精华内容
下载资源
问答
  • 出处:MOS/CMOS集成电路简介及 N沟道 MOS管和 P沟道 MOS管  mos管,分为N沟道和P沟道两种  由于NMOS的导通电阻小,而且易于制造。根据MOS管原理图可MOS管中导通性NMOS的特性,Vgs大于某一值将被导通,适用于源...

     出处:MOS/CMOS集成电路简介及 N沟道 MOS管P沟道 MOS管

      mos管,分为N沟道和P沟道两种

      由于NMOS的导通电阻小,而且易于制造。根据MOS管原理图可MOS管中导通性NMOS的特性,Vgs大于某一值将被导通,适用于源极接地情况(低4V或10V)。其特点是Vgs小于一定值时会导通,适用于源极与VCC连接时,PMOS可方便地作为高端驱动,但由于导通电NMOS。

      开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个MOS管MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端电压有MOS管损耗,是导通瞬间电压和电流的乘积,损耗很大。缩短开关时间,可以管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的/设计MOS管驱动时第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的MOS管。

      集成电路的特点是产量高、功耗低、逻辑电路相对简单。集成度高。集成电路包括由管道组成的NMOS电路、由PMOS管道组成的PMOS电路和由NMOS和PMOS管道组成的MOS电路,即CMOS电路。

      门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用的1所示。

    N沟道和P沟道耗尽型MOS管

      沟MOS晶体管

      -氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

      p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOSn沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产n沟道MOS管。

      集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS5V为多。CMOS集成电路只要选用与集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,R,R的取值一般选用2——100KΩ。

      沟道增强型MOS管的结构P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属d和源极s。(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝,作为栅极g。B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源(大多数管子在出厂前已连接好)。

      (a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所沟道增强型MOS管的工作原理1)vGS对iD及沟道的控制作用1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极iD≈0。vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负),形成耗尽层。吸引电子:将P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表2)导电沟道的形成:vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故1(c)所示。随着VGS的增大,作用在半导体表面的电场越强,吸收的基片表面电子越多,沟道越厚,沟道电阻越小。

      VT表示。N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的管称为增强型MOS管。

    沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,对iD的影响 (a)所示,当vGS>VT且为一确定值时,漏——源电压vDS对导电沟道及电流的影响与结型场效应管相似。iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近VGD=vGS——,因而这里沟道最薄。但当vDS较(vDS<vGS–VT)时,它对沟道的影响不vGS一定,沟道电阻几乎也是一定的,所以iD随vDS近似呈线性vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS——或vDS=vGS——VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几vGS决定。

      沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

      1) 特性曲线和电流方程  )输出特性曲线 沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输)转移特性曲线 1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线.)iD与vGS的近似关系 ,iD与vGS的近似关系式为 IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

      2)参数

      管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压,而用开启电压VT表征管子的特性。

      沟道耗尽型MOS管的基本结构

      1)结构:

      沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。

      2)区别:

      MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要vGS≥VT时才出现导电沟道。

      3)原因:

      N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。

      vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅——源电压称为夹断VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅——源极间,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

      图(b)、分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

      4)电流方程:

      MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同,即:沟MOS晶体管 (MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现PMOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

      N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体PMOS晶体管。

      沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆NMOS电路(见沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采PMOS电路技术。

      集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直一般CMOS的电源电压选择在10——12V就能满足PMOS对输入电平的场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模。

     

    标签:p型mos管开关电路图,p沟道mos管工作原理,p沟道mos管原理图,n沟道和p沟道导通条件,mos管p沟道n沟道区别,p沟道mos管导通电路图,p沟道场效应管符号,mos管工作原理,n型mos管符号,p沟道mos管开关电路图,p沟道mos管导通电路图,mos管怎么判断是n型还是p型,p型mos管和n型mos管,mos管耗尽型增强型,场效应管p沟道和n沟道的区别,N沟道增强型MOS管的特性曲线N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压
     

    展开全文
  •  MOS管集成电路特点:  制造工艺比较简单、... NMOS管组成的NMOS管电路、PMOS管组成的PMOS管电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。  PMOS管门电路与NMOS管电路的原理完全相同,只是...

     

      MOS管集成电路特点:

      制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。

            

      MOS管集成电路包括:

      NMOS管组成的NMOS管电路、PMOS管组成的PMOS管电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

      PMOS管门电路与NMOS管电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。

            

      数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如

      图1所示。

            

      N沟MOS管

      金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS管集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS管集成电路即为CMOS管集成电路。

      由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

           

      NMOS管集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS管与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS管集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS管集成电路只要选用与NMOS管集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS管集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,R的取值一般选用2~100KΩ。

           

      N沟道增强型MOS管的结构

      在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。

      然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

              

      在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。

      它的栅极与其它电极间是绝缘的。

      图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所示。

              
     

    展开全文
  • N沟道和P沟道MOS FET开关电路

    千次阅读 2020-03-06 22:55:16
    如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是Li电池充放电电路,当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电,即+5V电源断开后Q1的G极为低电平,S极和D极导通,为系统供电。...

    在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。

     

    如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是Li电池充放电电路,当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电,即+5V电源断开后Q1的G极为低电平,S极和D极导通,为系统供电。图中D2和D3的一方面是降压的作用,使5V降为4V(D2为锗管压降为0.2V,D3硅管压降为0.7V)。

     

    图2 工作原理同图1,也使用了内置续流二极管的P沟道COMS FET。

     

    图3使用了内置续流二极管的N沟道的COMS FET。此电路是应用于开关时序的,当3.3V_SB为低电平时Q18、Q19不导通,5V时钟数据转3.3V时钟数据不导通;当3.3V_SB为高电平时5V时钟数据转3.3V时钟数据。

    展开全文
  • N沟道MOS管和P沟道MOS

    万次阅读 2018-08-10 09:31:19
    先讲讲MOS/CMOS集成电路 ...NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。 数...

    先讲讲MOS/CMOS集成电路

    MOS集成电路特点:

    制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。

    MOS集成电路包括:

    NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

    PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。

    数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如

    图1所示。

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    N沟MOS晶体管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

    由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

    NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,R的取值一般选用2~100KΩ。

    N沟道增强型MOS管的结构

    在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。

    然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

    在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。

    它的栅极与其它电极间是绝缘的。

    图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所示。

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    N沟道增强型MOS管的工作原理

    (1)vGS对iD及沟道的控制作用

    ① vGS=0 的情况

    从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。

    ② vGS>0 的情况

    若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。

    排斥空穴:使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。

    (2)导电沟道的形成:

    当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示。vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。

    开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压,用VT表示。

    上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生。

    vDS对iD的影响

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    如图(a)所示,当vGS>VT且为一确定值时,漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。

    漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,这里沟道最厚,而漏极一端电压最小,其值为VGD=vGS-vDS,因而这里沟道最薄。但当vDS较小(vDS<vGS–VT)时,它对沟道的影响不大,这时只要vGS一定,沟道电阻几乎也是一定的,所以iD随vDS近似呈线性变化。

    随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几乎仅由vGS决定。

    N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

    (1)特性曲线和电流方程

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    1)输出特性曲线

    N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。

    2)转移特性曲线

    转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。

    3)iD与vGS的近似关系

    与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

    (2)参数

    MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ,而用开启电压VT表征管子的特性。

    N沟道耗尽型MOS管的基本结构

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    (1)结构:

    N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。

    (2)区别:

    耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

    (3)原因:

    制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。

    如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS>0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅——源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。图(b)、(c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

    (4)电流方程:

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    在饱和区内,耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同,即:

    各种场效应管特性比较

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    P沟MOS晶体管

    金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

    P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

    PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

     

    MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路。

    各种场效应管特性比较

    详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

    展开全文
  • MOS/CMOS集成电路 ...NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。 数字电路
  • 一、N-MOS管和P-MOS管的对比 二、N-MOS的开关条件 N-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时,D极和S极导通。 在实际的使用中,将控制信号接到G极,S极接在GND,从而达到控制N-MOS管的开和关的效果,...
  • 答:在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。 N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接s极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。p沟道的测量...
  • P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电...
  • MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被**成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 对于这两种增强...
  • WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管

    千次阅读 2019-03-27 10:45:33
    WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度...
  • WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。 品牌:WILLSEM 型号;WPM2015...
  • 所有MOS集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS,互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。
  • WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714 328 ...
  • 所有MOS集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS,互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。
  • 简析PMOS晶体管

    2020-07-12 02:26:19
    P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源...
  • N沟道还是P沟道MOSFET

    千次阅读 2016-07-01 11:57:13
    答:在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。    N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接S极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的...
  •  MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到的NMOS,或者PMOS就是指这两种。  至于为什么不...
  • N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件;如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定。 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关...
  • 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻...
  • 以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定... 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS -
  •  MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
  • MOS管开关电路

    万次阅读 2018-05-10 11:02:16
    MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4...
  • 所有 MOS 集成电路 (包括  沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm ...
  • MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通...
  • 所有 MOS 集成电路 (包括  沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm ...
  • 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻...

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 11
收藏数 211
精华内容 84
关键字:

p沟道mos电路