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  • N沟道还是P沟道MOSFET

    千次阅读 2016-07-01 11:57:13
    如何区分场效应是N沟道还是P沟道?  答:在电路图中N沟道的MOS箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。    N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接S极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就...

    百度文库网址:

    http://wenku.baidu.com/view/a2f6379ff61fb7360b4c659e.html


    如何区分场效应管是N沟道还是P沟道? 

    答:在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。 


     
    N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接S极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接D极,黑表笔接S极,测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。(用表笔二极管档测s极和D极的一组数值(600-800)红S黑D是N沟道黑S红D是P沟道)。 
      
    场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么? 
    答:都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 
      
    (复杂点的看下文) 
    场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。 

    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1、截止,2、线性放大,3、饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加)。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止,集电极不吸收电流表示关;以晶体管饱和,发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。



    N沟G极高电平时导通,电流从D极流向S极;
    P沟G极低电平时导通,电流从S极流向D极.

     NPN  PNP是指三极管   MOS管是N沟道和P沟道 至于电流的流向  只要G级满足导通条件 MOS管就相当于导线怎么流都是可以的  关键在于G级


    电子元器件技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这。
    理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源。但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”。



    ? 题目 N沟道MOS管漏源之间加负电压是什么现象
    在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,
    可以产生回路吗?
    另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负,电流是从源级,流向漏极的吗?
    如果是,那么我在漏源间加正电压,又会是什么情况呢,可以形成回路吗?

    优质解答 源漏互换了.
    其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的,两边完全对称,只有外加电压后才有源漏一说.
    追问:
    能不能说具体点啊, 你的意思是 外家栅源电压后, 漏源才有区分,那假如是N沟道的话,只能是漏源电压正,才可以有电流是吧
    追答:
    是的,但是你那样说是不准确的。只要源漏间有压降,沟道就会有电流,而电流的方向又决定了提供载流子的一端为源极,即载流子从源级流向漏极。
    追问:
    假如是N沟道的话,只能是漏源电压正,才可以有电流是吧, 如果漏源加负电压呢,会有电流吗
    追答:
    就源漏互换了啊,没有看懂我最开始的回答么。。原来的漏极变成新的源级,电流方向和原来相反
    追问:
    就是说只要栅源的开启电压达到阈值,开启后, 漏源电压无论正负都有电流是吧。 漏源其实就是指一个电流的流向是漏到源,无论怎么正负电压,电流总是从漏极流向源级。是这意思吧
    追答:
    是的,但是源漏的互换不是突变的,需要花一定的时间。另外开启条件也是和源级电位有关:Vgs>Vth



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  • (要更新)N沟道和P沟道MOSFET

    千次阅读 2018-09-08 16:04:53
     MOS基础知识百度文库链接:https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html  首先,我并没有转载某知名博主的文章,只是觉得PPT的图片截取的还可以;  其次,博客地址:...

    一、借鉴基础知识:

           MOS管基础知识百度文库链接:https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html

           首先,我并没有转载某知名博主的文章,只是觉得PPT的图片截取的还可以;

           其次,博客地址:https://blog.csdn.net/zhengyanan815/article/details/68921668,可以节省点时间。

    二、简易的MOS记忆、应用

    2.1、从电气符号上区分N和P沟道的MOS管

          极性区分:

                 G极、S极、D极的位置是固定的;

                 G极一般是控制信号管脚,不拐弯;

                 S极和D极是负载管脚,S极会和箭头在一起,D极则单 <D> 独拎出来;

          N沟道和P沟道的MOS管,其电气符号主要是通过箭头方向来区分的,如下图:

                                                      

    2.2、MOS管的电流流向

                                                    

     

    2.3、从寄生二极管的方向判断电流的流向

                                                       

    2.4、应用简单示例

    AO4423 datasheet 地址:https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/105189/ETC/AO4423.html

    AO9926b datasheet 地址:https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/135860/AOSMD/AO9926B.html

    2.5、复杂应用

    开关电源的block和buck变换基本电路,原理待补充。

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  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc....这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺,将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。  SiA433EDJ具有超低的导通电阻,在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电
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  • NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体)小型封装产品的开发,并将于即日起开始发售样品。 此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元,其中NP50P04等4...
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  • 功率场效应P-MOSFET)属于电压全控型器件,门极静态电阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好;但是电流容量小、耐压低、功率不易做大,常用于中小功率开关电路。 电气符号 外形 特性 输出...

    功率场效应管(P-MOSFET)属于电压全控型器件,门极静态电阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好;但是电流容量小、耐压低、功率不易做大,常用于中小功率开关电路。

     

    电气符号

     

    外形

     

    特性

    输出特性和转移特性(和MOSFET类似):作为电力开关使用时,导通时必须工作在线性导电区I,否则通态压降太大,功耗也大。

     

    主要参数

    通态电阻Ron:在确定Ugs下,由线性导电区进入饱和恒流区时的直流电阻,它是影响最大输出功率的重要参数。

    开启电压Ut:沟道形成所需的最低栅极电压。开启电压一般为2~4V。

    漏极击穿电压BUds:为避免器件进入雪崩击穿区而设的极限参数。

    栅源击穿电压BUgs:栅源所能承受的最高正反电压。一般极限值为±20V。

    极间电容:栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds。Cin=Cgs+Cgd,Cout=Cgd+Cds,Cf=Cgd。

     

    栅极驱动

    1.触发脉冲要有足够快的上升和下降速度,即脉冲前、后沿要求陡峭。

    2.为使P-MOSFET可靠触发导通,触发电压应高于开启电压Ut,但不得超过最大触发额定电压BUgs。触发脉冲电压也不能过低,否则会使通态电阻增大,降低抗干扰能力。

    3.驱动电路的输出电阻应低,开通时以低电阻对栅极电容充电,关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路,以提高开关速度。

    4.为防止误导通,在截止时应能提供负的栅源电压。

     

    保护

    防静电击穿保护;栅源过压保护;漏源过压保护;短路、过流保护。

     

    仿真模型

    路径

    电路模型

    输入输出

    d:漏极    s:源极    g:栅极    m:测量电流和电压[Iak, Vak]

    参数

    Ron:内电阻。当内电感设为0时,内电阻不能设为0。

    Lon:内电感。当内电阻设为0时,内电感不能为0。

    Rd:内部二极管电阻。

    Vf:内部二极管正向管压降。

    Ic:初始电流。设为非零时,初始状态导通。

    Rs:缓冲电阻(和缓冲电容串联,与二极管并联)。Rs为0,纯电容。

    Cs:缓冲电容(和缓冲电容串联,与二极管并联)。Cs为inf,纯电阻。Rs为inf,Cs为0,消除缓冲。

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  • WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体

    千次阅读 2019-03-27 10:45:33
    P沟道,-20V,-3.2A,功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026...

    单P沟道,-20V,-3.2A,功率MOSFET
    封装图

    说明

    WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)
    低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电
    电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。
    描述

    特征

    海沟技术FAE:13723714318
    超高密度电池设计
    出色的导通电阻,可提供更高的直流
    极低的阈值电压
    小包装SOT-23
    曲线

    应用

    继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器
    DC-DC转换器电路
    电源开关
    负载开关
    充电
    最大额定值

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  • P沟道,-20V,-2.4A,功率MOSFET 描述 WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体。使用先进的沟槽 技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是...
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  • 功率场效应晶体(MOSFET)原理

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  • 第三十一篇 场效应

    2019-07-08 22:46:28
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    千次阅读 2019-04-13 21:40:39
    MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中,NMOS居多。 如何分辨三个极?D极单独位于一边,而G极是第4...
  • mosfet控制PWM

    2013-11-14 00:02:50
    mosfet开关 关于开关电源的设计 N沟道 P沟道 使用方法等等

空空如也

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