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  • 本文介绍了ROM、RAM、DRAMSRAM和FLASH的区别
  • ROM、RAM、DRAMSRAM和FLASH的区别
  • ROMRAM指都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory缩写,RAM是Random Access Memory...另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何ROM都要快,但从价格上
  • ROM、RAM、DRAMSRAM和FLASH的区别解析1 ROM2 RAM3 Flash 1 ROM ROM, read only memory 只读存储器,对应电脑里的硬盘。 ROM 是 ROM image(只读内存镜像)的简称,常用于手机定制系统玩家的圈子中。 一般手机刷机...

    ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别解析

    1 ROM

    ROM, read only memory 只读存储器,对应电脑里的硬盘。

    ROM 是 ROM image(只读内存镜像)的简称,常用于手机定制系统玩家的圈子中。 一般手机刷机的过程,就是将只读内存镜像(ROM image)写入只读内存(ROM)的过程。 常见的 ROM image 有 img、zip 等格式,前者通常用 fastboot 程序通过数据线刷入(线刷),后者通常用 recovery 模式从 sd刷入(卡刷),故 img 镜像也被称为线刷包,zip 镜像也被称为卡刷包。 国内的定制系统开发者,经常会陷入自己的产品究竟是应该称为 OS还是 UI的争论,为了避免此类争论和表示谦虚,会自称为 ROM。很多定制系统玩家也会统一将定制系统称为 ROM。

    2 RAM

    随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

    存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器(英文:StaTIc RAM,SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM,DRAM)
     现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态,然后按照原来的状态重新为电容器充电,弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

    RAM有两大类,一种称为静态RAM(StaTIc RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。

    3 Flash

    目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

    NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

    NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

    一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

    相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

    NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。

    NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

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  • 什么是ROM、RAM、DRAMSRAM和FLASH的区别.doc
  • SRAM和DRAM的区别

    2020-01-02 16:05:42
    一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别:https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html。 二、ROM、RAM、DRAMSRAM和FLASH的区别,转自:http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm。  ROMRAM指的都是半导体...

    一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别:https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html

     

    二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别,转自:http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm

     ROMRAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

     ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

     RAM

      有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

      DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

     内存工作原理:

      内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。

     ROM

      也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。

      举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。

     DRAM

      利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

     SRAM

      利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。

      以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。

     PSRAM

      PSRAM ,假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年,市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

      基本原理:PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

      PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多。

      PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

     FLASH

      存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

     Flash ROM

      是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。

      目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

      NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

     NAND Flash和NOR Flash的比较

      NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

      NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。

      NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

      1、性能比较:

      flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

      由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素:

      ● NOR的读速度比NAND稍快一些。

      ● NAND的写入速度比NOR快很多。

      ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

      ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

      ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

      (注:NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。)

      2、接口差别:

      NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

      NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

      NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

      3、容量和成本:

      NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

      NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

      4、可靠性和耐用性:

      采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

      A) 寿命(耐用性)

      在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

      B) 位交换

      所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。

      如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

      C) 坏块处理

      NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

      5、易于使用:

      可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

      由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

      在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

      6、软件支持:

      当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

      NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可 以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

      NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

      在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。

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  • DRAM、SDRAM和SRAM的区别

    千次阅读 2014-09-05 22:19:26
    DRAM,动态随机存取存储器,需要不断刷新,才能保存数据。 而且是行列地址复用,许多都有页模式。... DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM速度也已经很快了,

    特点简介:

     

     

    SRAM 

      

    静态

    RAM

    不用刷新,

    速度可以非常快,

    CPU

    内部的

    cache

    都是静态

    RAM

    缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。

     

    DRAM

      

    动态

    RAM

    ,需要刷新,容量大。

     

    SDRAM 

    :同步动态

    RAM

    ,需要刷新,速度较快,容量大。

     

    DDR SDRAM

      

    双通道同步动态

    RAM

    ,需要刷新,速度快,容量大。

     

     

     

    具体解释一:

     

     

       

    什么是

    DRAM 

     

     

    DRAM 

    的英文全称是

    'Dynamic RAM'

    ,翻译成中文就是

    '

    动态随机存储器

    '

    DRAM

    用于

    通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指

    DRAM

    的容量。

     

     

     

     

    什么是

    SRAM 

     

     

    SRAM 

    的英文全称是

    'Static RAM'

    ,翻译成中文就是

    '

    静态随机存储器

    '

    SRAM

    主要用于

    制造

    Cache

     

     

     

    什么是

    SDRAM 

     

     

    SDRAM 

    的英文全称是

    'Synchronous DRAM'

    翻译成中文就是

    '

    扩充数据输出内存

    '

    它比

    一般

    DRAM

    EDO RAM

    速度都快,它已经逐渐成为

    PC

    机的标准内存配置。

     

     

     

    什么是

    Cache 

     

     

     Cache 

    的英文原意是

    '

    储藏

    '

    ,它一般使用

    SRAM

    制造,它与

    CPU

    之间交换数据的速度

    高于

    DRAM

    ,所以被称作

    '

    高速缓冲存储器

    '

    ,简称为

    '

    高速缓存

    '

    。由于

    CPU

    的信息处理速度

    常常超过其它部件的信息传递速度,

    所以使用一般的

    DRAM

    来作为信息存储器常常使

    CPU

    处于等待状态,造成资源的浪费。

    Cache

    就是为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动

    以后,

    CPU

    就把

    DRAM

    中经常被调用的一些系统信息暂时储存在

    Cache

    里面,

    以后当

    CPU

    需要调用这些信息时,

    首先到

    Cache

    里去找,

    如果找到了,

    就直接从

    Cache

    里读取,

    这样利

    Cache

    的高速性能就可以节省很多时间。大多数

    CPU

    在自身中集成了一定量的

    Cache

    一般被称作

    '

    一级缓存

    '

    '

    内置

    Cache'

    这部分存储器与

    CPU

    的信息交换速度是最快的,

    但容

    量较小。

    大多数主板上也集成了

    Cache

    一般被称作

    '

    二级缓存

    '

    '

    外置

    Cache'

    比内置

    Cache

    容量大些,一般可达到

    256K

    ,现在有的主板已经使用了

    512K

    2M

    的高速缓存。在最新的

    Pentium

    二代

    CPU

    内部,

    已经集成了一级缓存和二级缓存,

    那时主板上的

    Cache

    就只能叫作

    '

    三级缓存

    '

    了。

     

     

    什么是闪存

     

     

     

    闪存

     

    目前主板上的

    BIOS

    大多使用

    Flash Memory

    制造,翻译成中文就是

    '

    闪动的存储器

    '

    通常把它称作

    '

    快闪存储器

    '

    简称

    '

    闪存

    '

    这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对

    BIOS

    进行升级操作。

     

     

    解释为什么

    dram

    要刷新,

    sram

    不需要:

     

            

    这个是由于

    ram

    的设计类型决定的,

    dram

    用了一个

    t

    和一个

    rc

    电路,导致电容毁漏电

    和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据

     

     

    具体解释二:

     

     

    DRAM

    ,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。

     

    而且是行列地址复用的,

    许多都有页模式。

      

    SRAM

    ,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不

    是行列地址复用的。

      

    SDRAM

    ,同步的

    DRAM

    ,即数据的读写需要时钟来同步。

      

     

    DRAM

    SDRAM

    由于实现工艺问题,容量较

    SRAM

    大。但是读写速度不如

    SRAM

    ,但是

    现在,

    SDRAM

    的速度也已经很快了,时钟好像已经有

    150

    兆的了。那么就是读写周期小于

    10ns

    了。

    SDRAM

    虽然工作频率高,但是实际吞吐率要打折扣。以

    PC133

    为例,它的时钟

    周期是

    7.5ns

    ,当

    CAS latency=2 

    时,它需要

    12

    个周期完成

    8

    个突发读操作,

    10

    个周期完成

    8

    个突发写操作。

    不过,

    如果以交替方式访问

    Bank

    SDRAM

    可以在每个周期完成一个读写

    操作

    (当然除去刷新操作)

    其实现在的主流高速存储器是

    SSRAM

    (同步

    SRAM

    SDRAM

    (同步

    DRAM

    。目前可以方便买到的

    SSRAM

    最大容量是

    8Mb/

    片,最大工作速度是

    166MHz

    ;可以方便买到的

    SDRAM

    最大容量是

    128Mb/

    片,最大工作速度是

    133MHz

     

    SRAM

    Static Random Access Memory

    的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一

    种类型的半导体存储器。

    静态

    是指只要不掉电,存储在

    SRAM

    中的数据就不会丢失。这

    一点与动态

    RAM

    DRAM

    )不同,

    DRAM

    需要进行周期性的刷新操作。

     

    然后,我们不应将

    SRAM

    与只读存储器(

    ROM

    )和

    Flash Memory

    相混淆,因为

    SRAM

    是一种易失性存储器,

    它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。

    随机访问

    是指存储器的内容可以以

    任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。

      

           SRAM

    中的每一位均存储在四个晶体管当中,这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向

    器。这个存储单元具有两个稳定状态,通常表示为

    0

    1

    。另外还需要两个访问晶体管用于

    控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此,一个存储位通常需要六个

    MOSFET

    。对称

    的电路结构使得

    SRAM

    的访问速度要快于

    DRAM

    SRAM

    DRAM

    访问速度快的另外一

    个原因是

    SRAM

    可以一次接收所有的地址位,而

    DRAM

    则使用行地址和列地址复用的结

    构。

      

           SRAM

    不应该与

    SDRAM

    相混淆,

    SDRAM

    代表的是同步

    DRAM

    Synchronous DRAM

    这与

    SRAM

    是完全不同的。

    SRAM

    也不应该与

    PSRAM

    相混淆,

    PSRAM

    是一种伪装成

    SRAM

    DRAM

      

           

    从晶体管的类型分,

    SRAM

    可以分为双极性与

    CMOS

    两种。从功能上分,

    SRAM

    可以

    分为异步

    SRAM

    和同步

    SRAM

    SSRAM

    。异步

    SRAM

    的访问独立于时钟,数据输入和输

    出都由地址的变化控制。同步

    SRAM

    的所有访问都在时钟的上升

    /

    下降沿启动。地址、数据

    输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

     

    DRAM

    :动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,

    许多都有页模式。

     

    SRAM

    :静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不

    是行列地址复用的。

     

    SDRAM

    :同步的

    DRAM

    ,即数据的读写需要时钟来同步。

     

        

    主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个

    DRAM

    存储单元大约需要一个晶体管

    和一个电容

    (不包括行读出放大器等)

    而一个

    SRAM

    存储单元大约需要六个晶体管。

    DRAM

    SDRAM

    由于实现工艺问题,容量较

    SRAM

    大,但是读写速度不如

    SRAM

     

        

    一个是静态的,

    一个是动态的,

    静态的是用的双稳态触发器来保存信息,

    而动态的是用电

    子,要不时的刷新来保持。

     


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  • DRAM SRAM SDRAM 区别

    千次阅读 2014-08-14 18:22:24
    DRAM SRAM SDRAM区别   刚才看了书,对sram dram的理解加深了一些,下面这个说法其实很不全面,推荐看看书来了解一下为什么dram要刷新,sram不需要 这个是由于ram设计类型决定dram用了一个t一个rc...
      DRAM SRAM SDRAM区别
     
    刚才看了书,对sram dram的理解加深了一些,下面这个说法其实很不全面,推荐看看书来了解一下为什么dram要刷新,sram不需要


    这个是由于ram的设计类型决定的,dram用了一个t和一个rc电路,导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据


    DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。 
    而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 
    SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据 
    不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 
    SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。 
    DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高,但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例,它的时钟周期是7.5ns,当CAS latency=2 时,它需要12个周期完成8个突发读操作,10个周期完成8个突发写操作。不过,如果以交替方式访问Bank,SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作(当然除去刷新操作)。其实现在的主流高速存储器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大工作速度是166MHz;可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。


    SRAM是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。


           SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中,这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态,通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此,一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。


           SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。


           从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。


    DRAM:动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有页模式





    SRAM:静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用


    的。


    SDRAM:同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。


        主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不


    包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量


    较SRAM大,但是读写速度不如SRAM。


        一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时


    的刷新来保持。
        内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“


    内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。 
        SRAM其实是一种非常重要的存储器,它的用途广泛。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保


    持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相


    同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU


    内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
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dram和sram的区别