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  • 内存条标识含义
    2021-07-27 09:31:25

    内存条是电脑中重要的配件之一,一些朋友在装内存条的时候细心的发现,内存条上有个DDR的字样,于是就有了一个疑问,内存条的ddr是什么意思呢?ddr全称Double Data Rate,即双倍数据速率。接下来小编就给大家讲讲内存条中ddr的含义。

    具体如下:

    1、DDR的意思是双倍速率同步动态随机存储器,是内存的其中一种。

    2、DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据,能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

    3、DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

    4、DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。

    5、DDR是双数据速率的SDRAM内存,已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展,不断提高速度和容量,同时降低成本,减小功率和存储设备的物理尺寸。

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    相信金士顿内存是国内内存市场占有率最高的的产品,内存信息让我们这些小白,实在是无可奈何!我们根本就看不出什么,购买金士顿内存后,内存铭牌上的信息,更是让我们一头雾水。我们先来看下三个内存标签。

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    金士顿4GB DDR3 1333台式机内存铭牌上有KVR1333D3N9/4G-SP

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    金士顿4GB DDR3 1333笔记本内存铭牌上有KVR1333D3S9/4G

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    金士顿8GB DDR3 1600台式机内存铭牌上有KVR16N11/8

    实际上,我们可以通过标签看出许多内存信息,相信很多朋友对这个问题感兴趣,我们只就目前主流的DDR3说一下相关信息,相信您会对金士顿内存标签含义,有一个较为相信的了解!

    金士顿内存铭牌标签含义:

    1、KRV:代表该内存属于金士顿ValueRAM系列

    2、1333:代表内存频率,但是大家一定注意到了,金士顿8GB DDR3 1600台式机内存,仅用16来表示,这是 2012年5月1日以后新的编号机制,新编号机制更加简单了。

    3、D3:代表DDR III即三代DDR内存

    后记:

    经过本文对金士顿内存铭牌详解,相信大家应该都会解读金士顿内存标签含义。购买时,也可以遵循这个原则,如果忽略型号,钱包会很受伤。

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  • 内存条上的数字代表的意义

    千次阅读 2018-03-05 09:02:50
    ·“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。·“2”指内存的bank(储蓄位)。·“2”代表接口类型为SSTL_2。·“B”是内核代号为第3代。·能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内...
    HY5DU56822BT-D43这串编号意义: 
    ·“HY”是现代内存。
    ·“5D”是内存芯片类型为DDR。
    ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。
    ·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。
    ·“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。
    ·“2”指内存的bank(储蓄位)。
    ·“2”代表接口类型为SSTL_2。
    ·“B”是内核代号为第3代。
    ·能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型。
    ·封装类型用“T”表示,即TSOP封装
    ·封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈。
    ·封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
    ·“D43”表示内存的速度为DDR400
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  • 调试DDR3 SO-DIMM 陆陆续续花了好几天,其中的...1.1 内存条标识 正面标签写了:4GB 1Rx8 PC3L - 12800S - 11 - 11 - B2 看看板卡原理图内存条插槽几个引脚,不同引脚数对应的规范不一样。这是"204-Pin DDR3 SDRAM U

    调试DDR3 SO-DIMM 陆陆续续花了好几天,其中的过程比较坎坷。为了避免后面调试的朋友再次踩坑,决定从拿到板子和内存条开始到调试成功中的一些步骤线性的记录下来。

    1 内存条上标识的含义

    拿到一块内存条,让我们用FPGA去控制,可能一开始挺茫然的。以我使用的内存条型号为例,先观察外观:

    在这里插入图片描述

    1.1 内存条标识

    正面标签写了:4GB 1Rx8 PC3L - 12800S - 11 - 11 - B2

    看看板卡原理图内存条插槽几个引脚,不同引脚数对应的规范不一样。这是"204-Pin DDR3 SDRAM Unbuffered SO-DIMM Design Specification"规定的 DDR3 “End-User” DIMM类型统一的标签格式:ggggg eRxff PC3-wwwwwm-aa-bb-ccd

    • ggggg: 模块总容量,以字节为单位
      • 256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB等等。
    • eR: 安装的颗粒排列数(rank)
      • 1R: 1rank DDR3 SDRAM
      • 2R: 2rank
      • 4R: 4rank
    • xff: 内存条上单个DDR3 SDRAM颗粒的数据位宽(也叫Device organization)
      • x4: x4 organization, 即4位
      • x8: x8 organization
      • x16: x16 organization
    • wwwww: 带宽,单位为MB/s,对于数据总线64bit,这个也可认为代表了不同的工作频率。
      • 6400: = 6.40 GB/s, (PC3-800 SDRAM, 数据总线8字节宽)
      • 8500: = 8.53 GB/s, (PC3-1066 SDRAM, 数据总线8字节宽)
      • 10600: = 10.66 GB/s, (PC3-1333 SDRAM, 数据总线8字节宽)
      • 12800: = 12.80 GB/s, (PC3-1600 SDRAM, 数据总线8字节宽)
    • m:类型,字面意思,包含有无缓存、寄存器,尺寸等类型
      • E:无缓冲Unbuffered DIMM (“UDIMM”),带ECC(x72位模块数据总线)
      • F: 全缓冲Fully Buffered DIMM (“FB-DIMM”)
      • M: Micro-DIMM
      • R: Registered DIMM (“RDIMM”)
      • S: Small Outline DIMM(“SO-DIMM”)
      • U: 无缓冲DIMM (“UDIMM”),无ECC(x64位模块数据总线)
        一般板卡要用DIMM形式的SDRAM,用的也是SO-DIMM,小型DIMM。
    • aa: DDR3 SDRAM 最大工作频率时钟的CAS延迟
    • bb: 用于此DIMM的JEDEC SPD修订编码和添加级别
    • cc: 设计使用的参考设计(如适用)
      • A: 使用规范给出的参考设计:raw card ‘A’
      • B: 使用规范给出的参考设计:raw card ‘B’
      • AV: 使用规范给出的参考设计:raw card ‘AV’
      • ZZ: 未使用规范给出的参考设计
    • d: 所使用的参考设计的修订编号
      • 0: 初始发行版
      • 1: 第一次修订
      • 2: 第二次修订
      • P: 预发布或工程示例
      • Z: 当字段cc = ZZ时使用

    所以,我用的这张卡,4GB 1Rx8 PC3L - 12800S - 11 - 11 - B2代表规格为:
    4GB DDR3 SO-DIMM,使用1 rank的8bit SDRAM颗粒组成,以DDR3-1600的性能运行,CAS延迟= 11,使用JEDEC DDR3 SPD revision 1.1,参考设计第二次修订版本。

    1.2 颗粒标识

    内存颗粒的丝印可以看到DDR3 SDRAM颗粒的型号为:K4B4G0846E-BYK0

    从卡上的三星标志可以知道这个颗粒是三星的。想要初略了解,直接看型号是最直观的。关于三星DDR3命名规范可以在其官网查到:

    在这里插入图片描述

    所以这是

    K4B4G0846E-BYK0
    三星DRAMDDR3 SDRAM4Gb8bit 数据位宽8 bankSSTL电平第6代-FBGA封装商业级温度范围DDR3-1600 (800MHz @ CL=11, tRCD=11, tRP=11)

    一目了然。

    2 204-pin SO-DIMM 规范

    大概了解后,就要学习怎么使用这个内存条。

    DIMM全称Dual-Inline-Memory-Modules,中文名叫双列直插式存储模块,是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条,它提供了64位的数据通道。DIMM(Dual Inline Memory Module,双列直插内存模块)与SIMM(single in-line memory module,单边接触内存模组)相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。

    各种类型的DIMM内存条都有响应的规范设计文件,我使用的这张内存条符合“PC3-6400/PC3-8500/PC3-10600/PC3-12800 DDR3 Unbuffered SO-DIMM Reference Design Specification”,所以需要从这个规范开始学习。

    规范提到,参考规范定义了PC3-12800内存模块的电气和机械要求,一个204引脚,800MHz时钟(1600MT/s数据速率),64位宽,无缓冲同步双倍数据数据(Double Data Rate 3,DDR3)DRAM,小型双列直插式存储模块(Small outline Dual In-Line Memory Module, SO-DIMM)DDR3 SDRAM。它还定义了一个较慢的版本,PC3-10600,使用667MHz时钟(1333 MT/s数据速率)DDR3 SDRAM, PC3-8500,使用533MHz时钟(1066 MT/s数据速率)DDR3 SDRAM, PC3-6400,使用400MHz时钟(800 MT/s数据速率)DDR3 SDRAM。这些DDR3 SDRAM so-dimm用于安装在移动个人电脑等系统中作为主内存使用。

    2.1 找到本卡在规范中的具体分类

    在这里插入图片描述

    可以看到,我使用的内存条为 8个、x8 数据位宽的颗粒,1 rank 。所以属于B类。

    2.2 找到本分类对应的引脚定义与连接

    首先,可以看到统一的引脚描述,这里只简单列出一下关键引脚,因为我们能看懂原理图各信号的含义与连接即可使用MIG开发。如果要自己写控制器,需要详细学习。

    引脚功能描述
    CK[1:0]差分时钟输入系统时钟输入。所有地址和指令在CK上升沿和~CK下降沿。
    ~CK[1:0]差分时钟输入
    CKE[1:0]时钟使能用于低功耗或自刷新模式
    ~RASRow Address Stobe行地址选通
    ~CASRow Address Stobe列地址选通
    ~WE写使能
    ~S[1:0]芯片选择低时启用相关的DDR3 SDRAM命令解码器,高时禁用命令解码器。当命令解码器被禁用时,新的命令将被忽略,但之前的操作将继续。rank 0由S0选择;rank 1是由S1选择的
    A[9:0],A11,A[15:13]地址输入
    A10/AP地址输入/Autoprecharge自动预充电用于在突发读或写周期结束时调用自动预充电操作。
    A12/~BC地址输入/Burst chop在READ和WRITE命令期间采样,以确定是否将执行突发
    BA[2:0]SDRAM Bank Address
    DQ[63:0]Data Input/Output
    DM[7:0]写模式数据掩码每位控制一个byte,不影响读
    DQS[7:0]差分数据选通每位控制一个byte,写数据时输入,读数据时输出
    ~DQS[7:0]差分数据选通
    RESET复位

    每个引脚在金手指中的位置,了解即可,硬件工程师会设计好:

    在这里插入图片描述

    关键的是要熟悉内存条对应的分类的具体引脚连接。不同类型的引脚功能都一样,但是在比较简单的分类中,一些控制引脚是没用到的。所以这个我们需要知晓一下我们的卡的控制信号的连接。

    在这里插入图片描述

    关注点:

    • 结构为8片颗粒进行位宽扩展。
    • S0信号连接到CS。
    • 控制信号高位空载或者直接接了一个负载,未使用,因为只有1 rank。

    总结一下A、B、C、D类的颗粒排布:
    在这里插入图片描述

    到这里,就可以很好的理解rank的含义了,rank的增加可以理解为在深度上的拓展。有两种方式,一种是平面排布(A),一种是堆叠设计(D)。

    3 找到颗粒的关键时序参数

    其实知道了内存条的类型和容量,颗粒的位宽、容量等参数就已经确定了。

    对于我们用的B类,以内存条容量为4GB为例,因为数据位宽固定为64位,所以深度为512M。又因为B类只是位宽拓展,所以颗粒的规格为512Mx8bit,容量为512MB。

    MIG的例化还需要设置一些时序参数,其中的值为K4B4G0846E-BYK0的时序参数。关于怎么找这些参数,翻到数据手册Timing Parameters的章节然后搜索就行。

    参数描述
    tckeCKE最小脉冲宽度8ns
    tfawfour address width,在这个宽度内只能访问不超过四个地址40ns
    trasActive to Precharge conmmand, Active信号与预充电命令直接的最小间隔37.5ns
    trcdActive to Read or Write delay, 读或写延迟于Active信号的最小间隔15.0ns
    trefiAverage periodic refresh interval, 平均周期刷新的最大间隔7.8us
    trfcRefresh to Active or Refresh to Refresh, 刷新到active或刷新之间的最小间隔260ns
    trpPrecharge conmmand period, Precharge命令的处理周期15.0ns
    trrdActive minimum command period, 不同bank的Active命令间的最小延迟6.0ns
    trtpRead following a Precharge to the same device, 读命令到Precharge命令间的延迟10.0ns
    twtrRead following a write to the same device, 写切换到读的最小延迟7.5ns

    具体了解这些参数的含义需要看“DDR3 SDRAM Standard(JESD79-3F)”

    4 参考资料

    1. 204-Pin DDR3 SDRAM Unbuffered SO-DIMM Design Specification
    2. DS_K4B4G0846E_BY_M_Rev1_31-0
    3. DDR3 SDRAM Standard(JESD79-3F)

    可在下面公众号回复21112801获取:

    在这里插入图片描述

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