最近在AMD平台超内存，顺便学习下内存知识，以下内容转自：

内存的工作原理及时序介绍

#超频甜点系列# RYZEN内存超频、选购二三事

RYZEN 平台超频的一点研究

在此感谢原贴作者们普及知识以及传授经验！

内存超频软件推荐：

Thaiphoon Burner （内存查看器）

DRAM Calculator for Ryzen 1.3.1 （AMD平台内存超频计算器）

MemTest Pro（内存压力测试工具，一般跑200%无报错即视为稳定）

Ryzen Timing Checker

 

基本术语：

所谓时序，就是内存的时钟周期数值，脉冲信号经过上升再下降，到下一次上升之前叫做一个时钟周期，随着内存频率提升，这个周期会变短。例如CL9的意思就是CL这个操作的时间是9个时钟周期。

 

工作频率：是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；所以 工作频率*2=等效频率



Cell：颗粒中的一个数据存储单元叫做一个Cell，由一个电容和一个N沟道MOSFET组成。



Bank：8bit的内存颗粒，一个颗粒叫做一个bank，4bit的颗粒，正反两个颗粒合起来叫做一个bank。一根内存是64bit，如果是单面就是8个8bit颗粒，如果是双面，那就是16个4bit的颗粒分别在两面，不算ECC颗粒。



Rank：内存PCB的一面所有颗粒叫做一个rank，目前在Unbuffered台式机内存上，通常一面是8个颗粒，所以单面内存就是1个rank，8个bank，双面内存就是2个rank，8个bank。Bank与rank的定义是SPD信息的一部分，在AIDA64中SPD一栏可以看到。



DIMM：指一条可传输64bit数据的内存PCB，也就是内存颗粒的载体，算上ECC芯片，一条DIMM PCB最多可以容纳18个芯片。

第一时序：CL-tRCD-tRP-tRAS-CR，就是我们常说的5个主要时序，前四个参数CL-tRCD-tRP-tRAS与内存包装上的代码从左至右一一对应。



CAS Latency（CL）：CAS即Column Address Strobe，列地址信号，它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。由于CAS在几乎所有的内存读取操作中都会生效（除非是读取到同一行地址中连续的数据，4bit颗粒直接读取间隔3个地址，8bit颗粒直接读取间隔7个地址，这时候CAS不生效），因此它是对内存读取性能影响最强的。如下图，蓝色的Read表示读取命令，绿色的方块表示数据读出IO，中间间隔的时间就是CL。



 

已知CL时钟周期值CAS，我们可以使用以下公式来计算实际延迟时间tCAS：
tCAS（ns）=（CAS*2000）/内存等效频率

DRAM RAS to CAS Delay（tRCD）：RAS的含义与CAS类似，就是行（Row）地址信号。它定义的是在内存的一个rank（内存的一面）之中，行地址激活（Active）命令发出之后，内存对行地址的操作所需要的时间。每一个内存cell就是一个可存储数据的地址，每个地址都有对应的行号和列号，每一行包含1024个列地址，当某一行地址被激活后，多个CAS请求会被发送以进行读写操作。简单的说，已知行地址位置，在这一行中找到相应的列地址，就可以完成寻址，进行读写操作，从已知行地址到找到列地址过去的时间就是tRCD。当内存中某一行地址被激活时，我们称它为“open page”。在同一时刻，同一个rank可以打开8个行地址（8个bank，也就是8个颗粒各一个）。下图显示一个行地址激活命令发出，到寻找列地址并发出读取指令，中间间隔的时间就是tRCD。tRCD值由于是最关键的寻址时间，它对内存最大频率影响最大，一般想要上高频，在加电压和放宽CL值不奏效的时候，我们都要放宽这个延迟。



 

DRAM RAS Precharge Time（tRP）：RAS预充电时间。它定义的是前一个行地址操作完成并在行地址关闭（page close）命令发出之后，准备对同一个bank中下一个行地址进行操作，tRP就是下一个行地址激活信号发出前对其进行的预充电时间。由于在行地址关闭命令发出之前，一个rank中的多个行地址可能正在被读写，tRP对内存性能影响不如CL和tRCD。虽然tRP的影响会随着多个行地址激活与关闭信号频繁操作一个bank而加大，但是它的影响会被bank interleaving（bank交叉操作）和command scheduling（命令调配）所削弱。交叉读写会交替使用不同的bank进行读写，减少对一个bank的操作频率；命令调配则是由CPU多线程访问不同的内存地址，同样是减少对一个bank的频繁操作次数。例如SNB CPU的内存控制器可以对读写操作命令进行有效地重新分配，以使得行地址激活命中率最大化（如果重复激活一个已经处于激活状态的行地址，那就是RAS激活命令未命中），所以tRP在SNB平台对性能的影响不大，并且放宽它有可能可以帮助提升稳定性。下图显示的是一个即将被激活的行地址开始预充电，到它被激活间隔的时间，就是tRP。



 

DRAM RAS Active Time（tRAS）：行地址激活的时间。它其实就是从一个行地址预充电之后，从激活到寻址再到读取完成所经过的整个时间，也就是tRCD+tCL的意思。这个操作并不会频繁发生，只有在空闲的内存新建数据的时候才会使用它。太紧的tRAS值，有可能会导致数据丢失或不完整，太宽的值则会影响内存性能，尤其是在内存使用量增加的时候。所以一般为了稳定性，我们设置tRAS≥tRTP+tRCD+CL即可（tRTP不是tRP，将在第二时序中介绍），尤其是PCB不好或者跑高频的时候，多几个周期比较稳妥。

 

DRAM Command Mode（Command Rate，CR）：首命令延迟，也就是我们平时说的1T/2T模式。是指从选定bank之后到可以发出行地址激活命令所经过的时间。CR可能对性能的影响有比较大的变数：如果CPU所需要的数据都在内存的一个行地址上，就不需要进行重复多次的bank选择，CR的影响就很小；但是如果一个rank中同时多个bank要激活行地址，或者不同的rank中不同bank需要同时激活的时候，CR对性能的影响就会提升。但是随着内存频率的提升，CR=1T/2T的时间差越短，它的影响就会越来越小，这就是我们看到DDR1的时候1T/2T对性能影响挺大，但是到了DDR3影响就很小的其中一个原因。但是为了性能最大化，我们尽量把CR设为1T，但是如果bank数很多的时候，例如插满四条内存，就有32个bank，bank选择随机性增大，1T的首命令时间可能会不稳定。

所以，内存的基本读取操作的时序角度流程就是把上面那三张图合起来：预充电-激活行地址并寻找列地址-发送读取命令-读出数据，这四步操作中间的三个延迟就分别是tRP、tRCD和CL。和我们常说的时序顺序刚好是反过来的。

第二时序

尤其注意tRRD和tRFC这两个时序，其它的则一般不影响。

DRAM CAS Write Latency（tWCL）：列地址写入延迟，也就是DRAM的最小写入操作时间，与CL刚好是读写对应关系，一般跟CL值设为同一个值就是可以稳定的。由于内存读取之前必须先写入，所以这个值可以说与CL一样重要。但是在BIOS里一般没得设置，可能是与CL绑定了。

DRAM Row Cycle Time（tRC）：行周期时间。定义了同一bank两次行激活命令所间隔的最小时间，或者说是一个bank中完成一次行操作周期（Row Cycle）的时间，即tRP+tRAS（预充电加上激活的整个过程），tRC设得太紧可能会直接点开不了机，一般只要能进系统再多加一两个周期都是可以稳定的。下图显示的就是tRC的时间。



 

DRAM Row Refresh Cycle Time（tRFC）：行地址刷新周期，定义了一个bank中行地址刷新所需要的时间。重提一下刷新的含义，由于cell中电容的电荷在MOSFET关闭之后一段时间就会失去，为了维持数据，每隔很短一段时间就需要重新充电。这里多提一句，Intel平台和AMD平台对tRFC的含义不一样，AMD平台的tRFC是DRAM刷新延迟时间，单位是ns，通常有90/110/160/300几个值可以调整，也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升而提升；而Intel平台的单位则直接是时钟周期，相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更多，刷新时间也更长，因此tRFC也要更高。另外，tRFC如果太快会导致数据出错，太慢则影响性能，但可以增加稳定性。

DRAM Refresh Interval（tREFI）：内存刷新时间间隔，也就是内存的刷新命令生效前要经过的时间。刷新的时间间隔一般取决于内存颗粒的容量（density），容量越大，就越需要频繁刷新，tREFI值就要越低。另外tREFI的时间也会受到内存工作温度与内存电压（Vdimm）影响，因为温度越高电容漏电越快。一般在AMD主板的BIOS里，这个值只有3.9us和7.8us可选，而在SNB平台，则是按时钟周期算，例如DDR3-1333下默认值为5199T，换算过来就是2000/1333x5199=7800ns，也就是7.8us。一般DRAM颗粒的spec中都是规定工作温度大于85度时采用3.9us。

DRAM RAS to RAS Delay（tRRD）：行地址间延迟，定义的是同一rank不同bank间两个连续激活命令的最短延迟，在DDR3时代一般最小是4T。它的作用和CR有点像，不过比CR更多的时候对性能有较大的影响，所以这个时序可尽量缩小。

DRAM Write Recovery Time（tWR）：内存写入恢复时间，它定义了内存从写入命令发出（从开始写入算起）到下一次预充电间隔的时间，也就是tRP的前一个操作。如果这个时间设得太短，可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电，进行寻址，那么前一次写入的数据就会不完整，造成丢数据的情况。这个周期也是第二时序中比较长的，DDR3-2000一般需要10-14个周期，甚至更高。

DRAM Read to Precharge Time（tRTP）：与tWR类似，定义了同一rank上内存从读取命令发出到tRP之前的间隔时间，但是它在读取完成并且行地址关闭之后才会生效。单颗128MB的内存颗粒可以在DDR3-2000下运行在4到6个时钟周期，如果bank容量增大时，这个时序有可能要放宽。

DRAM Four Active Window（tFAW）：它定义了同一rank中允许同时发送大于四个行激活命令的间隔时间，因此最小值应该不小于tRRD的四倍。在DDR3上，tRRD的最小值是4T，因此tFAW的最小值就是16T。这个tFAW由于是在一个rank中大于四个bank同时激活之后才生效，因此在内存不是很繁忙的时候，它对性能的影响并不是很大。但是对一些频繁读写内存的操作（例如SuperPI 32M），tFAW对性能的影响可能会加大。由于现在内存用满的几率非常非常小，两根双面的内存更是有4个rank，配合上interleaving，一个rank中同时激活大于四个bank的几率应该不大，所以通常我们把它设为tRRD的四倍应该就不会出问题。

DRAM Write to Read Delay（tWTR）：内存写-读延迟，它定义的是内存写入命令发出后到下一个读取命令之间的时间间隔，最小为4T，与tRTP类似，提升内存的频率或者容量提升时，这个值需要提高。

第三时序

第三时序中对性能影响最大的是tRDRD和tWRWR。当内存频率小于2133MHz时，第三时序对性能的影响非常小。当内存频率超过2400MHz之后，tRDRD和tWRWR对内存带宽的影响非常大，这两个参数的最小值为4个周期，每加1个周期，内存读写性能就会出现较大幅度的下降，每放大一个周期内存带宽大约下降10%～15%。内存频率达到2800MHz之后这两个小参往往要放大到6个周期，性能上会有较大的损失，因此牺牲tRDRD和tWRWR换取超高频的做法是不可取的。其余第三时许的各个小参对性能影响不大，一般全部设置为Auto即可。

第二类，其中三个是tRDWR、tRDWR_dr和tRDWR_dd，这三个时序对效能影响不大也不小，一般2400-2800这段频率都设置在10-12，2133以下可使用BIOS Auto。另外还有一个最大的tWRRD，一般在2400以下可设16，2666以上需要设到20，对性能影响不大。

第三类，除了上边提到的之外剩下其它的六个。这当中除了tRDRD_dr和tWRWR_dr之外，其它四个都可以设为1T，设为4T效能最好，不过影响其实都非常非常小。而tRDRD_dr一般设为5T不用动，tWRWR_dr大多数时候可设为4T，单条8G的跑高频（2666以上）可能要设为8T。

 

频率和时序 哪个对内存性能影响更大？

 

 

 

想检测电脑内存压力的用户们可以试试利用这款TestMem5来帮助您，通过该程序您可以快速的测试您的PC内存稳定度和系统的储存能力，支持全命令行控制，允许自动测试或定期测试，可在所有主流windows操作系统下运行，运行时间越长，检测结果越精准，需要的话可以下载哦~
软件特色
软件十分的小巧，不会占用非常多的电脑内存
全方位智能化识别内存，不放过每个细节
对内存进行循环不间断的检测工作
软件亮点
– 更详细的错误报告。
– 全命令行控制，允许自动测试或定期测试。
– 当需要测试所有可用内存时，可选择自动生成多个 MemTest 的副本。
– 自动在磁盘上保存错误日志，以便您可以将错误报告发送销售商。此外，如果机器崩溃或关闭时，您可以读取错误日志查找原因。
– 允许您在后台测试正常使用机器的内存。
– 它不会在每次发现错误时暂停，因此它可用于确定故障是否与某些次要因素(例如室温变化或运行 3D 游戏时)相关，而不仅仅是作为确定是否存在错误的工具。
– 它可在没有“首次用户”消息的情况下运行。
使用说明
右键以管理员身份运行，它会自动开始测试，时间越长说明越稳定。首次使用需要点击加载配置按钮，然后选择bin目录下的MT.cfg，然后再打开一次。
软件测评
帮助用户快速的检测电脑中内存稳定度和系统的储存能力
测试PC内存读写能力，可以查看其性能，同时生成统计表格
可以参考官方数据进行对比，了解您的PC配置是否达到标准
对内存进行超频操作，从而将相关数据反馈给用户，更加仔细了解自己配置的性能速度
以上就是非凡小编为大家带来的TestMem5内存压力测试下载，想要了解更多实用工具类软件就请多多关注非凡软件站吧~

原文链接：

http://nga.178.com/read.php?&tid=19414565

https://github.com/integralfx/MemTestHelper/blob/master/DDR4%20OC%20Guide.md]

TM5 with the extreme config by anta777 seems to be faster than Karhu RAMTest at finding errors. One user has thoroughly tested it and they couldn't seem to fool it. YMMV.



我试过16G完整跑完1个循环(Cycle)大概40分钟

但查错速度比MT要快很多,实际上几分钟就能找到错误

我自己实测能过MT500%的参数,大约2分钟就报错了 我再也不相信MT了


使用方法:


1.下载TM5并解压(好象是个毛子写的,全名叫TestMem5)

[http://testmem.tz.ru/tm5.rar]


2.在TM5\bin目录下新建一个文本文件并改名为MT.cfg(如果已经存在就先删掉它),然后把自定义配置内容粘贴到MT.cfg中

(也可以保存为任意文件,在界面上用Load config & exit载入)


我猜这个自定义配置是国外大佬嫌默认配置压力不够大搞出来的,可以科学上网自行下载

[https://drive.google.com/file/d/1uegPn9ZuUoWxOssCP4PjMjGW9eC_1VJA]

不方便的可以直接到下方复制


3.最好用管理员模式运行(可能会弹出几次提示框说AWM模块需要超级管理员权限,按OK即可),否则会提示你正在运行兼容模式(如图所提示)


我不知道兼容模式有没有什么区别,但我都是用管理员模式跑的

如果看到日志框中出现文字:Customize: Extreme1 @anta777则加载成功


4.不用管让他跑,跑完会有提示

如果过程中任何错误数都会出现在Error(s),而且日志框中会出现一些乱码提示错误信息(我猜是毛子没有做好翻译,应该正常现象)


自定义配置extreme@anta777.cfg如下

Memory Test config file v0.02
Copyrights to the program belong to me.
Serj
testmem.tz.ru
serj_m@hotmail.com

[Main Section]
Config Name=Extreme1
Config Author=anta777
Cores=0
Tests=16
Time (%)=500
Cycles=3
Language=0
Test Sequence=4,6,1,12,2,4,12,2,5,7,1,13,2,5,13,2,8,9,1,14,2,8,14,2,10,11,1,15,2,10,3

[Global Memory Setup]
Channels=2
Interleave Type=1
Single DIMM width, bits=64
Operation Block, byts=64
Testing Window Size (Mb)=1408 ; еще лучше установить 1536 но не во всех железных конфигах получится
Lock Memory Granularity (Mb)=16
Reserved Memory for Windows (Mb)=128
Capable=0x0
Debug Level=7

[Window Position]
WindowPosX=63
WindowPosY=124

[Test0]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0

[Test1]
Enable=1
Time (%)=20
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=4
Test Block Size (Mb)=0

[Test2]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove128
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=2
Test Block Size (Mb)=0

[Test3]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=1
Pattern Param0=0x1E5F
Pattern Param1=0x45357354
Parameter=256
Test Block Size (Mb)=4

[Test4]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=4

[Test5]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0

[Test6]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=2
Test Block Size (Mb)=4

[Test7]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=2
Test Block Size (Mb)=0

[Test8]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x1E5F
Pattern Param1=0x45357354
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=4

[Test9]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305B
Pattern Param1=0x97893FB2
Parameter=2
Test Block Size (Mb)=4

[Test10]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x98FB
Pattern Param1=0x552FE552
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0

[Test11]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xC51C
Pattern Param1=0xC5052FE6
Parameter=2
Test Block Size (Mb)=0

[Test12]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=256
Test Block Size (Mb)=4

[Test13]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0x0
Pattern Param1=0x0
Parameter=256
Test Block Size (Mb)=0

[Test14]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xB79D9
Pattern Param1=0x253B69D4
Parameter=256
Test Block Size (Mb)=4

[Test15]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305A
Pattern Param1=0x1789AB54
Parameter=256
Test Block Size (Mb)=0


 

 

附件

 



 

说实话，虽然学弟会装机，但是学弟对超频啊之类的还是不太懂的，也没有去实操过。写这篇文章呢也是因为618装机为了节省预算，问朋友要了一条金百达8GB的内存，发现软件运行多了之后系统就卡到爆。不得已，只能自己掏钱去上双通道，就上了金士顿Fury DDR4 3200的车，8GB*2，应该能满足我的绝大多情况下的使用需求了。这几天也是对超频学习了一阵子，稍微有一些心得，就打算写个小白教程给大家。在超频之前我翻遍了全网都没有找到这款内存条的超频评测文章，我就自己摸索一下给大家打个样吧，这个小白教程适合找不到作业抄的。
超频之前先警告一下，超频有风险，开超需谨慎！
先介绍一下这次超频使用的内存条~
本次超频使用的内存条介绍
如果是想组建双通道，最好买这种套条，同一批次生产的稳定性会更好一些。金士顿Fury系列这款内存条的包装比较简约，透明的包装，很简单的贴纸。
包装右上角有支持Intel XMP Certifled的标识，代表这款内存是支持XMP一键超频的。
小小的说明书藏在了内存条的下面，说明书介绍了如何安装。不过这玩意基本没啥用，内存都不会装还买内存干什么。
学弟手里的这款为金士顿Fury DDR4 3200 8GB*2，工作频率为3200MHz，时序为CL16-18-18，工作电压为1.35V。
内存条的表面覆盖了一层黑色的散热装甲，依旧有神条的风范。内存顶部有HYPERX标识，熟悉的人都知道Hyperx是金士顿旗下的一个高端品牌。
金士顿 Furry DDR4 3200这款内存条的正面有传统的Hyperx标识，右侧则是FURY标识，右上角有DDR4标识。背面则是这款内存的参数信息贴纸，比较详细。
简单介绍一下这次测试所用的硬件配置
CPU：AMD 3700X
主板：ROG X570-E
显卡：ROG 5700
散热：酷冷至尊B360水冷
电源：振华 LEADEX ARGB 750W
学弟的这套配置差不多都是比较高端的品牌型号，应该不会成为内存性能测试的瓶颈。
内存的安装比较简单，组件双通道普通玩家选择1、3通道即可。听大佬说，如果玩超频建议插2、4通道，虽然不知道为什么，但我依旧听朋友的，插2、4通道。
黑色的内存装甲搭配黑色PCB主板，加上黑色的线材，看起来特别的搭，看起来还略微有一种高端的感觉哎。只是苦于钱包瘪了之后，机箱内灯光每提升10%，电脑性能提升50%的理论在我这里已经行不通了，只能上不带RGB灯效的普通马甲条了。
内存超频之前需要做的事
如果是纯超频不打算测试内存性能，可以只下载Thaiphoon和DRAM Calculator for Ryzen。如果还想对比测试一下超频前后的性能，那么CPU-Z、AIDA64最好也下载下来。找不到这几款软件的可以在文章结尾给出的超链接中下载，我已经给打包好了。
为了让像我一样的小白有点阅读体验，我还是简单那的介绍一下这几款软件在超频前后过程中的用途吧。
首先是Thaiphoon这款软件，中文名叫“台风”，目前最新的版本应该是16.2.0.0。Thaiphoon这款软件的功能还是很强大的，很多超频玩家也在用这款软件，除了能查看简单的内存信息之外，还可以修改和复制内存SPD信息。这次我们主要用它来检测内存的颗粒、内存是单面条还是双面条以及最重要的生成内存目前的延迟参数。
DRAM Calculator for Ryzen，就是大佬们常说的锐龙计算器。你可以把它理解成一名天才苦力，它会根据你目前使用的内存、CPU和主板来自动计算你想设定的超频的内存时序以及内存电压。
CPU-Z就不用过多的介绍了吧，相信点击这篇文章的人都知道。AIDA64是一款电脑硬件的综合测试软件，功能也是十分的强大。
获取内存信息
下载好Thaiphoon之后，将Thaiphoon解压到文件夹里。首次运行Thaiphoon需要以管理员的身份运行。然后就会出现下面这个界面，点击“Read”按钮读取本机内存信息。如果是两条内存或四条内存任选其中一个就可以(相信大多数人组建的双通道内存都是相同型号的内存吧)。
读取到电脑内存的SPD之后，点击顶部的“Report”按钮。
点击“Report”按钮之后会出现下面这个界面，将右边的滚动条拉到最底部，可以看到下方有一个“Show delays in nanoseconds”按钮，点击这个按钮就会将参数变成NS单位。
然后我们需要点击左上角的“Export”按钮，并选择Complete HTML Report选项。
然后将生成的.html文件另存为到你方便找到的位置，比如桌面。这个文件一般会以你的内存品牌以及型号来命名。
下面我们以管理员的身份运行DRAM Calculator for Ryzen这个程序，必须要用管理员身份运行哦，不然打不开的。
DRAM Calculator for Ryzen中填写硬件参数
打开软件就会出现下面这个界面，全是英文，英文不好的同学看到这个界面可能会有些懵，不用担心，我给大家介绍一下这款软件界面我们能用到的部分。
敲黑板！！！这里是重点！！！
第一项Processor这一项是要填写你的CPU类型，AMD处理器里面，1开头的就选Ryzen1，2开头的选Ryzen+，3开头的选择Ryzen2(比如3400G等ZEN+架构的APU除外)。
第二项是内存所用颗粒类型，如果不知道颗粒类型的可以询问购买店铺的客服，或直接查询颗粒上的编号，软件中又三星宁、海力士、镁光三种颗粒可以选择，具体是社么Die可以参考下图，根据制程和容量来判断。
第三项，有预设配置(支持XMP)的可以选择Debug，没有预设配置的选择V1或V2.V1代表体质比较好的颗粒，V2代表体制比较差的颗粒。
第四项，选择你所用的内存是单面条还是双面条。如果你的内存外卖呢没有马甲的话一眼就能看出来，只有一面有颗粒的就是单面条，两面都有颗粒的就是双面条。8GB单条内存一般都是都是单面条，16GB及以上一般都是双面条。内存外面有马甲不确定的同学可以打开我们上面提到的Thaiphoon这款软件，在Organization里面有显示。标志1 rank就是单面条，标注2 ranks就是双面条。
第五项是选择一个你要超到的频率，这个频率的选择并不是乱选，要根据内存的情况去选择。我们主要是以稳定为主，如果你的内存原始频率为2666，可以把目标放在3000、3200这两个频率上，先测试一下稳不稳，稳的话再继续往上超。比如金士顿Fury这款内存，原生频率2400，官方已经超到了3200，那我就需要一点一点往上试，先3466，3600的时候计算器测试就不通过了，那么我就去超3466了。
第六项则是需要选择你要超频的内存数，主板上插了几根就选几，学弟这边是双通道插了两根，就选2。
第七项是选择主板类型，根据你的主板选择就可以，学弟用的是华硕ROG X570-E，所以需要选择X570这一项。
按照上面的操作，我们第二步就完成了，应该没什么难度吧。下面我们进行下一步~
计算最佳时钟跟内存电压
还记得我们之前用Thaiphoon导出的html文件吗？到了该用它的时候了！我们点击DRAM Calculator for Ryzen左下角的Import XMP按钮。将刚刚用Thaiphoon导出的html文件导入进来，就可以看到原内存时钟自动填充了。
接下来，我们可以看到软件下方有几个不同颜色的按钮。绿色的那个Calculate SAFE按钮代表的是安全参数，就是生成超频的安全参数。红色的Calculate FAST按钮代表激进参数，最右边红色的Calculate Extreme按钮代表激进参数。个人建议选择绿色的安全参数按钮，如果知道CPU、主板、内存体质还比较好的话可以选择激进参数。极限参数对于小白就不推荐使用了。
我们点击了Calculate SAFE按钮之后，软件就把适合你主板内存的时序电压都计算出来了。个人建议小白用户只该时序和电压就可以，其他选项按照主板默认Auto。需要注意的时时序一定要按照软件算出来的时序准确输入到BIOS中，电压可以先选择Max电压，如果电脑蓝屏启动不了再慢慢的往下降。
别急！先不要关闭软件，最好用手机拍照记下来！因为我们接下来就要进入BIOS进行设置了，所以要先找个地方记下来才行。
主板BIOS超频设置
我这边以华硕主板的BIOS为例，出现开机界面按下Del键进入主板BIOS(其他品牌主板请自行百度查阅)。如果之前没有设置过，进入主板BIOS会是这个界面，按下F７进入高级设置！
然后在Ai Tweaker选项中选择内存频率，设置好我们开始打算超到的频率。
然后进入内存时序控制选项中按照刚才软件计算出的时序输入进去。
电压我们先按照Max电压进行输入。
然后F10保存重启。
成功进入系统后，先不要高兴的太早。我们还需要进行一番测试，先用AIDA64跑一下分，看看能不能跑下来。如果跑不下来就要重新进入BIOS中降低内存的电压，一点一点的降，慢慢试。如果开机蓝屏进不去系统，我们先尝试降低内存电压，如果还不行就先还原BIOS，重新进入系统，选择一个低一些的频率进行尝试。超频是一个非常繁杂的过程，需要一点一点的去尝试。由于篇幅原因，我这里就不继续给大家演示了，方法都跟前面是一样的，就是慢慢试慢慢来。
超频前后性能对比
首先学弟对内存进行了压力测试，看看内存超频后的散热表现怎么样。超频之前AIDA64压了7分钟，内存温度维持在49℃左右。超频后同样用AIDA64压了7分钟，内存温度维持在52℃左右。说明金士顿Fury DDR4 3200这款内存条的散热完全没有问题的，老玩家可以去冲击更高的频率。
我这里用AIDA64测试了默频状态下跟超频状态下内存性能的对比，读取速度超频后相较超频前提升了17%，写入速度超频后相较超频前提升了15.6%，复制速度超频后相较超频前提升了17.5%。超频后相较于超频之前，性能提升巨大。可能不仅仅是内存条超频性能好，可能还要加上我欧皇附体。
最后我们看一下鲁大师跑分，鲁大师5.20.1205版本内存跑分11022分，可惜忘了截图超频之前的数据。
写在最后
经过了一晚上的折腾，将金士顿Fury DDR4 3200这套条子超到了3466，电压1.415V，时序为16-19-19-19-38，依旧保持了很不错的时序。即便是这样，这套条子还是有巨大的超频潜力，小白学弟还是决定到此为止，毕竟这是一个性能提升明显并且时序还不错的频率。发了个朋友圈有朋友留言说超到了3800，我就不继续折腾了，更高的频率留给大家去超了。另一方面也考虑到小白刚开始玩超频没有必要去极致的压榨性能，稍微超一下，能够感觉到不花钱带来的性能提升也是超级快乐的。
最后还是那句话，超频有风险，开超需谨慎。大家一定不要盲目的直接去超高频率，最好慢慢的往上加，测试时能跑完AIDA64内存测试即可。超频是一个繁杂有趣的过程，要乐在其中，不要着急。另外，学弟也是个小白，文章里面可能有一些错误或纰漏还请大家指出。