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  • 三极管MOS管驱动详解
    2020-09-07 20:40:13

        在电路设计中,涉及到驱动负载,总是少不了三极管和MOS管的身影

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  • 浅谈三极管、运放、MOS管驱动的常见电路前言一、三极管的应用电路二、运算放大器的应用电路三、MOS管驱动电路总结 前言 随着对电路应用能力的要求越来越高,模拟电路中的三极管和运放显得越来越重要,很多人都开启...

    前言

    随着对电路应用能力的要求越来越高,模拟电路中的三极管和运放显得越来越重要,很多人都开启了模拟电路的学习,本文就介绍了三极管和运放中常见电路及应用的基础内容。


    一、三极管的应用电路

    三极管有三个工作状态:截止、放大、饱和,放大状态很有学问也很复杂,多用于集成芯片,比如运放……
    其实,对信号的放大我们通常用运放处理,三极管更多的是当做一个开关管来使用,且只有截止、饱和两个状态。截止状态看作是关,饱和状态看作是开。Ib≥1mA时,完全可以保证三极管工作在饱和状态,对于小功率的三极管此时Ic为几十到几百mA,驱动继电器、蜂鸣器等功率器件绰绰有余。
    常见的例子有:
    把三极管箭头理解成一个开关,如下图为NPN型三极管,按下开关S1,约1mA的Ib流过箭头,三极管工作在饱和状态,c极到e极完全导通,c极电平接近0V(GND),负载RL两端压降接近5V。
    Ib与Ic电流都流入e极,根据电流方向,e极为低电平,应接地,c极接负载和电源。对于NPN三极管更应该在b极加一个下拉电阻,一是为了保证b、e极间电容加速放电,加快三极管截止;二是为了保证给三极管b极一个已知逻辑状态,防止控制输入端悬空或高阻态时对三极管工作状态的不确定。

    在这里插入图片描述
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    如下图为PNP型三极管,按下开关S2,约1mA的Ib流过箭头,三极管工作在饱和状态,e极到c极完全导通,c极电平接近5V,负载RL两端压降接近5V。
    Ib与Ic电流都流出e极,根据电流方向,e极为高电平,应接电源,c极接负载和地;对于PNP三极管,更应该在b极加一个上拉电阻,原理同上。
    在这里插入图片描述
    下图NPN三极管,对于感性负载,必须在负载两端并联一个反向续流二极管,因为三极管在关断时,线圈会自感产生很高的反向电动势,而续流二极管提供的续流通路,同时钳位反向电动势,防止击穿三极管。续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管,两者响应速度快。
    在这里插入图片描述
    为三极管延时导通,快速关断的一个仿真电路,D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路,C1的电压为12V的时候Q2导通,R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路,C1通过R3和Q1快速放电。
    在这里插入图片描述
    总结:
    (1)对于NPN三极管,在不考虑三极管的情况下,b极电阻与下拉电阻的分压必须大于0.7V,PNP同理。
    (2)b极电流必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态,此时Ic满足三极管 大的驱动能力。
    (3)另外,对于三极管的放大倍数β,指的是输出电流的驱动能力放大了β,比如100倍,并不是把输出电流真正的放大了100倍。

    二、运算放大器的应用电路

    运算放大器组成的电路五花八门,令人眼花瞭乱,是模拟电路中学习的重点。在分析它的工作原理时倘没有抓住核心,往往令人头大。在介绍运算放大器电路的时候,无非是先给电路来个定性,比如这是一个同向放大器,然后去推导它的输出与输入的关系,然后得出Vo=(1+Rf)Vi,那是一个反向放大器,然后得出Vo=-RfVi……最后学生往往得出这样一个印象:记住公式就可以了!如果我们将电路稍稍变换一下,他们就找不着北了!
    今天,芯片级维修教各位战无不胜的两招,这两招在所有运放电路的教材里都写得明白,就是“虚短”和“虚断”,不过要把它运用得出神入化,就要有较深厚的功底了。
    虚短和虚断的概念
    由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。
    “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。
    由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA,远小于输入端外电路的电流。故通常可把运放的两输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接近开路。
    “虚断”是指在分析运放处于线性状态时,可以把两输入端视为等效开路,这一特性 称为虚假开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。
    在分析运放电路工作原理时,首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大,什么加法器、减法器,什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你,让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数,这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中,把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。
    好了,让我们抓过两把“板斧”------“虚短”和“虚断”,开始“庖丁解牛”了。*
    在这里插入图片描述
    图一运放的同向端接地=0V,反向端和同向端虚短,所以也是0V,反向输入端输入电阻很高,虚断,几乎没有电流注入和流出,那么R1和R2相当于是串联 的,流过一个串联电路中的每一只组件的电流是相同的,即流过R1的电流和流过R2的电流是相同的。流过R1的电流I1 = (Vi - V-)/R1 ……a 流过R2的电流I2 = (V- - Vout)/R2 ……b V- = V+ = 0 ……c I1 = I2 ……d 求解上面的初中代数方程得Vout = (-R2/R1)Vi 这就是传说中的反向放大器的输入输出关系式了。
    在这里插入图片描述
    图二中Vi与V-虚短,则 Vi = V- ……a 因为虚断,反向输入端没有电流输入输出,通过R1和R2 的电流相等,设此电流为I,由欧姆定律得:I = Vout/(R1+R2) ……b Vi等于R2上的分压, 即:Vi = I
    R2 ……c 由abc式得Vout=Vi*(R1+R2)/R2 这就是传说中的同向放大器的公式了。
    在这里插入图片描述
    图三中,由虚短知:V- = V+ = 0 ……a 由虚断及基尔霍夫定律知,通过R2与R1的电流之和等于通过R3的电流,故 (V1 – V-)/R1 + (V2 – V-)/R2 = (Vout – V-)/R3 ……b 代入a式,b式变为V1/R1 + V2/R2 = Vout/R3 如果取R1=R2=R3,则上式变为Vout=V1+V2,这就是传说中的加法器了。
    有人要问:(V1 – V-)/R1 + (V2 – V-)/R2 = (V- – Vout)/R3 ……b 图三公式中是不是少了个负号?在这里插入图片描述
    请看图四。因为虚断,运放同向端没有电流流过,则流过R1和R2的电流相等,同理流过R4和R3的电流也相等。故 (V1 – V+)/R1 = (V+ - V2)/R2 ……a (Vout – V-)/R3 = V-/R4 ……b 由虚短知:V+ = V- ……c 如果R1=R2,R3=R4,则由以上式子可以推导出 V+ = (V1 + V2)/2 V- = Vout/2 故 Vout = V1 + V2 也是一个加法器

    在这里插入图片描述
    图五由虚断知,通过R1的电流等于通过R2的电流,同理通过R4的电流等于R3的电流,故有 (V2 – V+)/R1 = V+/R2 ……a (V1 – V-)/R4 = (V- - Vout)/R3 ……b 如果R1=R2, 则V+ = V2/2 ……c 如果R3=R4, 则V- = (Vout + V1)/2 ……d 由虚短知 V+ = V- ……e 所以 Vout=V2-V1 这就是传说中的减法器了

    在这里插入图片描述
    图六电路中,由虚短知,反向输入端的电压与同向端相等,由虚断知,通过R1的电流与通过C1的电流相等。通过R1的电流 i=V1/R1 通过C1的电流i=CdUc/dt=-CdVout/dt 所以 Vout=((-1/(R1C1))∫V1dt 输出电压与输入电压对时间的积分成正比,这就是传说中的积分电路了。若V1为恒定电压U,则上式变换为Vout = -Ut/(R1C1) t 是时间,则Vout输出电压是一条从0至负电源电压按时间变化的直线。在这里插入图片描述
    图七中由虚断知,通过电容C1和电阻R2的电流是相等的,由虚短知,运放同向端与反向端电压是相等的。则:Vout = -i * R2 = -(R2
    C1)dV1/dt 这是一个微分电路。如果V1是一个突然加入的直流电压,则输出Vout对应一个方向与V1相反的脉冲。
    在这里插入图片描述
    图八.由虚短知 Vx = V1 ……a Vy = V2 ……b 由虚断知,运放输入端没有电流流过,则R1、R2、R3可视为串联,通过每一个电阻的电流是相同的, 电流I=(Vx-Vy)/R2 ……c 则:Vo1-Vo2=I*(R1+R2+R3) = (Vx-Vy)(R1+R2+R3)/R2 ……d 由虚断知,流过R6与流过R7的电流相等,若R6=R7, 则Vw = Vo2/2 ……e 同理若R4=R5,则Vout – Vu = Vu – Vo1,故Vu = (Vout+Vo1)/2 ……f 由虚短知,Vu = Vw ……g 由efg得 Vout = Vo2 – Vo1 ……h 由dh得 Vout = (Vy –Vx)(R1+R2+R3)/R2 上式中(R1+R2+R3)/R2是定值,此值确定了差值(Vy –Vx)的放大倍数。这个电路就是传说中的差分放大电路了。在这里插入图片描述
    分析一个大家接触得较多的电路。很多控制器接受来自各种检测仪表的020mA或420mA电流,电路将此电流转换成电压后再送ADC转换成数字信号,图九就是这样一个典型电路。如图4-20mA电流流过采样100Ω电阻R1,在R1上会产生0.4~ 2V的电压差。由虚断知,运放输入端没有电流流过,则流过R3和R5的电流相等,流过R2和R4的电流相等。故:(V2-Vy)/R3 = Vy/R5 ……a (V1-Vx)/R2 = (Vx-Vout)/R4 ……b 由虚短知:Vx = Vy ……c 电流从0~ 20mA变化,则V1 = V2 + (0.4 ~ 2) ……d 由cd式代入b式得(V2 + (0.4~ 2)-Vy)/R2 = (Vy-Vout)/R4 ……e 如果R3=R2,R4=R5,则由e-a得Vout = -(0.4~ 2)R4/R2 ……f 图九中R4/R2=22k/10k=2.2,则f式Vout = -(0.88~ 4.4)V,即是说,将4~20mA电流转换成了-0.88 ~ -4.4V电压,此电压可以送ADC去处理。在这里插入图片描述
    电流可以转换成电压,电压也可以转换成电流。图十就是这样一个电路。上图的负反馈没有通过电阻直接反馈,而是串联了三极管Q1的发射结,大家可不要以为是一个比较器就是了。只要是放大电路,虚短虚断的规律仍然是符合的!
    由虚断知,运放输入端没有电流流过,则 (Vi – V1)/R2 = (V1 – V4)/R6 ……a同理 (V3 – V2)/R5 = V2/R4 ……b由虚短知 V1 = V2 ……c如果R2=R6,R4=R5,则由abc式得V3-V4=Vi上式说明R7两端的电压和输入电压Vi相等,则通过R7的电流I=Vi/R7,如果负载RL<<100KΩ,则通过Rl和通过R7的电流基本相同。在这里插入图片描述
    来一个复杂的,呵呵!图十一是一个三线制PT100前置放大电路。
    PT100传感器引出三根材质、线径、长度完全相同的线,接法如图所示。有2V的电压加在由R14、R20、R15、Z1、PT100及其线电阻组成的桥电路上。Z1、Z2、Z3、D11、D12、D83及各电容在电路中起滤波和保护作用,静态分析时可不予理会,Z1、Z2、Z3可视为短路,D11、D12、D83及各电容可视为开路。
    由电阻分压知,
    V3=2R20/(R14+20)=200/1100=2/11 ……a
    由虚短知,U8B第6、7脚 电压和第5脚电压相等
    V4=V3 ……b
    由虚断知,U8A第2脚没有电流流过,则流过R18和R19上的电流相等。(V2-V4)/R19=(V5-V2)/R18 ……c
    由虚断知,U8A第3脚没有电流流过,
    V1=V7 ……d
    在桥电路中R15和Z1、PT100及线电阻串联,PT100与线电阻串联分得的电压通过电阻R17加至U8A的第3脚,
    V7=2
    (Rx+2R0)/(R15+Rx+2R0) ……e
    由虚短知,U8A第3脚和第2脚电压相等,V1=V2 ……f
    由abcdef得,(V5-V7)/100=(V7-V3)/2.2 化简得 V5=(102.2V7-100V3)/2.2
    即 V5=204.4(Rx+2R0)/(1000+Rx+2R0) – 200/11 ……g
    上式输出电压V5是Rx的函数我们再看线电阻的影响。Pt100最下端线电阻上产生的电压降经过中间的线电阻、Z2、R22,加至U8C的第10脚,由虚断知,
    V5=V8=V9=2
    R0/(R15+Rx+2R0) ……a
    (V6-V10)/R25=V10/R26 ……b 由虚短知,
    V10=V5 ……c
    由式abc得 V6=(102.2/2.2)V5=204.4R0/[2.2(1000+Rx+2R0)] ……h
    由式gh组成的方程组知,如果测出V5、V6的值,就可算出Rx及R0,知道Rx,查pt100分度表就知道温度的大小了。

    三、MOS管驱动电路

    电源IC直接驱动
    在这里插入图片描述

    电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。
    ①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢,就达不到想要的效果。
    推挽驱动
    在这里插入图片描述

    当电源IC驱动能力不足时,可用推挽驱动。
    这种驱动电路好处是提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
    加速关断驱动
    在这里插入图片描述

    MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。

    为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如上图所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。
    在这里插入图片描述

    如上图,是我之前用的一个电路,量产至少上万台,推荐使用。
    用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。

    还有一个好处,就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC,提高了可靠性。
    在这里插入图片描述

    为了满足高端MOS管的驱动,经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是隔开直流,通过交流,同时也能防止磁芯饱和。

    总结

    以上就是今天要讲的内容,本文仅仅简单介绍了三极管、运放、mos驱动电路的常见使用,具体应用能力还要仁者见仁智者见智。

    展开全文
  • 三极管MOS管驱动电路的正确用法

    万次阅读 多人点赞 2017-05-18 20:27:38
    1 三极管MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种,符号如下: 图1 左NPN型三极管,右PNP型三极管 MOS管是电压控制电流器件,用...

    1 三极管和MOS管的基本特性

    三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种,符号如下:

    图1 左NPN型三极管,右PNP型三极管

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管):

    图2

    2 三极管和MOS管的正确应用

    (1)NPN型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V,即发射结正偏(VBE为正),NPN型三极管即可开始导通。

    基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通);基极除限流电阻外,更优的设计是,接下拉电阻10-20k到GND;优点是,①使基极控制电平由高变低时,基极能够更快被拉低,NPN型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时,基极是确定的低电平。

    (2)PNP型三极管,适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V,即发射结反偏(VBE为负),PNP型三极管即可开始导通。

    基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通);基极除限流电阻外,更优的设计是,接上拉电阻10-20k到VCC;优点是,①使基极控制电平由低变高时,基极能够更快被拉高,PNP型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时,基极是确定的高电平

     

    图3 左NPN型三极管,右PNP型三极管

    所以,如上所述

    对NPN三极管来说,最优的设计是,负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是,负载R12接在射极和GND之间。

    对PNP三极管来说,最优的设计是,负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是,负载R14接在集电极和VCC之间。

    这样,就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。

     

    (3)PMOS,适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth),PMOS即可开始导通。

    栅极用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通);栅极除限流电阻外,更优的设计是,接上拉电阻10-20k到VCC,使栅极控制电平由低变高时,栅极能够更快被拉高,PMOS能够更快更可靠地截止。

    (4)NMOS,适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)超过Vth(即Vgs超过Vth),NMOS即可开始导通。

    栅极用高电平驱动NMOS导通(低电平时不导通);栅极除限流电阻外,更优的设计是,接下拉电阻10-20k到GND,使栅极控制电平由高变低时,栅极能够更快被拉低,NMOS能够更快更可靠地截止。

     

    图4  左PMOS管,右NMOS管

    所以,如上所述

    对PMOS来说,最优的设计是,负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是,负载R16接在源极和VCC之间。

    对NMOS来说,最优的设计是,负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是,负载R18接在源极和GND之间。

    3 设计原则

    为避免负载的变化被耦合到控制端(基极Ib或栅极Vgs)的精密逻辑器件(如MCU)中,负载应接在集电极或漏极。

     

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    部分出自于:https://blog.csdn.net/u012351051/article/details/64128519/ 

    三极管和MOS管工作原理的区别:

    a. 三极管是电流控制型元件,MOS 管是电压控制元件;
    b. 正常工作时,三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏,而MOS 管的两个PN 结均需
    反偏;
    c. MOS 主要通过多子载流子导电,是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子
    载流子均参与导电,是“双极型”器件;
    d. MOS 管可以在低电流低电压下工作,因而广泛应用于半导体集成电路。

    三极管和MOS管工作应用的区别:

    1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。

    2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。

    3.MOS管的温度特性要比三极管好。

    MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。

    三极管(BJT)是电流控制器件,MOS是电压控制器件,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大,而MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略,再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

    不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。

    另外MOS管的输入阻抗接近无穷,所以最大程度的分压,用作开关静态时,漏电小,功耗小,可靠。

     

    展开全文
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  • MOS管驱动电路

    千次阅读 多人点赞 2020-10-23 00:08:53
    在电源或者硬件设计中,无论是三极管BJT,还是mos管,都需要驱动电路。这是为什么呢?为何不能直接将脉冲波形加在开关管上?驱动电路的作用主要有以下几点: 提供足够的驱动能力。由于驱动信号往往从控制器如DSP,...
  • 在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有...
  • 在飞思卡尔比赛中电机驱动肯定必不可少,在对比了大多数用集成的MOS驱动半桥设计中,根据芯片手册和芯片内部的结构做出的驱动不管是仿真还是实物都不尽人意,归根结底是高侧MOS的重载没有得到很好的解决,所谓的重载...
  • 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区...
  • MOS管驱动电路综述 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式...
  • MOS管常用驱动电路

    千次阅读 2020-08-25 10:52:56
    在使用MOSFET设计开关电源时,或是使用MCU驱动MOS管时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的...
  • 2.单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管? 图1 答: 1.单片机的IO口,有一定的带负载能力。但电流很小,驱动能力有限,一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。 2.至于单片机为...
  • MOS管驱动电路设计一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,因为开关...
  • MOS管驱动电路详解

    千次阅读 2018-09-30 10:00:30
    一、MOS管驱动电路综述 本文引用地址: http://power.21ic.com//ldo/technical/201512/45022.html  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也...
  • 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊。这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开。这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达。马达直接接...
  • 三极管MOS管工作原理详解

    万次阅读 2020-05-26 22:12:02
    PN结是三极管以及场效应中最基本的组成部分,要想彻底搞明白三极管以及场效应的工作原理,必须先搞清楚PN结形成的原理和工作特性。 本征半导体以及空穴对 本征半导体(intrinsic semiconductor))完全不含杂质且...

空空如也

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