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  • 效应管的分类

    2019-04-18 15:42:14
    1、各类场效应管(AO4260)根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。...JFET 又分为N沟道,P沟道场效应管。 绝缘栅型场效应管:英文是 Metal Oxide Semiconductor ...

    1、各类场效应管(AO4260)根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。
    2、根据构造和工艺的不同,场效应管分为结型和绝缘型两大类。
    结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor,简称JFET。JFET 又分为N沟道,P沟道场效应管。
    绝缘栅型场效应管:英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET,简称MOS管。
    MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
    3、按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

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  • 若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是P沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极...
  • MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要...若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表
  • 如果红表笔接触一个电极,用黑表笔分别去接触另外两个电极,如测得的阻值两次邵很小,则红表笔所接触的就是栅极,而且是P沟道场效应管。在测量中如出现两阻值相差太大,可改换电极重测,直到出现两阻值都很小或都很...
  • 挑选好场效应晶体电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体。在典型的功率使用中,当1个场效应晶体接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体就组成了低压侧开关。在低压侧开关中,应选用N沟...
  • 效应管 - MOSFET

    2020-11-07 14:16:04
    1. 简介 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 中文名:金属氧化物半导体场效应晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。...3.1 N 沟道场效应管 图形如下...

    1. 简介

        MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 中文名:金属氧化物半导体场效应晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。---wiki

     

    2. 分类说明

        根据其沟道极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型和空穴占多数的P沟道型。

        N沟道场效应管用的比较多。

        场效应管是压控器件,所以,控制侧消耗的电流极其小。

     

    3. 逻辑

    3.1 N 沟道场效应管

    图形如下

    导通情况:

    1. 当栅极G引脚悬空时,漏极D和源极S相当于一根导线,载流子为游离的电子;(电流较小)
    2. 当栅极G引脚接低电平,D极和S极之间的通路被阻断。
    3. 当栅极G引脚接高电平,D极和S极之间的通路导通。(G 高电平导通)

     

     

     

    3.2 P沟道场效应管

    图形如下

     

    同样时

    (G 低电平导通)

     

    4. 使用过的场效应管简介

    CSD13381F4

    手机 或者 手持类 设备上使用过,1.8v的开关控制使用过,封装0402。

    D-S间的最大可控制电压是12v,几个关键特性

     

     

     

     

     

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  • 沟道类型 挑选好场效应晶体电子元件的步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体。在典型的功率使用中,当一个场效应晶体接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体就组成了低压侧开关。在低压侧开关中,应...
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  • 电路图形符号中表示出了结型与N型沟道,G极的箭头方向表示是P型还是N型沟道,N型沟道场效应管其G极箭头朝里。旧的N型结型场效应管电路图形符号中有个圆圈,如下图: P型沟道结型场效应管电路图符号如左图所示,它的...

    场效应管图形符号、特性、说明解析

    N型沟道结型场效应管电路图形符号如左图所示,场效应管共有3个电极,电路图形符号中用字母表示各电极,栅极用G表示,源级用S表示,漏极用D表示。电路图形符号中表示出了结型与N型沟道,G极的箭头方向表示是P型还是N型沟道,N型沟道场效应管其G极箭头朝里。旧的N型结型场效应管电路图形符号中有个圆圈,如下图:

    在这里插入图片描述

    P型沟道结型场效应管电路图符号如左图所示,它的G极箭头向外,以表示是P型沟道,旧P型沟道结型场效应管的电路图形符号中有个圆圈,如下图:

    在这里插入图片描述

    左图为增强型P沟道绝缘栅极场效应管电路图符号,符号中表示出它是绝缘栅型场效应管电路图形符号中有个圆圈,如下图:

    在这里插入图片描述

    增强型N沟道绝缘栅型场效应管电路图形符号箭头朝里表示它是N沟道,旧的N沟道绝缘栅型场效应管电路图形符号中有个圈圈,如下图:

    在这里插入图片描述

    耗尽型N沟道绝缘栅型场效应管图形符号与增强型场效应管电路图形符号的不同之处是用实线表示,如下图:

    在这里插入图片描述

    耗尽型双栅N沟道绝缘栅型场效应管的电路图形符号如左图所示,这种场效应管有两个栅极G1、G2,如下图:

    在这里插入图片描述

    N沟道结型场效应管对管的电路图形符号如左图所示,它是在一个管壳内装上两只性能参数相同(十分相近)的场效应管,如下图:

    在这里插入图片描述
    KIA半导体MOS管具备挺大的核心竞争力,是开关电源生产厂家的最好的选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域;可申请样品及报价和有技术支持,有什么问题有技术员帮忙解决问题!有需要或想了解下的可以加扣扣:2880195519、18123972950

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  •  挑选好场效应晶体电子元件的步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体。在典型的功率使用中,当1个场效应晶体接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体就组成了低压侧开关。在低压侧开
  • 场效应晶体是防护电压的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体和增强型的P沟道场效应晶体。实际应用中,N场效应晶体居多。 N沟道...

    1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而场效应晶体管是电压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。场效应晶体管是防护电压的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中,N场效应晶体管居多。

     

    N沟道的场效应晶体管,右边是P沟道的场效应晶体管的方向如何判断呢?**它的判断规则就是对于N沟道,由S极指向D极;对于P沟道,由D极指向S极。

     


    如何分辨三个极?D极单独位于一边,而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的,记住这一点很有用。请注意:不论N场效应晶体管还是P场效应晶体管,上述PIN脚的确定方法都是一样的。


    场效应晶体管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。N场效应晶体管的特性:Vgs大于某一值管子就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V就可以了。P场效应晶体管的特性:Vgs小于某一值管子就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

     

    2. 场效应晶体管的隔离作用场效应晶体管实现电压隔离的作用是另外一个非常重要且常见的功能,隔离的重要性在于:担心前一极的电流漏到后面的电路中,对电路系统的上电时序,处理器或逻辑器件的工作造成误判,最终导致系统无法正常工作。因此,实际的电路系统中,隔离的作用非常重要。

     

    通过源极的高低电平来控制场效应晶体管的通断,来实现信号电平的隔离,因为场效应晶体管有体二极管,并且是反向的,所以并不会有信号通过场效应晶体管漏过去。这是一个非常经典的电路,并且可以通过搭配衍生出很多实用的电路。

     


    比如,下面这个IIC总线中电平转换电路,其实跟上面的电路存在极大的相似性。


    电路分析:SDA1为高电平(3V3)时,TR1截止,SDA2输出为高电平(5V);SDA1为低电平(0V)时,TR1导通,SDA2输出为低电平。

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  • P-MOS P沟道场效应管 2D3D PCB封装列表: Component Count : 8 Component Name ----------------------------------------------- SOT23 TO92A TO92B TO220A TO220B TO252 TO263-3A TO263-3B
  • 电源开关管V既可采用N沟道绝缘栅场效应管(MOSFET),也可采用P沟道场效应管,当然也可用NPN型晶体管或PNP型晶体管,实际应用中,一般采用P沟道场效应管居多。  降压式DC/DC变换器的基本工作原理是:V开关管在...
  • (1)场效应晶体的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道场效应晶体和PNP型晶体三极管引脚对应图...
  • 开关系统

    2016-08-16 19:28:29
    源极和漏极截至P沟道场效应管(PFET),源极默认接vdd,当栅极vgate接低电平,Vgs=vdd;源极和漏极导通,Vd=vdd;当栅极vgate接高电平,Vgs=0;源极和漏极截至PFET栅极接GND导通,Npet栅极接vdd导通。用场效应管来组
  • 其中,P沟道场效应管负责接近负电源轨部分输入电压的导通,这个电压可以稍微低于负电源轨(如果是单电源供电,则可以稍微低于地电位)。N沟道场效应管负责接近正电源轨部分输入电压的导通,这个电压可以稍微高于正电源...
  • 其中,P沟道场效应管负责接近负电源轨部分输入电压的导通,这个电压可以稍微低于负电源轨(如果是单电源供电,则可以稍微低于地电位)。N沟道场效应管负责接近正电源轨部分输入电压的导通,这个电压可以稍微高于正电源...
  • CS51031YD8G的技术参数

    2020-12-12 07:13:03
    产品型号:CS51031YD8G输出电压(V):ADJ.类型:降压输入电压最小值(V):4.500开关电流最大值(A):1开关频率(kHz):200封装/温度(℃):SOIC8/0~70描述:高速P沟道场效应管降压控制器价格/1片(套):暂无 
  • CS51031GDR8G的技术参数

    2020-12-12 07:12:41
    产品型号:CS51031GDR8G输出电压(V):ADJ.类型:降压输入电压最小值(V):4.500开关电流最大值(A):1开关频率(kHz):200封装/温度(℃):SOIC8/0~70描述:高速P沟道场效应管降压控制器价格/1片(套):¥8.00 
  • JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP ...
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  • Proteus元件库对应名称

    2010-09-07 10:27:33
    JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN...
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  • Proteus元件库对照表

    2018-04-24 13:32:30
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空空如也

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p沟道场效应管