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  • RAM ROM

    2021-04-22 10:11:00
    存储器分为RAMROM ROM:全称为Read-Only-Memory。曾经为只能读不能写,出厂是什么就是什么。后来随着技术的发展,ROM也可以任意修改了、 RAM:全称为Readom Access Memory。分为两类。 静态RAM(Static RAM/SRAM...

    存储器分为RAM和ROM。

    RAM和ROM等存储单元的物理地址映射是由硬件工程师决定,在划分时考虑电路的延迟,将这些存储单元按照一定的方式挂在同一条AHB总线上。嵌入式平台软件工程师可以通过修改链接脚本来设置哪些数据、代码在程序运行时放在ROM里,哪些放在RAM里。

    ROM:全称为Read-Only-Memory。曾经为只能读不能写,出厂是什么就是什么。后来随着技术的发展,ROM也可以任意修改了、

    RAM:全称为Readom Access Memory。分为两类。

    静态RAM(Static RAM/SRAM)。读写速度最快的存储设备。成本高,存储1bit数据需要4-6个晶体管。一般用于CPU的一级/二级缓冲。

    数据存入后不会消失。只有下次被重新赋值或断电后才会改变或消失,Static变量存储在此。

    动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM必须在一定时间内不停刷新才能保存其中存储的数据。

    DRAM数据存储时间短,速度比SRAM慢,但比ROM快。成本低,存储1字节用1只晶体管。一般用于计算机内存。DRAM 内仅仅能保持其内存储的电荷非常短暂的时间,所以它需要在其内的电荷消失之前就进行刷新直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写操作都能刷新DRAM 内的电荷,所以DRAM 就被设计为有规律的读取DRAM 内的内容。

    RAM用来存储程序中的变量,可以被改变的量。包含:全局变量,局部变量,堆栈段等。

    内存:用的RAM芯片,掉电后数据会丢失。内存通电后,电子进入内存的存储空间。每一个格中有电子为1,没有电子为0.因为电子的运动是没有规律的,内存通电后才会有力,才能保证电子稳定的在某一个空间,当断电后,电子随机运动,所以断电后内存不能保存数据。
    随机读取。读取速度快。

    RAM存储器的存储原理:在RAM中有两个总线,一个是数据总线一个是地址总线。数据总线的作用是数据的输入和输出。地址总线是对数据的定位。当CPU想从RAM中调用数据时,首先告诉地址总线要调取的数据的地址信息,当地址解码器接收到地址总线送来的地址数据之后,它会据此定位CPU 想要调用的数据存储位置,经过一些个时钟周期后,然后通过数据总线将其中的数据传送到CPU。

     

    ROM

    FLASH芯片:信息不是电子记录,而是磁化性的物质。通电后,电子能改变每一个空间上物质的磁性,改变磁性后,就算掉电该物质的磁性也不会丢失,所以FLSAH芯片掉电后数据也能保留。电流只是能够对物质进行磁性的赋予和擦除。通电后电子进入该空间并返回磁性的信息,通过这种方式来读取FLASH芯片上的数据。
    读取速度慢。

    因FLASH ROM在写数据的时候只能将1改为0,不能将0改为1,所以每次写新数据之前必须先擦除,将所有数据置1,而且只能整页扇区的擦除,不能进行单字节的擦除。FLASH只能成块的进行读写,所以在读写时需要有足够的缓存。

    主要用来存储代码,在运行过程中不能更改。Bootloader和操作系统存储在此。

    相对EEPROM而言,可擦写的次数较少。电路结构简单,相同容量芯片面积小,成本低。

    FLASH主要分为NOR FLASH和NAND FLASH。

    NOR FLASH的读取方式与SDRAM一样,可直接运行存放在NOR FLASH里的代码,减少SRAM的容量节约成本。多用于存储操作系统等重要数据。

    NAND FLASH的读取方式为一次读取一块,一般为512字节,不是随机读取技术,成本低。用户不能直接运行NAND FLASH上的代码。

     

     

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  • RAM RoM

    2020-03-24 20:04:31
    RAM-Ramdom Access Memory易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。 ROM-Read Only Memory...ROMRAM是计算机内存储器的两种型号,ROM表示的是只读存储器,即:它只能读...

    RAM-Ramdom Access Memory易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。 

    ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失,如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低,(较RAM而言)且不能改写。由于不能改写信息,不能升级,现已很少使用。

    ROM和RAM是计算机内存储器的两种型号,ROM表示的是只读存储器,即:它只能读出信息,不能写入信息,计算机关闭电源后其内的信息仍旧保存,一般用它存储固定的系统软件和字库等。RAM表示的是读写存储器,可其中的任一存储单元进行读或写操作,计算机关闭电源后其内的信息将不在保存,再次开机需要重新装入,通常用来存放操作系统,各种正在运行的软件、输入和输出数据、中间结果及与外存交换信息等,我们常说的内存主要是指RAM。

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  • ram rom ssd_RAM是新的SSD

    2020-05-18 08:25:52
    ram rom ssd 您的数据适合RAM。 是的,它确实。 不相信吗? 访问热闹的yourdatafitsinram.com网站。 但是自从英特尔上周宣布以来,这已经有了一个全新的维度,博客领域对此还没有引起足够的重视。 新型3D ...

    ram rom ssd

    您的数据适合RAM。 是的,它确实。 不相信吗? 访问热闹的yourdatafitsinram.com网站。

    但是自从英特尔上周宣布以来,这已经有了一个全新的维度,博客领域对此还没有引起足够的重视。

    新型3D XPoint™技术带来的非易失性存储器速度比NAND(当今市场上最流行的非易失性存储器) 快1000倍

    然后:

    两家公司发明了独特的材料化合物和交叉点架构,用于存储技术,其密度是传统存储器的10倍

    这是个重大新闻,您可以从这里的官方消息中阅读: http : //newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology

    对软件意味着什么?

    SSD已经对我们如何看待软件产生了重大影响,尤其是在数据库业务中。 许多RDBMS的内部优化都基于这样一个事实,即数据库安装在CPU少,RAM少,硬盘大的系统上。 HDD的速度非常慢,并且由于自旋而导致许多延迟。 数据需要在几层上缓存–在访问磁盘上块的操作系统中以及在访问表或索引中的行的数据库中。

    SSD改变了很多,因为旋转(及其相关的延迟)已经消失,这对于索引查找最有用,正如use-the-index-luke.com的Markus Winand解释的那样:

    索引查找有导致许多随机IO操作的趋势,因此可以受益于SSD的快速响应时间。 有趣的是,索引正确的数据库比索引不正确的数据库从SSD中获得更好的收益

    SSD仍然是相对较新的产品,尚未在企业数据中心和相关软件中完全采用,但是,我们已经看到了这一新趋势:

    RAM是新的SSD

    您的datafitsinram.com上最令人印象深刻的显示之一是Stack Exchange,它是运行流行的Stack Overflow的平台。 根据他们的网站 ,该平台每月平均每秒225个请求向其用户传输48 TB数据

    从我们的角度来看,数据库指标甚至更有趣,因为Stack Overflow本质上运行着一个SQL Server实例(具有热备用),每天通过384 GB的RAM2.4TBDB容纳440M查询。

    完整的指标可以在以下网站上找到: http : //stackexchange.com/performance

    现在,让我们将Intel的新3D XPoint™技术应用于该模型-毕竟我们可能不再需要任何磁盘了(日志和备份除外)?

    然而。

    随着摩尔定律的停止,最近的大量宣传都围绕着对横向扩展的需求,我们现在需要在许多核心上并行化。 但这并不意味着我们绝对需要在许多机器上并行化。 将所有数据处理保持在一个可以通过处理器和RAM进行大规模扩展的地方,这将有助于我们避免难以管理的网络延迟,并再次使我们能够继续使用已建立的,略微适应的RDBMS技术。 硬件价格将很快崩溃。

    我们期待着一个令人兴奋的大规模扩展新时代。 使用SQL,当然!

    翻译自: https://www.javacodegeeks.com/2015/08/ram-is-the-new-ssd.html

    ram rom ssd

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  • 存储器RAM ROM FLASH介绍

    2016-01-17 20:33:18
    RAM ROM Flash 本文介绍存储分类。 关键词 四轴飞行器无人机 Cortex M3 ARM 姿态解算 1. ROMRAM指的都是半导体存储器, 1.1 ROM-(Read Only Memory) 1.1.1 特点 ROM掉电保持数据。 1.1.2 ROM分类 1. PROM...

    RAM ROM Flash

    本文介绍存储分类。

    关键词 单片机内存 RAM ROM FLASH

    1.ROM和RAM指的都是半导体存储器,

    1.1     ROM-(Read Only Memory

    1.1.1  特点

    ROM掉电保持数据。

    1.1.2  ROM分类

    1.       PROM(可编程的ROM):PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了

    2.       EPROM(可擦除可编程ROM):EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。

    3.       EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。

    1.2     RAM-(Random Access Memory)

    1.2.1  特点

    RAM掉电丢失数据。

    1.2.2  RAM分类(两大类)

    1.       静态RAM(StaticRAM/SRAM)

    SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

    2.       动态RAM(DynamicRAM/DRAM)

    DRAM需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

    DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的,典型的RAM就是计算机的内存。内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即 DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

    具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储 的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会 放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量 小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性 

     

    2. FLASH存储器又称闪存

    2.1     特点

    它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 (NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

    2.2     Flash分类

    目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash

    1.        NOR Flash

    NOR Flash 块擦出写入,随机读取。

    NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

    2.        NAND Flash

    NAND Flash 块擦出写入,块读取。

    NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

    一般小容量的用NORFlash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应 用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

    2.3     NAND Flash和NOR Flash的比较

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。

    NAND Flash存储器"经常可以与"NORFlash互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于 NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

    NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般 只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的 接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。在1~4MB的小 容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。

    1.       性能比较:

    flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 1。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反, 擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其 是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素:

    l  NOR的读速度比NAND稍快一些;

    l  NAND的写入速度比NOR快很多;

    l  NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快;

    l  大多数写入操作需要先进行擦除操作。

    l  NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

    (注:NOR FLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。) 

    2.      接口差别

    NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

    NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、 地址和数据信息。

    NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以 取代硬盘或其他块设备。

    3.      可靠性和耐用性

    采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适 的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

    A) 寿命(耐用性)

    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8 倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

    B) 位交换

    所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特(bit)位会发 生反转或被报告反转了。

    一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

    当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正 (EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

    这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其 他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

    C) 坏块处理

    NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

    NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

    4.      易于使用:

    可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

    由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

    在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因 为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

    5.      软件支持:

    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优 化。

     

    在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存 技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

    使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M- System的TrueFFS驱动, 该驱动被Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian和Intel等厂商所采用。

    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

    NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NANDFLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

    NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

    在掌上电脑里要使用NANDFLASH 存储数据和程序,但是必须有NORFLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。

    DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息, 一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且 每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的 很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

    SRAM 利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。

     

    以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。

    Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。 Flash rom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。

    PSRAM,假静态随机存储器

    背景:

    PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年,市场上重要的 SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

    基本原理:

    PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM 那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

    PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发 模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多。

    PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与 SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有 4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品 是一个理想的选择。

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