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  • N型半导体和P型半导体

    万次阅读 2019-03-28 00:11:22
    P型半导体中,电子不够多,有空穴。实际是电子移动,但是看起来就像空穴(带正电荷的载流子动了一样)。 在N型半导体中,电子太多,电子可以自由移动。 N和P有点难记忆。因为是反的。N型半导体加入了磷(P),P型...

    以下内容是清华大学mooc的学习笔记。适当添加了个人理解。详情请看
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    载流子本身分为电子和空穴。
    多数载流子指的是“容易移动的载流子”
    在P型半导体中,电子不够多,有空穴。实际是电子移动,但是看起来就像空穴(带正电荷的载流子动了一样)。
    在N型半导体中,电子太多,电子可以自由移动。

    N和P有点难记忆。因为是反的。N型半导体加入了磷(P),P型半导体加入了硼(B)。磷价较高,加入磷是带入了更多电子,于是掺了P的半导体多数载流子是电子。另一种则相反。

    度变化会导致载流子数目变化。

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  • p型半导体一端进去的是电子,同时另一端【立刻】出来的为啥...p型半导体载流子不【都是】空穴吗?哪有电子出来? 最好画个图,当半导体一端进入电子的时候,另一端是怎么立刻出来电子的。中间的电子是怎么移动的。
  • 简析P型和N型半导体

    2020-07-12 02:06:35
    如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质,例如硼或铟,它们的价电子带都只有三个电子,并且...P型和N型半导体的应用由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导
  • 不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性. 区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度. “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个...

    这种说法是错误的,

    不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.

    区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度.

    “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。

    在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主

    “N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。

    在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。

    拓展资料:

    掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主.

    资料参考:百度百科 N型半导体  百度百科 P型半导体

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  • 通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜具有相当好的p型导电性,... 结果表明,用铁代替Chrome是获得高性能CuCrO2薄膜的有效途径,该薄膜有望成为有前途的p型透明稀释磁性半导体材料。
  • 载流子笔记

    千次阅读 2011-06-18 22:05:00
    载流子的组成:自由电子(N负电荷)和空穴(P正电荷)。N型半导体中的载流子是什么?答:1,由施主原子(比如五价磷原子或者锑)提供的电子,浓度与施主原子相同; 2,本征半导体中成对产生...P型半导体中的载流子是什么?答:1,由施

     

    载流子的组成:自由电子(N负电荷)和空穴(P正电荷)。


    N型半导体中的载流子是什么?
    答:1,由施主原子(比如五价磷原子或者锑)提供的电子,浓度与施主原子相同;
        2,本征半导体中成对产生的电子和空穴;
        3,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。


    P型半导体中的载流子是什么?
    答:1,由施主原子(比如三价硼原子或者铟)提供的空穴,浓度与施主原子相同;
        2,本征半导体中成对产生的电子和空穴;
        3,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,空穴浓度远大于自由电子浓度。空穴称为多数载流子(多子),自由电子称为少数载流子(少子)。


    N型半导体中电子是多子,其中大部分是掺杂提供的电子,本征半导体中受激产生的电子只占少数。N型半导体中空穴是少子,少子的迁移也能形成电流,由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。


    P型半导体中空穴是多子,电子是少子。

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  • 载流子迁移率

    2020-12-10 02:10:07
    在2.5.6节提到过,在半导体材料中移动一个...掺杂的 受控的部分可以移动 N型半导体P型半导体 图2.12 材料的电分类 N型 P型 1.导电 电子 空穴 2.极性 负 正 3.掺杂术语 授主 受主 4.在硅中掺杂 砷、磷、锑 硼 图2.13
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  • 半导体基础知识

    2020-06-13 15:29:27
    掺入三价元素(如硼),得到P型半导体(P-positive)。 载流子:运载电荷的粒子。对本征半导体来说有两种,自由电子和空穴。 PN结:将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上,在交界面形成PN结。 多子:多数载流子...

    1.基本概念
    本征半导体:将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成的单晶体。

    杂质半导体:在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素。掺入五价元素(如磷),得到N型半导体(N-negative);掺入三价元素(如硼),得到P型半导体(P-positive)。

    载流子:运载电荷的粒子。对本征半导体来说有两种,自由电子和空穴。

    PN结:将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上,在交界面形成PN结。

    多子:多数载流子。N型半导体中为自由电子,P型半导体中为空穴。少子则相反。

    2.PN结
    2.1PN结的形成
    扩散运动:由于浓度差而产生的运动。

    漂移运动:在电场力作用下,载流子的运动。

    在P区和N区交界处,在扩散作用下,如图a所示,P区的空穴向N区扩散,N区的自由电子向P区扩散。在交界面,空穴和自由电子复合,多子浓度下降,分别在P区产生负离子区,N区产生正离子区,它们是不能移动的,被称为空间电荷区,从而形成内电场。随着电场强度的增强,扩散运动会受到抑制。在内电场作用下,少子产生漂移运动,并与扩散运动的多子达到动态平衡,从而形成PN结。

    2.2 PN结的单向导电性
    PN结两端外加电压,扩散电流不再等于漂移电流,PN结有电流通过,表现出单向导电性。

    2.2.1 PN结外加正向电压处于导通状态
    正极接P端,负极接N端。外电场将多数载流子推向空间电荷区,削弱电场,使扩散运动加快,漂移运动减弱。由于电源的作用,扩散运动将源源不断地进行,形成正向电流,PN结导通。

    2.2.2 PN结外加反向电压处于截止状态
    正极接N端,负极接P端。外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧漂移运动,形成反向电流,也称为截止电流。因为少子数目极少,即使所有少子都参与漂移运动,反向电流也极小,可忽略不计,认为处于截止状态。

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    半导体基础知识介绍,通俗易懂,带图说明
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  • 杂质半导体

    2019-06-19 16:30:02
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    n电p空 n型半导体多数载流子是电子 p型半导体多数载流子是空穴
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    千次阅读 2016-12-25 18:24:48
    第一章 PN结  1.1 PN结是怎么形成的?... p型半导体和n型半导体接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做空

空空如也

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p型半导体载流子