精华内容
下载资源
问答
  • MOS参数-MOS参数含义说明及详解

    千次阅读 2020-11-07 13:53:11
    文章转自:MOS参数-MOS管...MOS管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管,比较常用的

    文章转自:MOS管参数-MOS管参数含义说明及详解-KIA MOS管
    地址链接:http://www.kiaic.com/article/detail/1014.html

    MOS管分类说明

    MOS管参数说明,在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。MOS管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的 MOS 管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。

    MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。MOS 管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

    MOS 损耗

    导通损耗:不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。
    开关损耗:现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

    MOS管驱动

    MOS管导通不需要电流,只要 GS 电压高于一定的值,就可以了。但是,我们还需要速度。在 MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而 MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。普遍用于高端驱动的 NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或 10V 其他电压,看手册)。如果在同一个系统里,要得到比 VCC 大的电压,就要专门的升压电路了,很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

    MOS管参数含义说明
    1、极限参数:

    ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额

    IDM:最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额

    PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额

    VGS:最大栅源电压

    Tj:最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量

    TSTG:存储温度范围

    2、静态参数

    V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。△ V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃

    RDS(on):在特定的 VGS (一般为 10V)、结温及漏极电流的条件下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算

    VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低

    IDSS:饱和漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在微安级

    IGSS:栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大,IGSS 一般在纳安级

    3、动态参数

    gfs :跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 gfs 与 VGS 的转移关系注意看图表

    Qg :栅极总充电电量。 MOSFET 是电压型驱动器件,驱动的过程就是栅极电压的建立过程,这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的,下面将有此方面的详细论述

    Qgs :栅源充电电量

    Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller 效应)电量

    Td(on) :导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间

    Tr :上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

    Td(off) :关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

    Tf :下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间

    Ciss :输入电容, Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路)

    Coss :输出电容,Coss = CDS +CGD

    Crss :反向传输电容,Crss = CGD

    MOS管的极间电容,MOSFET 之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容,输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下。此些电容随漏源电压的变化而变化,电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明,而栅极充电信息更为有用。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

    4、雪崩击穿特性参数

    这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态

    EAS:单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量

    IAR:雪崩电流

    EAR:重复雪崩击穿能量

    5、体内二极管参数

    IS:连续最大续流电流(从源极)

    ISM:脉冲最大续流电流(从源极)

    VSD:正向导通压降

    Trr:反向恢复时间

    Qrr:反向恢复充电电量

    Ton:正向导通时间。(基本可以忽略不计)

    在应用过程中,以下几个特性是经常需要考虑的:

    1、V(BR)DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠。但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。

    2、 V(GS)th 的负温度系数特性。栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小。一些辐射也会使得此门槛电位减小,甚至可能低于0电位。这一特性需要工程师注意MOSFET在此些情况下的干扰误触发,尤其是低门槛电位的MOSFET应用。因这一特性,有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指 N 型,P 型类推)以避免干扰误触发。

    3、VDSon/RDSon 的正温度系数特性。VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得MOSFET的直接并联使用变得可能。双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化。RDSon也会随着ID的增大而略有增大,这一特性以及结和面RDSon正温度特性使得MOSFET避免了象双极型器件那样的二次击穿。 但要注意此特性效果相当有限,在并联使用、推挽使用或其它应用时不可完全依赖此特性的自我调节,仍需要一些根本措施。这一特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的选择。

    4、ID的负温度系数特性,MOSFET参数理解及其主要特性ID会随着结温度升高而有相当大的减额。这一特性使得在设计时往往需要考虑的是其在高温时的ID参数。

    5、雪崩能力IER/EAS的负温度系数特性。结温度升高后,虽然会使得MOSFET具有更大的 V(BR)DSS ,但是要注意EAS会有相当大的减额。也就是说高温条件下其承受雪崩的能力相对于常温而言要弱很多。

    6、MOSFET 的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好。在设计中并不期望利用其作为回路主要的电流载体。往往会串接阻拦二极管使体内寄生二极管无效,并通过额外并联二极管构成回路电载体。但在同步整流等短时间导通或一些小电流要求的情况下是可以考虑将其作为载体的。

    7、漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 (spurious-trigger) ,故在很大的 dVDS/dt 应用场合(高频快速开关电路)需要考虑这方面的可能性。

    展开全文
  • MOS管子参数计算

    2020-08-04 23:55:32
    对于一个MOS电路来说,计算的话,有两个参数是比较重要的。一个是vth,一个是UnCox。不考虑其他效应。
  • MOS主要参数

    2012-12-17 16:47:09
    MOS主要参数: 1.开启电压VT  ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2...

    MOS管主要参数:

    1.开启电压VT
      ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
      ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
      ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

    2. 直流输入电阻RGS
      ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
      ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
      ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

    3. 漏源击穿电压BVDS
      ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
      ·ID剧增的原因有下列两个方面:
      (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
      (2)漏源极间的穿通击穿
      ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后
    ,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

    4. 栅源击穿电压BVGS
      ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS

    5. 低频跨导gm
      ·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
      ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
      ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
      ·一般在十分之几至几mA/V的范围内

    6. 导通电阻RON
      ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
      ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大 ,一般在几十千欧到几百千欧之间
      ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
      ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

    7. 极间电容
      ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
      ·CGS和CGD约为1~3pF
      ·CDS约在0.1~1pF之间

    8. 低频噪声系数NF
      ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
      ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输   出端也出现不规则的电压或电流变化
      ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)
      ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
      ·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
      ·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

    展开全文
  • MOS参数解释.doc

    2014-05-15 15:10:48
    MOS参数解释
  • MOS参数每一个参数详解-收藏版

    万次阅读 多人点赞 2019-09-27 11:01:49
    MOS参数 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电...

    MOS管参数

    在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。

    MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.

    gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示.

    1、最大额定参数
    (最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃))
    在这里插入图片描述
    2、VDSS 最大漏-源电压
    在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

    3、VGS 最大栅源电压
    VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压,但是会随制造工艺的不同而改变,因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

    4、ID - 连续漏电流
    ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数:
    在这里插入图片描述
    ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。

    5、IDM - 脉冲漏极电流
    该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
    在这里插入图片描述
    因此需要设定电流密度上限,防止芯片温度过高而烧毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线,因为在某些情况下,整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片,而是封装引线。

    考虑到热效应对于IDM的限制,温度的升高依赖于脉冲宽度,脉冲间的时间间隔,散热状况,RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论,来估计脉冲电流下结温的情况。

    6、PD - 容许沟道总功耗
    容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗,可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。
    在这里插入图片描述
    TJ, TSTG-工作温度和存储环境温度的范
    这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内,将极大地延长其工作寿命。

    7、EAS - 单脉冲雪崩击穿能量
    如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩击穿,因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值,其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。

    定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

    L是电感值,iD为电感上流过的电流峰值,其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散的能量类似。

    MOSFET并联后,不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是:某个器件率先发生雪崩击穿,随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

    8、EAR - 重复雪崩能量
    重复雪崩能量已经成为“工业标准”,但是在没有设定频率,其它损耗以及冷却量的情况下,该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。

    额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是:不对频率做任何限制,从而器件不会过热,这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中,最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度,来观察MOSFET器件是否存在过热情况,特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。

    9、IAR - 雪崩击穿电流
    对于某些器件,雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行限制。这样,雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述”;其揭示了器件真正的能力。
    在这里插入图片描述
    10、静态电特性
    在这里插入图片描述
    V(BR)DSS:漏-源击穿电压(破坏电压)

    V(BR)DSS(有时候叫做VBDSS)是指在特定的温度和栅源短接情况下,流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。

    V(BR)DSS是正温度系数,温度低时V(BR)DSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。在-50℃, V(BR)DSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。

    VGS(th),VGS(off):阈值电压

    VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流,或关断MOSFET时电流消失时的电压,测试的条件(漏极电流,漏源电压,结温)也是有规格的。正常情况下,所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此,VGS(th)的变化范围是规定好的。VGS(th)是负温度系数,当温度上升时,MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。

    RDS(on):导通电阻

    RDS(on)是指在特定的漏电流(通常为ID电流的一半)、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。

    IDSS:零栅压漏极电流

    IDSS是指在当栅源电压为零时,在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大,IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算,通常这部分功耗可以忽略不计。

    IGSS ―栅源漏电流

    IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。

    11、动态电特性
    在这里插入图片描述
    Ciss :输入电容
    将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

    Coss :输出电容
    将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成,或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用,Coss非常重要,因为它可能引起电路的谐振。

    Crss :反向传输电容
    在源极接地的情况下,测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd,反向传输电容也常叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容。
    在这里插入图片描述
    Qgs, Qgd, 和 Qg :栅电荷
    栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷,既然开关的瞬间,电容上的电荷随电压的变化而变化,所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。

    Qgs从0电荷开始到第一个拐点处,Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分(也叫做“米勒”电荷),Qg是从0点到VGS等于一个特定的驱动电压的部分。
    在这里插入图片描述
    漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小,而且栅电荷不随温度的变化。测试条件是规定好的。栅电荷的曲线图体现在数据表中,包括固定漏电流和变化漏源电压情况下所对应的栅电荷变化曲线。在图中平台电压VGS(pl)随着电流的增大增加的比较小(随着电流的降低也会降低)。平台电压也正比于阈值电压,所以不同的阈值电压将会产生不同的平台电压。

    下面这个图更加详细,应用一下:
    在这里插入图片描述
    td(on) :导通延时时间
    导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。

    td(off) :关断延时时间
    关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。

    tr :上升时间
    上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。

    tf :下降时间
    下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间。

    mos管基本参数
    向传输电容 Crss = CGD .

    Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD .

    Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

    Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.

    Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻.

    Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻.

    Td(on):导通延迟时刻.从有输入电压上升到 10% 开端到 VDS 下降到其幅值90%的时刻.

    Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller效应)电量.

    Qgs:栅源充电电量.

    Qg :栅极总充电电量.

    动态参数
    IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 通常在纳安级.

    IDSS :饱满漏源电流,栅极电压 VGS=0 、

    VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级.

    VGS(th) :敞开电压(阀值电压).当外加栅极操控电压 VGS超越VGS(th)

    时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道.应用中,常将漏极短接前提下 ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压.此参数通常会随结温度的上升而有所下降.

    RDS(on) :在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大(正温度特性). 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算.

    △V(BR)DSS/ △

    Tj :漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/ ℃.

    V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0

    时,场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的作业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度特性.故应以此参数在低温前提下的值作为安全考虑. 加负压非常好。

    静态参数
    TSTG :存储温度范围.

    Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. (此参数靠不住)

    VGS:最大栅源电压.,通常为:-20V~+20V

    PD:最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额.(此参数靠不住)

    IDM:最大脉冲漏源电流.表现一个抗冲击才能,跟脉冲时刻也有联系,此参数会随结温度的上升而有所减额.

    ID:最大漏源电流.是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最大电流.场效应管的作业电流不应超越 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

    极限参数
    ards—漏源电阻温度系数

    aID—漏极电流温度系数

    Vn—噪声电压

    η—漏极效率(射频功率管)

    Zo—驱动源内阻

    VGu—栅衬底电压(直流)

    VDu—漏衬底电压(直流)

    Vsu—源衬底电压(直流)

    VGD—栅漏电压(直流)

    VDS(sat)—漏源饱满电压

    VDS(on)—漏源通态电压

    V(BR)GSS—漏源短路时栅源击穿电压

    Vss—源极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGG—栅极(直流)电源电压(外电路参数)

    VDD—漏极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGSR—反向栅源电压(直流)

    VGSF–正向栅源电压(直流)

    Tstg—贮成温度

    Tc—管壳温度

    Ta—环境温度

    Tjm—最大容许结温

    Tj—结温

    PPK—脉冲功率峰值(外电路参数)

    POUT—输出功率

    PIN–输入功率

    PDM—漏极最大容许耗散功率

    PD—漏极耗散功率

    R(th)ja—结环热阻

    R(th)jc—结壳热阻

    RL—负载电阻(外电路参数)

    Rg—栅极外接电阻(外电路参数)

    rGS—栅源电阻

    rGD—栅漏电阻

    rDS(of)—漏源断态电阻

    rDS(on)—漏源通态电阻

    rDS—漏源电阻

    Ls—源极电感

    LD—漏极电感

    L—负载电感(外电路参数)

    Ku—传输系数

    K—失调电压温度系数

    gds—漏源电导

    ggd—栅漏电导

    GPD—共漏极中和高频功率增益

    GpG—共栅极中和高频功率增益

    Gps—共源极中和高频功率增益

    Gp—功率增益

    gfs—正向跨导

    Ipr—电流脉冲峰值(外电路参数)

    Iu—衬底电流

    IDSS2—对管第二管漏源饱满电流

    IDSS1—对管第一管漏源饱满电流

    IGSS—漏极短路时截止栅电流

    IF—二极管正向电流

    IGP—栅极峰值电流

    IGM—栅极脉冲电流

    IGSO—漏极开路时,截止栅电流

    IGDO—源极开路时,截止栅电流

    IGR—反向栅电流

    IGF—正向栅电流

    IG—栅极电流(直流)

    IDS(sat)—沟道饱满电流(漏源饱满电流)

    IDSS—栅-源短路时,漏极电流

    IDSM—最大漏源电流

    IDS—漏源电流

    IDQ—静态漏极电流(射频功率管)

    ID(on)—通态漏极电流

    dv/dt—电压上升率(外电路参数)

    di/dt—电流上升率(外电路参数)

    Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

    Ear:重复雪崩击穿能量

    Iar: 雪崩电流

    一些别的的参数
    Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

    Qrr :反向恢复充电电量.

    Trr :反向恢复时刻.

    VSD :正导游通压降.

    ISM:脉冲最大续流电流(从源极).

    IS :接连最大续流电流(从源极).

    体内二极管参数
    结点到邻近环境的热阻,含义同上.

    外壳到散热器的热阻,含义同上.

    结点到外壳的热阻.它标明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值巨细.公式表达⊿ t = PD* ?.

    热阻
    EAR:重复雪崩击穿能量.

    IAR :雪崩电流.

    EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.

    雪崩击穿特性参数:这些参数是 MOSFET 在关断状态能接受过压才能的目标.假设电压超越漏源极限电压将致使器材处在雪崩状态.

    KIA半导体MOS管具备挺大的核心竞争力,是开关电源生产厂家的最好的选择。KIA半导体 MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域;可申请样品及报价和有技术支持,有什么问题有技术员帮忙解决问题!有需要或想了解下的可以加扣扣:2880195519、18123972950

    展开全文
  • MOS管子参数计算知识

    2020-08-10 17:05:48
    对于一个MOS电路来说,计算的话,有两个参数是比较重要的。一个是vth,一个是UnCox。不考虑其他效应。
  • 关于mos参数解读

    2020-07-13 10:00:19
    mos管基本参数 Coss:输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss:输入电容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。 Tf:下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td(off):关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其...
  • MOS参数详解.doc

    2021-09-01 10:03:31
    MOS参数详解,很好的资料,自己有空的时候 归纳的,分享
  • MOS参数含义.pdf

    2021-03-16 14:34:48
    MOS管各参数的含义简介
  • MOS管的主要参数与重要特性

    千次阅读 2019-05-23 14:23:04
    下面总结下其主要参数与重要特性,只有比较好的理解了各种参数和特性才能设计出稳健可靠的电路。 主要参数: 静态特性参数 BVDSS:漏源击穿电压,为正温度系数。 BVGS:栅源击穿电压 VGS(th):阈值电...

    双极性晶体管:NPN和PNP管;

    单极性晶体管:场效应管(MOSFET和JFET);

    MOS管相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、容易集成等优点。

    下面总结下其主要参数与重要特性,只有比较好的理解了各种参数和特性才能设计出稳健可靠的电路。

     

    主要参数:

    • 静态特性参数

    BVDSS:漏源击穿电压,为正温度系数。

    BVGS:栅源击穿电压

    VGS(th):阈值电压,为负温度系数。

    RDS(on):导通电阻;

    RGS:栅源电阻,栅源之间电压与栅极电流之比;

    IDSS:零栅压漏极电流,正温度系数;

    IGSS:栅源漏电流,特定的栅源电压下流过栅极的电流;

    • 动态特性参数

    Ciss输入电容,漏源短接,交流信号测得的栅极和源极之间的电容。

    Ciss=Cgs+Cgd,输入电容充电到阈值电压时器件开启,放电到一定值器件关断,因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有直接影响;

    Coss输出电容,栅源短接,交流信号测得漏极和源极之间的电容。

    Coss=Cds+Cgd,对于软开关应用,可能引起电路谐振

    Crss反向传输电容,源极接地,测得漏极和栅极之间电容,等同于Cgd。

    也叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间及其重要。

    Td(on)导通延迟时间:栅源电压上升到10%栅极驱动电压时到漏电流升到规定电流的90%所经历的时间。

    Td(off)关断延时时间:栅源电压下降到90%栅极驱动电压时到漏电流下降到规定电流的10%所经历的时间。

    Tr:上升时间:漏极电流从10%上升到90%所经历的时间;

    Tf:下降时间:漏极电流从90%下降到10%所经历的时间;

    NF低频噪声系数:噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的,由于它的存在可以使放大器在没有信号输入时,输出端也会有不规格的电压电流变化。场效应管的噪声系数一般几个分贝,比双极性三极管的要小。

     

    重要特性:

    • 导通特性

    导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。

    • 损失特性

    导通后均有导通电阻存在,电流就会被电阻消耗能量,这部分叫做导通损耗

    小功率的管子导通电阻一般几毫欧几十毫欧,Vgs电压不一样电阻也不一样。

    管子在导通和截止时,两端电压有个降落过程,电流有个上升过程,在这段时间内

    管子的损失是电压和电流的乘积,称之为开关损失;通常开关损失比导通损失大很

    多,频率越快,损失越大。缩短开关时间,降低开关频率均能减小开关损失。

    • 寄生电容驱动特性

    GS GD之间存在寄生电容,MOS管的驱动理论上是对电容的充放电;

    对电容的充电需要一个电流,由于电容充电瞬间可以看成短路,所以瞬间电流会比

    较大,所以选型时需要注意抗冲击电流大小。

    • 寄生二极管

    漏极源极之间有个寄生二极管也叫做体二极管,在感性负载(马达继电器)应用

    中,主要用来保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中,集成芯片中是没有的。

    • 转移特性

    场效应管的转移特性是指漏源电压固定时,栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性;

    Vertical D-MOS2N7002的转移特性;VDMOS的跨导(gm)线性度较好。

    欢迎加入硬件QQ群:101 808 3751,一起讨论硬件问题,分享调试心得,共同成长。

     

    展开全文
  • MOS管的主要参数说明

    2021-06-02 10:48:30
    因此应该要避免Gate级电压处于这个区间 2.Drain-Source ON Resistance - Rds(on): MOS管打开后ds之间会有内阻即Rds(on),其值随着Vgs的攀升而降低 在选择MOS时应选择在理想的逻辑高电压附近Rds(on)值最小的,并且该...
  • MOS参数详解及驱动电阻选择.pdf
  • MOS参数中英对照

    2012-09-13 11:19:42
    MOS管中英对照,你值得拥有,从此不必在英语
  • MOS参数解释

    千次阅读 2011-03-16 09:56:00
    MOS参数解释2011-2-18 5:59:00 0 推荐 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种,可以被制造成...
  • ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。    2.直流输入电阻RGS  即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很...
  • MOS参数计算

    2021-07-27 10:50:05
    设计电路尺寸时,需要用到萨支唐公式,那么如何得到公式中的Vth和unCox呢? 法1:看工艺的model,一般可以直接找到PMOS和NMOS的Vth0,u0和tox,根据下列公式由tox计算得出Cox, ...法2:搭单个管子的电路,DC...
  • MOS参数详解

    千次阅读 2017-11-01 20:33:49
  • Mos参数说明

    千次阅读 2014-08-01 15:10:39
    场效应管参数说明   Cds---漏-源电容  Cdu---漏-衬底电容  Cgd---栅-源电容  Cgs---漏-源电容  Ciss---栅短路共源输入电容  Coss---栅短路共源输出电容  Crss---栅短路共源反向传输电容  D---占空比(占空...
  • 带你读懂MOS参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
  • 有关mos管的参数解读

    2020-07-12 21:48:14
    mos管基本参数 Coss:输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss:输入电容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。 Tf:下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td(off):关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其...
  • MOS管的基本参数

    2021-01-20 00:48:08
    MOS管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。  上图四项指标,项是导通延时时间,第二项是上升...
  • 1、用图示仪检测MOS直流参数; 2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法,并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。 二、实验原理 同实验五 三、实验设备 晶体管图示仪:该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种...
  • MOS参数解读(热阻、输入输出电容及开关时间)

    万次阅读 多人点赞 2019-12-12 10:36:46
    本博客主要讲述MOS管热阻,MOS输入输出电容,MOS管开关时间。
  • 转载-详解功率MOS参数

    千次阅读 2020-10-08 21:55:53
    参考博文:...
  • 三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)...
  • MOS管型号参数大全

    2012-08-12 18:45:04
    各种MOS管型号大全,各种参数,耐压值等,我感觉是一个很好的一个文档。
  • 我们打开一个MOS管的SPEC,会有很多电气参数,今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。   热阻,英文Thermal resistance,指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是...
  • 本篇文章对开关电源当中的MOS参数选择给出了一些意见。特别是对其中一些重要的参数进行了着重的讲解。通过参数的确定,我们就能更加快速准确的为开关电源选择合适的MOS管。
  • 一、MOS管选型注重的参数 1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力;...二、MOS主要参数及使用 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等...
  • MOS场效应管参数

    2014-05-26 19:45:43
    MOS场效应管参数.在电子设计方面所要用到的MOS

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 11,105
精华内容 4,442
关键字:

mos主要参数