同容量的内存条。

      大家最常见到的SDRAM内存具有168个引脚,引脚上有两个不对称的缺口。在SDRAM内存的两侧,还可以发现各有一个缺口。如果是PC100/133 SDRAM,会在内存条上包含一个8针的SPD芯片,这是识别PC100/133内存的一个必要条件和重要标志。但是大家也要注意,有SPD芯片不一定代表这条SDRAM内存就是PC100/133,但如果没有则肯定不是。
      接下来,我们再来看看DDR RAM与SDRAM有什么不同。从外形上看,DDR RAM和传统的SDRAM区别并不很大,它们的金手指具有相同的总长度。但是,DDR RAM内存具有184个引脚,引脚上也只有一个小缺口。另外,在DDR RAM内存的两侧,各有两个缺口。
      Rambus DRAM(也称为RDRAM)内存的引脚也跟DDR RAM内存一样,采用184个引脚。但是它看上去和SDRAM和DDR RAM是完全不一样的。首选在RDRAM的外面包裹着一层金属屏蔽罩,以减少电磁干扰。大家注意看它的引脚,在中间的两个缺口附近没有设计引脚,这两个缺口也与SDRAM上的两个缺口是不一样的哦。在RDRAM内存的两侧,各有一个缺口。

      小知识:SIMM、DIMM、RIMM
      不同的内存条必须安装在主板上的专用内存插槽上。应用在台式电脑的内存插槽主要有:SIMM、DIMM、RIMM,这些都会在主板的内存插槽边上,以及主板说明书上标示出来。
      SIMM(Single In-Line Memory Module,单边接触内存模组)是486及其较早的PC机中常用的内存插槽。SIMM内存插槽主要有两种型态:30pin和72pin。30pin的单面内存条是用来支持8位的数据处理量。72pin的单面内存条是用来支持32位的数据处理量。因此,例如一次可处理64位的英特尔奔腾系列的中央处理器,你需要8条30pin或2条72pin的内存条来支持它。在486以前,大多采用30pin的SIMM插槽,或者与72pin的SIMM插槽并存;而在Pentium中,应用更多的则是72pin的SIMM接口,或者是与DIMM插槽并存。
      DIMM(Dual In-Line Memory Module,双边接触内存模组)内存插槽是指这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片,这种接口模式的内存通常为84pin或92pin,但由于是双边的,所以一共有84×2=168pin或92×2=184pin接触。DIMM内存插槽支持64位数据传输,使用3.3V电压。
      RIMM(Rambus In-Line Memory Module)内存插槽就是支持Direct RDRAM内存条的插槽。RIMM有184pin,资料的输出方式为串行,与现行使用的DIMM模块168pin,并列输出的架构有很大的差异。

      二、安装内存条

      在安装内存条之前,大家不要忘了看看主板的说明书,看看主板支持哪些内存,可以安装的内存插槽位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其实都是大同小意的,这里主要说明常见的SDRAM、DDR RAM、RDRAM内存。

     STEP1:首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚(通常也称为“保险栓”)往外侧扳动,使内存条能够插入,如图2所示。

     STEP2:拿起内存条,然后将内存条的引脚上的缺口对准内存插槽内的凸起(如图3所示);或者按照内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插槽中标示编号1的位置。

     STEP3:最后稍微用点用力,垂直地将内存条插到内存插槽并压紧,直到内存插槽两头的保险栓自动卡住内存条两侧的缺口,如图4所示。

    小提示:在任何一块支持RDRAM的主板上,你都能够看到RIMM内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条是不能够一根单独使用,它必须是成对的出现。RDRAM要求RIMM内存插槽中必须都插满,空余的RIMM内存插槽中必须插上传接板(也称“终结器”),这样才能够形成回路,如图5所示。

    时下国际内存颗粒价格一路走高,于是大量假冒伪劣内存再次浮出水面,毕竟过高的价格差值成为他们铤而走险的导火索。所以打磨条、水货条、山寨货、甚至二手翻新条都出现在北京中关村市场内。这些假冒伪劣内存的出现,不仅严重威胁着消费者的权益,更成为阻碍整个内存市场良性发展的一颗毒瘤。

    其实内存的生产门槛并不高,内存主要的部件就是DRAM颗粒和PCB板,而DRAM颗粒是造假最常用到的。下面寻修网http://www.seekxiu.com/就揭秘内存市场集中比较典型的造假手段,希望对您今后购买起到一定的帮助。

    为何造假?

    理由其实很简单——利益。内存造假并不能算是一个新的话题,早在SDRAM内存占据主流市场的时代,造假就已经成为不法内存厂商和经销商们最主要的获利手段。

    假冒内存有什么危害?

    如果消费者不小心购买了劣质内存条,在使用过程中麻烦就会接踵而来,系统经常性蓝屏死机、不规则重启,有甚者颗粒烧毁并秧及电脑内的其他硬件,后果非常严重。而且假条在产品质量极差的情况下,又没有售后服务,肯定会损害到消费者的利益。

    内存颗粒

    常见的造假方式有那些?

    目前最为常见的几种造假手段主要有:以次充好、打磨、改字和翻修。以次充好,就是指奸商将一些坏掉但依旧可以利用的内存条经过特殊的处理,使其中一部分好的内存颗粒正常工作,然后将其再次拿到市场上按照全新产品出售。打磨也就是我们通常所说的REMARK,奸商将内存颗粒表面的字迹擦除,然后再重新标上金士顿、Kingmax、现代等名牌标签。改字条就是将内存颗粒表面的部分字母或者数字改写。翻修就是将回收到的“垃圾芯片”重新焊接在PCB电路板上当新品卖。这些内存往往因为生产简陋,没有经过出厂测试,所以质量根本没有保证。

    哪些内存产品容易被仿造?

    造假者都有一个共性:只要那个品牌被消费者所青睐,他们就会伺机而动,疯狂仿冒。金士顿作为全球第一大独立内存模组制造商,更是被造假者当成重点目标,这不但侵害了金士顿的利益,也严重危及到用户权益。

    猜猜哪条是真的,哪条是假的?

    下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写,采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒,从图中可以清晰看出,真品内存颗粒印刷清晰,而假内存的颗粒则非常暗淡,对比非常鲜明。

       

    芯片颗粒对比

    其实对于一款内存来说,PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内,而颗粒价格才是真正的“大头”。所以通常PCB基本均为正规代工厂制造,而颗粒则采用行话里的“白片”,就是业内所说的次品颗粒,价格非常便宜,但稳定性和兼容性很差。

    细节处对比(真品)

    从上面图中可以看出两处破绽,其中第一处就是金士顿R型商标的微缩字体印刷,在注册商标“R”的周围应该清楚印着KINGSTON英文,这里由于笔者的相机缘故不能清晰显示出来,不过对照假内存胡乱瞎画而言已经清晰很多了。

    细节处对比(假货)

    另外一点,请仔细看标签内部的水印,假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹,明显是后印上去的,这点在真金士顿内存中是不会发现的。

    金士顿官方网站“一分钟正品鉴定”

    虽然金士顿内存常年被假货困扰,但是依然是内存行业的销量冠军,这说明大多数消费者还是认可金士顿内存的兼容性和稳定性。但是用户在购买内存的时候一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番,然后在通过网上或者短信查询方式鉴别,这样购买到假货的几率就会大大减少。如果能够直接去金士顿指定商家购买产品的话,那么就更放心了。

    内存散热片里面不为人知的秘密

    其实,内存市场不光只是打磨颗粒内存,还存在一些“超频”条。而这些超频条多半会用马甲散热片作为掩饰,一旦马甲被撕破,谎言也随即被揭穿。

       

    威刚红龙DDR2-1066+内存

    不知道大家对威刚2GB DDR2-800+红龙上市还有没有印象,当时这款内存威刚是包超条,就是每款内存都可以轻松超值DDR2-1066,虽然价格稍显贵,但是超频后的性价比非常高。为此,很多不法商家就到市场各个柜台收集一些DDR2-800的内存,比如创见、金士顿等等,然后在里面挑选一些超频性能稍好的,再加上红色威龙的壳子,就成为了名副其实的“威刚红龙”内存。这样的好处就是通过购买低价的DDR2-800条子,加以伪装就可以卖到比这高出好几十的价格,利润非常可观。

    另外一条内幕消息就是三星的大量DDR3-1333内存被收购,不知道大家对笔者的《神条再现 三星2GB内存激超DDR3-1800》这篇文章还有没有印象,这批三星金条体制非常好,所以很多商家就都拿他来做海盗船的内存,加上马甲后就可以卖到DDR3-1600或者更高的频率,这样的利润相比谁看了都会留下口水。

    ● 超频前后内存带宽/延时测试对比

    三星 2GB DDR3-1333内存超频测试

    内存参数设置

    Int
    (整型带宽)

    Float
    (浮点运算)

    延时

    CL=7 DDR3-1333(默认)

    7307

    7324

    77

    CL=9 DDR3-1600(OC)

    8247

    8227

    73

    CL=8 DDR3-1600(OC)

    8201

    8259

    71

    CL=9 DDR3-1800(OC)

    9305

    9294

    67

    海盗船4GB DDR3-1600内存标签

    虽然这些内存不是所谓的打磨垃圾内存,但是也属于造假欺骗消费者,所以用户在购买带散热片内存的时候一定要到指定的代理处购买,切忌不要到小柜台炒货,以免上当受骗。

    不同类型的防呆缺口缺口不同
    防呆缺口不同意味着不同类型的内存不能混用
    但同一类型不同频率的内存可以混用
    只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率 这样会造成性能浪费.
    SDR有PC-100 和 PC-133
    DDR有226 333 400
    DDR2有533 667 800 1066
    DDR3有1066 1333 1600 2000 甚至更高

    支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、,SDRAM、RDRAM,目前主板常见的有DDR、DDR2内存。

      FPM内存

      FPM是Fast Page Mode(快页模式)的简称,是较早的PC机普遍使用的内存,它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。  

      EDO内存

      EDO是Extended Data Out(扩展数据输出)的简称,它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据,大大地缩短了存取时间,使存取速度提高30%,达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条,以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中,它有72线和168线之分,采用5V工作电压,带宽32 bit,必须两条或四条成对使用,可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰,只能在某些老爷机上见到。  

      SDRAM内存

      SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)的简称,是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压,带宽64位,SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使RAM和CPU能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,与 EDO内存相比速度能提高50%。SDRAM基于双存储体结构,内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储体或阵列访问数据时,另一个就已为读写数据做好了准备,通过这两个存储阵列的紧密切换,读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存,在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存,从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及,SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

      RDRAM内存

      RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory(存储器总线式动态随机存储器)的简称,是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存,它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据,同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组,后来又有840,850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持,但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制,一直未能成为市场主流,其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代,市场份额很小。

      DDR SDRAM内存

      DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品,采用2.5v工作电压,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度,并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽,例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比,工作频率同样是133MHz,但内存带宽达到了2.12 GB/s,比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM,是目前最常用的内存类型。  

      DDR2

      DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

      DDR2内存的频率

      此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

      DDR2与DDR的区别:

      在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

      1、延迟问题:

      从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

      这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

      2、封装和发热量:

      DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

      DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

      DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

      DDR2采用的新技术:

      除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

      OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

      ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

      Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

      总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。

      ECC并不是内存类型,ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存,英特尔的82430HX芯片组就开始支持它,使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存,但由于ECC内存成本比较高,所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中,例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生,而且普通的主板也并不支持ECC内存,所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

    DDR,DDR2和DDR3

      严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。

      SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

      与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。

      从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。


      DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。

      DDR2和DDR一样,采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但是最大的区别在于,DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。

      DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力,而是,在采用更低发热量,更低功耗的情况下,反而获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

      最后说下DDR3,其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切,因为它其实是DDR2的延伸,只是提升了频率降低了能耗,实际的技术并没有特别的变化。现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..

     

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  • 内存条的逻辑BANK和RANK(物理BANK)概念 在内存上有一个参数:2R X16,1R X16, 1R X8….. 这里的R就是Rank 既物理BANK,X16,X8,是指芯片位宽 何谓内存BANK: 内存的BANK其实分为两部分,逻辑BANK和物理BANK。 ...

    内存条的逻辑BANK和RANK(物理BANK)概念

    在内存上有一个参数:2R X16,1R X16, 1R X8…..

    这里的R就是Rank 既物理BANK,X16,X8,是指芯片位宽

    何谓内存BANK:

    内存的BANK其实分为两部分,逻辑BANK和物理BANK。

     

        1.先来讲讲逻辑BANK。芯片的内部,内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中,每个单元格我们称为CELL,只要指定一个行(Row),再指定一个列(Column),就可以准确地定位到某个CELL,这就是内存芯片寻址的基本原理。这样的一个阵列我们就叫它内存的逻辑BANK(Logical BANK)。

       由于工艺上的原因,这个阵列不可能做得太大,所以一般内存颗粒中都是将内存容量分成几个阵列来制造,也就是说在内存颗粒中存在多个逻辑BANK,随着芯片容量的不断增加,逻辑BANK数量也在不断增加,目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个,只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计,譬如三星的两种16MB芯片:K4S161622D (512K x 16Bit x 2 BANK)和K4S160822DT(1M x 8Bit x 2 BANK)。芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作,而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。逻辑BANK的地址线是通用的,只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了(BANK0到BANK3)。一个逻辑BANK有8M个单元格(CELL),一些厂商(比如现代/三星)就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度(Data Depth),每个单元格由8bit组成,那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit(8M×8bit),4个逻辑BANK就是256Mbit,因此这颗芯片的总容量就是256Mbit(32MB)。 
      一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的,我们可以芯片上的标识知道,这个芯片有几个逻辑BANK,每个逻辑bank的位宽是多少,每个逻辑BANK内有多少单元格(CELL),比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式: 

    ①16 M x 4 (4 M x 4 x 4 banks) [16M X 4] 
    ②8 M x 8 (2 M x 8 x 4 banks) [8M X 8] 
    ③4 M x 16 (1 M x 16 x 4 banks) [4M X 16] 
      表示方法是:每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数(芯片的位宽)。芯片逻辑BANK位宽目前的工艺水平只能最多做到16位,因此大家看到几乎所有的芯片逻辑BANK位宽只可能4/8/16三者之一。

    2. RANK(物理Bank)  目前以SDRAM系统为例,CPU与内存之间(就是CPU到DIMM槽)的接口位宽是64bit,也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据,那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK,很多厂家的产品说明里称之为物理BANK(Physical BANK),目前绝大多数的芯片组都只能支持一根内存包含两个物理BANK,要准确知道内存条实际物理BANK数量,我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK,如果是128就是双物理BANK。  

     586以上电脑的数据总线宽度都是64bit,即每次读取内存为64bit,SDRAM内存条的设计带宽也是64bit,内存条的带宽为条上各个内存芯片的带宽之和,基本条件为带宽之和应等于64bit或其倍数。假如出现了各个芯片位宽之和等于128。则分成两个64位,当读取一个64位部分时,另一个64位部分就不能读取,通常很多厂家就分别将这两部分放在内存的两面上。这就造成了许多人的错觉:双面是两个BANK的,单面是一个BANK的。实际根本不能这样认识,比如大度256MB内存,尽管两面16个芯片,但是由于内存芯片的位宽是4位(32Mbit×4),所以必须要有4×16=64才能达到系统所要求的位宽。这时由于芯片大小的限制,不可能将16颗芯片都放在一面上,所以只能设计成双面。对于64Mbit芯片 (4M*16) 来说,芯片带宽16bit,8颗芯片带宽=16*8=128bit(即两个BANK),4颗芯片带宽=16*4=64bit(即一个BANK)。两个物理BANK的情况只有出现在位宽超出了64位的情况下(即位宽出现了富余),由于芯片组任一时刻只能处理一个64位,所以才分成两个物理BANK。

    3、 芯片位宽   每个内存芯片有自己的位宽,即每个传输周期能提供的数据量。理论上,完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Ban k的需要,但这对技术的要求很高,在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片 位宽最高也就是16bit,常见的则是8bit。这样,为了组成P-Bank所需的位宽,就需要多颗芯片并联工作。对于16bi t芯片,需要4颗(4×16bit=64bit)。对于8bit芯片,则就需要8颗了。

    以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合,这个集合的容量不限,但这个集合的 总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展,一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。所以,芯片组开 始可以支持多个P-Bank,一次选择一个P-Bank工作,这就有了芯片组支持多少(物理)Bank的说法。而在Intel的 定义中,则称P-Bank为行(Row),比如845G芯片组支持4个行,也就是说它支持4个P-Bank。另外,在一些文档中 ,也把P-Bank称为Rank(列)。

     

     

     

    3、与芯片位宽相关的DIMM设计  已经知道P-Bank的位宽是固 定的,也就是说当芯片位宽确定下来后,一个P-Bank中芯片的个数也就自然确定了,而前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有 要求,对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些(因为所用的芯片少),但在芯片容量相同时, 这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组,因为后者在一个P-Bank中可以容纳更多的芯片。比如上文中那个内存芯 片容量标识图,容量都是128Mbit,合16MB。如果DIMM采用双P-Bank+16bit芯片设计,那么只能容纳8颗芯 片,计128MB。但如果采用4bit位宽芯片,则可容纳32颗芯片,计512MB。DIMM容量前后相差出4倍,可见芯片位宽 对DIMM设计的重要性。因此,8bit位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择,

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    14英寸MateBook D AMD不能增加内存条 与14英寸 MagicBook锐龙版 (AMD R5) 8GB+256GB (KPL-W00B) 一样,内存是焊在主板上的 https://club.huawei.com/thread-18931535-1-12.html 拆机图解: 1、卸掉螺丝后,撬开后盖...

    14英寸MateBook D AMD不能增加内存条
    与14英寸 MagicBook锐龙版 (AMD R5) 8GB+256GB (KPL-W00B) 一样,内存是焊在主板上的
    https://club.huawei.com/thread-18931535-1-12.html

    拆机图解:
    1、卸掉螺丝后,撬开后盖。
    在这里插入图片描述
    2、内部构造,板载内存,无内存插槽。
    在这里插入图片描述
    3、板载固态硬盘
    在这里插入图片描述

    15.7英寸MateBook D Intel支持增加内存条
    参考:华为matebookD加装内存条
    https://cn.ui.vmall.com/thread-14164094-1-2.html
    新mate book D(2018) 换屏篇 +8G内存(16G)+换固态硬盘
    https://club.huawei.com/viewthreaduni-16825436-filter-reply-orderby-replies-page-2-1.html

    3.搭载锐龙5 APU!华为MateBook D 14寸亮相 --2018-06-27
    http://news.mydrivers.com/1/579/579669.htm

    AMD锐龙平台 14吋Matebook D北美开售 --2018-06-28
    http://www.citreport.com/content/28871-1.html

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空空如也

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内存条内部结构