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  • 两者由于兼容的主板不同,因此DDR4和DDR3内存是不能通用的,更不用提DDR3+DDR4双通道了。 选ddr4还是ddr3这些点很重要看过你就懂了 ... 一、外观不一样 一般情况下DDR4内存金手指触点...DDR3内存的最高频率只能达到了21

    两者由于兼容的主板不同,因此DDR4和DDR3内存是不能通用的,更不用提DDR3+DDR4双通道了。
    选ddr4还是ddr3这些点很重要看过你就懂了
    http://www.adiannao.cn/du
    在这里插入图片描述

    一、外观不一样
    一般情况下DDR4内存金手指触点达到了284个,而且每一个触点间距只有0.85mm,DDR3内存金手指触点是240个,因为这一改变,DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出,边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点用平滑曲线过渡。
    二、内存频率不一样
    DDR3内存的最高频率只能达到了2133;而DDR4内存的起始频率就已经达到了2133,产品的最高频率达到了3000,从内存频率来看,DDR4对比DDR3提升空间很大。

    三、功耗不一样

    DDR4功耗明显很低,一般电压达到1.2V,上一代DDR3内存,采用1.5V标准电压,而DDR4内存则降低为1.2V,甚至可以做到更低,功耗下降了,并且可以减少内存的发热。

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  • DDR3和DDR4的区别

    2020-08-11 22:30:05
     DDR3内存的起始频率仅有800MHz,最高频率可达2133MHz。而DDR4内存的起始频率就有2133MHz,最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表现和DDR3内存相比有着显著的提升,DDR4内存的每个针脚都可以提供2...

     1、规格不同

      DDR3内存的起始频率仅有800MHz,最高频率可达2133MHz。而DDR4内存的起始频率就有2133MHz,最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表现和DDR3内存相比有着显著的提升,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps的带宽,那么DDR4-3200就是51.2GB/s,这比DDR3-1866的带宽提升了70%;

      2、外观不同

      DDR4作为DDR3的升级版本,在外观上发生了一些改变。DDR4内存的金手指变成了弯曲状,这意味着DDR4不再兼容DDR3,如果想要换上DDR4的内存,那么还需要将主板更换为支持DDR4内存的新平台;

      3、内存容量不同

      在内存性能方面,DDR3最大单条可达64GB的容量,不过市面上可以买到的只有16GB和32GB。而DDR4最大单条容量为128GB,更大的容量意味着DDR4可以给更多的应用提供支持。以DDR3-1600内存作为参考基准,DDR4内存拥有最少147%的性能提升,而如此大的幅度能够体现很明显的差异;

      4、功耗不同

      通常情况下,DDR3的内存的工作电压为1.5V,耗电较多,而且内存条容易发热降频,影响性能。而DDR4内存的工作电压多为1.2V甚至更低,功耗的下降带来的是更少的用电量和更小的发热,提升了内存条的稳定性,基本不会出现发热引起的降频现象;

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  • DDR1 DDR2 DDR3的区别

    2011-01-10 13:40:00
    不能混用的,有几个主要区别: 1,DDRI的工作电压为2.5V,DDRII的工作电压为1.8v。 2,DDRI的PIN脚为180...DDR1的频率最高到400,DDR2的最高到800,DDR3的则更高了。三者不同类型的不可以混插。 同类型的内存

    不能混用的,有几个主要区别:
    1,DDRI的工作电压为2.5V,DDRII的工作电压为1.8v。
    2,DDRI的PIN脚为180pin,DDRII的pin脚为220pin
    3,DDRI的主频为266/333/400,DDRII的主频为400/533/667MHz.

    DDR1的频率最高到400,DDR2的最高到800,DDR3的则更高了。三者不同类型的不可以混插。


    同类型的内存条不同频率的可以混插。
    如:DDR1的333 和DDR1的400 可以混插。
    ,DDRI的PIN脚为180pin,DDRII的pin脚为220pin DDR3的是240PIN

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  • DDR3内存技术参数

    千次阅读 2014-12-25 18:13:02
    内存频率  和CPU一样,内存也有自己的工作...目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333,作为DDR2的替代者,DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。 内存容量  内存的容量不但是影响内存价格的因素,同时

    内存频率

            和CPU一样,内存也有自己的工作频率,频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333,作为DDR2的替代者,DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。

    内存容量

           内存的容量不但是影响内存价格的因素,同时也是影响到整机系统性能的因素。过去Windows XP平台,512M的内存还是主流,1GB已经是大容量;到了现在,64位系统开始普及,Windows Vista、Windows 7越来越多人使用,没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。目前,单根内存的容量主要有1GB、2GB两种,高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存。

    工作电压

          内存正常工作所需要的电压值,不同类型的内存电压也不同,但各自均有自己的规格,超出其规格,容易造成内存损坏。DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右,而DDR3内存则在1.6V左右。有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下,具体到每种品牌、每种型号的内存,则要看厂家了。只要在允许的范围内浮动,略微提高内存电压,有利于内存超频,但是同时发热量大大增加,因此有损坏硬件的风险。

    内存时序参数


    tCL : CAS Latency Control(tCL)

             一般我们在查阅内存的时序参数时,如“8-8-8-24”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“8”就是第1个参数,即CL参数。

    CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。

             内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

            这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。

    该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作。


    tRCD : RAS to CAS Delay

            该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数,即第2个“8”。RAS to CAS Delay(也被描述为:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行寻址到列寻址延迟时间",数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

    tRP : Row Precharge Timing(tRP)

          该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数,即第3个“8”。Row Precharge Timing (也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。

    tRAS : Min RAS Active Timing

          该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数,即“24”。Min RAS Active Time (也被描述为:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。

           如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。

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  • DDR3简介(一)

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