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  • 为什么存取周期大于存取时间_为什么开放存取很重要
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    2020-06-27 20:05:19

    为什么存取周期大于存取时间

    想象一下一个世界,那里的科学家和发明者无法获得我们眼前几代人的成就。 从字面上看,需要跟随的每个人都需要重新发明轮子。

    称其为“黑暗时代”一点也不为过。 数百年来,“站在巨人的肩膀上”已成为科学家的标准口头禅。 能够访问他人的研究和学术著作是增进我们对人类和周围世界的理解的关键部分。 在现代,实现这一目标的关键是开放访问 。 “ 开放获取是指对有兴趣阅读的任何人免费在线提供经过同行评审的学术研究和文献资料的做法。”

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    翻译自: https://opensource.com/education/15/2/why-open-access-matters

    为什么存取周期大于存取时间

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    存取时间,指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。

    以读取为例,从CPU发出指令给内存时,便会要求内存取用特定地址的数据,内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU,一直到CPU收到数据为止,便成为一个读取的流程。

    存储周期:连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间

    内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒(ns)度量,换算关系1ns=10-6ms=10-9s,常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种,相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小,存取速度越快。

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    扩展资料

    存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”,是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔,称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns~10ns。

    其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元,并按一定顺序编号,称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字,则称为“字”。

    字的长度,即字所包含的位数,称为“字长”。如以字节来划分存储单元,则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入,虽经反复使用,仍保持不变。如须写入新内容,则原内容被“冲掉”,而变成新写入的内容。

    参考资料来源:百度百科——存取周期

    参考资料来源:百度百科——存取时间

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  • 读/写周期、读/写时间存储周期和存储时间之间的关系 参考SRAM的时序电路图 读周期指对芯片两次连续读操作的最小时间间隔(图中的tRC);读时间表示进行一次存储器读操作的时间(图中tA),显然读时间小于读周期 写...

    读/写周期、读/写时间、存储周期和存储时间之间的关系

    参考SRAM的时序电路图
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    读周期指对芯片两次连续读操作的最小时间间隔(图中的tRC);读时间表示进行一次存储器读操作的时间(图中tA),显然读时间小于读周期

    写周期指对芯片两次连续写操作的最小时间间隔(对应图中的tWC);写时间表示进行一次存储器写操作的时间(对应图中的tW),显然写时间小于写周期

    众所周知,计算机的时序控制是十分严格的,不能出一点差错,那么可以看到,图中tA这段时间完成以后,实际上有效数据已经输出到了数据线上,需要这些数据的部件已经得到数据了,那么读操作是不是就该立刻结束呢?不行,读操作远没有结束,因为根据实际各种因素的需要,这些数据信号要在线路上停留一段时间,即tOTD。地址线上的地址失效时刻才是读周期真正完成它使命的时刻(换句话说,就是地址信号在,读周期在;地址信号亡,读周期亡)综上所述,读时间应当小于读周期

    写周期和写时间之间的关系也是一样的,读写周期都是存储周期,而存储时间可以是读时间也可以是写时间。

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  • 关于低位并行,总线传输周期和存取周期的理解。

    总线周期:存储器和I/O端口是挂接在总线上的,CPU对存储器和I/O接口的访问通过总线实现。把CPU通过总线对微处理器外部(存储器或I/O接口)进行一次访问所需时间称为一个总线周期。

    存取周期:存储周期包含存取时间和恢复时间。指两次独立访问存储器操作之间的最小间隔。
    存取时间指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。
     

    在我的理解里,对于上述两种周期,存取周期大于总线周期,因为总线传输周期是将数据传输cpu或者将cpu的数据传到存储器中,而存取周期除了一个操作还要进行其他操作,比如恢复周期。

    在上面的基础下,我们来看低位并行

    低位并行是分别使用不同的存储体,可以将M0-M3看作是不同的存储体,它们能分别进行操作互不影响。而一个存取周期除了包含总线传输周期外还要进行其他的操作,如果只有一个存储体,假如要存取两个字,进行第二次存取之前必须要执行完第一次存取的操作,也就是总线传输周期+其他操作的时间。而低位并行就是将其他操作的时间利用起来相当于M0在执行存储周期的时候,执行完总线周期,将数据传完过后,后面一大半时间都是空闲的,这时候就可以利用其他存储体M1执行传输数据(总线传输周期),当M1传输数据完成过后,它的存取周期还没有完结,因为还有其他的操作要执行,这时候M0,M1都在执行其他操作,而M2和M3存储体是空闲的,这时候重复上面的操作,再执行M2的总线传输周期,M3类比。

    换句话说,存取周期为100ms,总线传输周期为30ms,当一个存取操作执行时,它会执行30ms的总线传输周期来传递数据,其他70ms发呆(doge),100ms执行完整才会存取一个字。所以M0需要等70ms才能执行下一个存取操作,这时候还有其他空闲的存储体M1,所以70ms的前30ms就用M1来操作传输数据,然后M1也要等100-30=70ms才能执行下一个存取字,M0也要等70-30=40ms才能存储下一个字。这时还有空闲的存储体M2可以用来操作,依次类推

    比如下面这个题目(蓝线是我自己理解的解法)

     第一次发文,知识浅薄,有问题可以提醒我,觉得好的也可以点点赞辣。

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存取时间和存储周期

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