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  • 不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性. 区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度. “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个...

    这种说法是错误的,

    不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.

    区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度.

    “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。

    在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主

    “N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。

    在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。

    拓展资料:

    掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主.

    资料参考:百度百科 N型半导体  百度百科 P型半导体

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  • N型半导体和P型半导体

    万次阅读 2019-03-28 00:11:22
    P型半导体中,电子不够多,有空穴。实际是电子移动,但是看起来就像空穴(正电荷的载流子动了一样)。 在N型半导体中,电子太多,电子可以自由移动。 N和P有点难记忆。因为是反的。N型半导体加入了磷(P),P型...

    以下内容是清华大学mooc的学习笔记。适当添加了个人理解。详情请看
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    载流子本身分为电子和空穴。
    多数载流子指的是“容易移动的载流子”
    在P型半导体中,电子不够多,有空穴。实际是电子移动,但是看起来就像空穴(带正电荷的载流子动了一样)。
    在N型半导体中,电子太多,电子可以自由移动。

    N和P有点难记忆。因为是反的。N型半导体加入了磷(P),P型半导体加入了硼(B)。磷价较高,加入磷是带入了更多电子,于是掺了P的半导体多数载流子是电子。另一种则相反。

    度变化会导致载流子数目变化。

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  • 简析P型和N型半导体

    2020-07-12 02:06:35
    如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质,例如硼或铟,它们的价电子都只有三个电子,并且...P型和N型半导体的应用由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导
  • P型半导体带电吗?

    千次阅读 2012-09-02 12:58:33
    "P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体",空穴不是相当于正电吗,既然空穴浓度大于自由电子浓度,那么和电子中和以后,剩余的空穴不还是正电吗? 回答: P型半导体一般由硅元素掺入硼元素形成,...
    问题:
    "P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体",空穴不是相当于带正电吗,既然空穴浓度大于自由电子浓度,那么和电子中和以后,剩余的空穴不还是带正电吗?

    回答:
    P型半导体一般由硅元素掺入硼元素形成,而硅原子、硼原子都是中性的(原子核内的质子带的电荷<也称核电荷>与核外电子数是一样的,所以保持中性。)。虽然硼元素的3个核外电子未填满仅填满了本由硅元素占据的晶格周围的4个空穴中的3个,导致多了一个空穴,但是要知道,空穴是不带电的。空穴只是为了解释半导体理论引入的一个物理概念。
    
    
    不带电,半导体是受一定条件影响才有电流的,其具体原理如下:
        P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。   在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
    本身不带电啦,只不过因为掺杂而导致内部有不同极性的载流子(即空穴或者自由电子,一般指多子),这些空穴或者自由电子电子的电性与受主原子或者施主原子的电性中和,在外部呈现电中性。
    
    但是,如果加入外电场,内部的载流子就会在电场作用下开始移动,而受(施)主原子固定不动,所以可以利用这个特性来制作电子器件的最基础单元----PN结。

    
    
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  • 通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜表现出相当好的p型电导率... 结果表明,用铁代替Chrome是获得高性能CuCrO2薄膜的有效途径,该薄膜有望成为有前途的p型透明稀释磁性半导体材料。
  • 1、在N型半导体中如果掺入充足量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 答:确正。三价元素发生空穴好正中和五价元素的自由电子,当空穴充足多时就能将N型半导体转型为P型半导体。 2、因为N型半导体的多子是自由...

    最近使用开发的过程中出现了一个小问题,顺便记录一下原因和方法--型半导体电压

        判断:

        1、在N型半导体中如果掺入充足量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

        答:确正。三价元素发生空穴好正中和五价元素的自由电子,当空穴充足多时就能将N型半导体转型为P型半导体。

        2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

        答:误错。N型半导体的多子,电子,在没有收到发激的状态下不能成变自由电子。

        3、PN结在无光照、无外加电压时、结电流为零。

        答:确正。由于扩散作用在间空构成间空电荷区,间空电荷区内场电的增强好正止阻扩散作用,所以在没有外加能量时 ,结电流为零。

        4、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动构成的。

        每日一道理
    “多难兴才”曾一度被人定为规律。请看:屈原被放逐而作《离骚》;司马迁受宫刑而作《史记》;欧阳修两岁丧父笃学而成才;曹雪芹举家食粥而写出了不朽的《红楼梦》;越王勾践卧薪尝胆而雪洗国耻;韩信遭胯下辱而统率百万雄兵……他们都是在与逆境搏斗中成为伟人的!

        答:误错。在外加向反电压的作用下,区基的非平衡少子,在外场电作用下超出极电极达到集电区构成漂移电流。

        5、结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗电层受承向反电压,才能保证其Rgs大的特色。

        答:确正。当Ugs 1增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道阻电增大。当沟道消失机,Rgs趋于无穷大。

        6、若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零,则其输入阻电会显著变小。

        答:误错。因为在作制MOS管子时,在SiO2中掺入大批正离子,在正离子的作用下,P型衬底表层构成反型层,因为反型层的存在,所以输入阻电不会显著变小。

    文章结束给大家分享下程序员的一些笑话语录: 与女友分手两月有余,精神萎靡,面带菜色。家人介绍一女孩,昨日与其相亲。女孩果然漂亮,一向吝啬的我决定破例请她吃晚饭。
    选了一个蛮贵的西餐厅,点了比较贵的菜。女孩眉开眼笑,与我谈得很投机。聊着聊着,她说:“我给你讲个笑话吧。”“ok”
      “一只螳螂要给一只雌蝴蝶介绍对象,见面时发现对方是只雄蜘蛛。见面后螳螂问蝴蝶‘如何?’,‘他长的太难看了’,‘别看人家长的丑,人家还有网站呢’。”
      “呵呵………”我笑。忽然她问:“你有网站吗?”  

    转载于:https://www.cnblogs.com/xinyuyuanm/archive/2013/04/24/3040113.html

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  • 半导体 pn 结的原理

    千次阅读 2018-10-15 18:47:53
    请先看这个回答,理解一下什么是能和载流子,半导体的导电性是怎么来的。 导带、价、禁带、允都是什么逻辑关系? - 知乎 然后再解释PN结。...纯粹的P型半导体,费米能级位于价与掺杂能级之...
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  • 模电之半导体

    2018-10-09 23:40:42
    P型半导体(掺杂3价元素) 空穴是多数载流子,自由电子是少子,不电(电中性) 迁移率 自由电子大于空穴(好理解 因为自由电子是移动的 而空穴是被动移动的) 漂移运动(少子运动(本征激发产生 所以受温度的影响...
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  • 17年模电笔记

    2018-04-11 21:28:47
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  • 半导体器件技术

    2020-08-08 14:08:59
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  • 第一章 常用半导体

    2021-06-10 20:16:12
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空空如也

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p型半导体带