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  • 但是对于一些PCB面积受限的应用不是很友好,因此我们提供了EMSOP8和更紧凑的DFN2*2-8封装可供选择 同时SM5202提供 4.2V 充满截止电压,1% 的充电精度。当电池电压低于 4.05V 时自动开启充电。对 2.9V 以下的电池先...

     

     4056是一颗低成本通用型的锂电池线性充电芯片,适合在各类应用和产品中使用,性能方面也存在一些欠缺。SM5202根据这些反馈,对各性能参数做了很大的优化提升,更符合产品设计和实际应用。

       

    高耐压及OVP过压保护
        很多产品虽然输入是通用的 5V 供电,但由于充电插拔、充电器差异、用电环境,可能产生浪涌电压,将造成充电 IC 超应力失效。目前通用 4056 耐压一般在8V, 而SM5202输入耐压达到 12V,输入端更特别加入了OVP过压保护功能,能钳位浪涌电压更适合复杂的应用环境。后续会推出耐压更高版本,以应对不同需求。

    低静态电流
    SM5202采用了超低功耗设计电路,使得静态工作电流低至 2uA。对待机功耗严苛的产品来说,是一个非常理想的选择。

    增加关闭充电功能
    SM5202具有专用的关闭充电功能引脚。EN脚可连接单片机,便于控制 IC 的充电,更灵活的设计运用。

    BAT 端防电池反接
    考虑电池的焊接或某些产品电池的拆换,电池有可能连接错误造成芯片损坏,SM5202内部集成了电池反接保护功能并将BAT耐压提升到9V,可以有效防止插拔浪涌和电池反接不损坏芯片,确保 IC 的安全使用。

    多种封装可选
    ESOP8 散热增强封装,可以 PIN TO PIN 兼容市面上的 4056,做到无缝升级。但是对于一些PCB面积受限的应用不是很友好,因此我们提供了EMSOP8和更紧凑的DFN2*2-8封装可供选择

    同时SM5202提供 4.2V 充满截止电压,1% 的充电精度。当电池电压低于 4.05V 时自动开启充电。对 2.9V 以下的电池先进行涓流充电,待电压上升后再以额定电流进行充电。高达1A的可编程充电电流。最大化充电电流的过温度保护,可选的NTC保护能等全面的保护功能。

    展开全文
  • 4.2V高精度充满电压,自动再充电,内置过温保护,NTC监测等全面的保护功能 提供多种封装选择,常规ESOP8款兼容TP4056脚位,对于PCB面积受限的情况下,还可使用EMSOP8或更小体积的DFN2*2-8封装。 SM5202还具有2颗用于...

     

          作为一名电子产品研发人员最关注的是什么,产品质量和价格一定是不可忽略的关键。

    在预算有限或尽量节约成本的前提下如何让产品具有更高的可靠性,对使用中突发的状况做到良好的防护是我们不得不考虑的问题。

    锂电池技术的蓬勃发展使得如今越来越多的数码产品都加入了内置的锂电池,那么如何安全的给电池充电就成了我们需要注重的问题,锂电具有更高的容量和更低的重量,但是由于化学特性活泼在充电中我们也应更加注意,避免意外发生。

     

    SM5202 是一颗采用恒定电流/恒定电压在电池电压较低时采用涓流充电的三段式标准单节锂电池线性充芯片。

     

    SM5202具备电池反接保护,对于生产装配中电池接反或者可拆卸电池应用中电池反接的情况可以进行良好防护

    SM5202具有OVP过压保护功能和高达12V的输入耐压,对于错接电压源和TYPEC等接口插入时的浪涌也有很好的防护作用。

    同时具有高达1A的可编程充电电流,4.2V高精度充满电压,自动再充电,内置过温保护,NTC监测等全面的保护功能

    提供多种封装选择,常规ESOP8款兼容TP4056脚位,对于PCB面积受限的情况下,还可使用EMSOP8或更小体积的DFN2*2-8封装。

     

    SM5202还具有2颗用于充电指示的引脚和控制充电的CE引脚便于和单片机等系统传递信号。

    SM5202是一颗性能完善,保护功能全面,且性价比优秀的1A锂电池充电芯片,同时可兼容之前4056设计的方案,方便性能升级替换。

     

    展开全文
  • 常用DFN PCB封装库(AD库,封装带3D视图),包含TDFN6_0.65_2X2,VDFN3X3-10L,VDFN5X6-10L,VDFN6X5-8L,是Altium Designer的PCB封装库,.PcbLib格式的,带3D视图,非常实用
  • TVS二极管阵列RCLAMP0524P,超低结电容,0.3pF,高保护能力,具有IEC标准静电放电(ESD)、快速放电(EFT)和电缆放电...优化的高速线流封装设计 高速数据线路保护满足: IEC 61000-4-2 (ESD)士18kV (air), 士12kV (contac

    TVS二极管阵列RCLAMP0524P,超低结电容,0.3pF,高保护能力,具有IEC标准静电放电(ESD)、快速放电(EFT)和电缆放电事件(CDE)保护功能,从而能够保护敏感元器件免受静电的威胁和损坏,可用于保护最多四个高速数据线和一个电源线。

    超低电容ESD二极管RCLAMP0524P特性
    固态硅雪崩技术
    低工作电压低钳电压
    最多保护四个I/O高速数据线
    低漏电流
    优化的高速线流封装设计
    高速数据线路保护满足:
    IEC 61000-4-2 (ESD)士18kV (air), 士12kV (contact)
    IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
    IEC 61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20µs)

    超低电容ESD二极管RCLAMP0524P参数
    封装形式:DFN-10L
    峰值脉冲功率:100W
    峰值脉冲电流:5A
    最高工作电压:5.0V
    最小击穿电压:6.0V
    最大击穿电流:1µA
    最大钳位电压:15V
    超低结电容:0.3pF典型(I/O到的I/O)

    在这里插入图片描述

    超低电容ESD二极管RCLAMP0524P应用
    数字视频接口(DVI)、MDDI端口、高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort、TM接口、PCI快车、eSATA接口等高速数据接口领域。

    展开全文
  • 物料型号:HRT30P13J 产品描述: P沟道 MOS管 30V 42A 内阻10.5毫欧 产品规格:DFN3*3封装 状态:现货供应中
  • 型号规格: ZAP40P03DF 产品描述:MOS场效应管 P沟道 30V 40A 内阻16毫欧 产品规格:DFN3*3-8L封装 交货状态:现货供应中

空空如也

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dfn封装