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  • 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。本文引用地址:...

    非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201901/397016.htm

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    在很多的存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候,里面的数据会丢失,就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失,像硬盘等外存。RRAM是一种非易失性存储器,也称为忆阻器,为制造非易失性存储设备,模拟人类大脑处理信息的方式铺平了道路。RRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成,在正常状态下它是绝缘体,它以纳米器件加工技术为基础是一种有记忆功能的非线性电阻。每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触,一个顶部的导线与另一边接触。

    忆阻器是一个由两个金属电极夹着的氧化钦层构成的双端,双层交叉开关结构的半导体。其中一层氧化钦掺杂了氧空位,成为一个半导体;相邻的一层不掺杂任何东西,让其保持绝缘体的自然属性,通过检测交叉开关两端电极的阻性,就能判断RRAM的“开”或者“关”状态。

    忆阻器除了其独特的“记忆”功能外,有两大特性使其被业界广泛看好。一是其具有更短的存储访问时间,更快的读写速度,其整合了闪存和DRAM的部分特性;二是其存储单元小和制造工业可以升级,忆阻器的尺寸可以做到几个纳米,很有可能将微电子技术的发展带人到下一个十年,而且其可以与CMOS技术相兼容等优势,是下一代非易失性存储技术的发展趋势。

    易失性存储器

    它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。

    不同应用在不同的容性负载下需要不同的工作频率,这项要求与芯片组的性能以及电路板布局和复杂性紧密相关。例如,高频工作环境通常对电性能的优化要求严格,设计工程师需要考虑整个电路板上的电噪声,以降低线路的寄生电容。在这种情况下,降低存储器输出驱动器的强度更加受欢迎。此外,还必须根据工作频率优化指令执行速度。有时候,要想在发送命令后取得适合的高效的吞吐量,就必须减少空时钟周期次数。

    在应用电路板测试阶段,为了正确地激励存储器、查看存储器的响应,微控制器需要全套的命令和功能。这项操作灵活性测试通常用于检测全部系统组件,以确保产品在生命周期内的功能。相反,标准的客户最终应用只使用一个精简的指令集。例如,在使用SPI闪存时,最终应用通常使用读指令(正常、快速和/或4位I/O输入输出),把启动代码下载到RAM存储器。

    设计人员应该优化非易失性存储器,以缩减系统上电期间的代码读取和下载时间。在新的先进的平台上,如车用电子、计算机光驱或蓝牙模块,SPI闪存可能用于直接从非易失性存储器读取部分系统固件,以缩短系统固件下载到高速易失性存储器的过程。当然,目前出现的最新应用对存储器的灵活性要求更加严格。

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  • 非易失性存储器非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。在很多的存储系统的写...
     

    非易失性存储器

    非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。

    在很多的存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。

    易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候,里面的数据会丢失,就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失,像硬盘等外存。

    RRAM是一种非易失性存储器,也称为忆阻器,为制造非易失性存储设备,模拟人类大脑处理信息的方式铺平了道路。

    RRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成,在正常状态下它是绝缘体,它以纳米器件加工技术为基础是一种有记忆功能的非线性电阻。每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触,一个顶部的导线与另一边接触。

    忆阻器是一个由两个金属电极夹着的氧化钦层构成的双端,双层交叉开关结构的半导体。

    其中一层氧化钦掺杂了氧空位,成为一个半导体;相邻的一层不掺杂任何东西,让其保持绝缘体的自然属性,通过检测交叉开关两端电极的阻性,就能判断RRAM的“开”或者“关”状态。

    忆阻器除了其独特的“记忆”功能外,有两大特性使其被业界广泛看好:

    • 具有更短的存储访问时间,更快的读写速度,其整合了闪存和DRAM的部分特性

    • 存储单元小和制造工业可以升级,忆阻器的尺寸可以做到几个纳米,很有可能将微电子技术的发展带人到下一个十年,而且其可以与CMOS技术相兼容等优势,是下一代非易失性存储技术的发展趋势

    易失性存储器

    它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。

    不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。

    RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。

    不同应用在不同的容性负载下需要不同的工作频率,这项要求与芯片组的性能以及电路板布局和复杂性紧密相关。

    例如,高频工作环境通常对电性能的优化要求严格,设计工程师需要考虑整个电路板上的电噪声,以降低线路的寄生电容。在这种情况下,降低存储器输出驱动器的强度更加受欢迎。此外,还必须根据工作频率优化指令执行速度。有时候,要想在发送命令后取得适合的高效的吞吐量,就必须减少空时钟周期次数。

    在应用电路板测试阶段,为了正确地激励存储器、查看存储器的响应,微控制器需要全套的命令和功能。这项操作灵活性测试通常用于检测全部系统组件,以确保产品在生命周期内的功能。相反,标准的客户最终应用只使用一个精简的指令集。例如,在使用SPI闪存时,最终应用通常使用读指令(正常、快速和/或4位I/O输入输出),把启动代码下载到RAM存储器。

    设计人员应该优化非易失性存储器,以缩减系统上电期间的代码读取和下载时间。

    在新的先进的平台上,如车用电子、计算机光驱或蓝牙模块,SPI闪存可能用于直接从非易失性存储器读取部分系统固件,以缩短系统固件下载到高速易失性存储器的过程。当然,目前出现的最新应用对存储器的灵活性要求更加严格。

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  • 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。在很多的存储系统的写操作程序中,内存...

    非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展,非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。

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    在很多的存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候,里面的数据会丢失,就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失,像硬盘等外存。RRAM是一种非易失性存储器,也称为忆阻器,为制造非易失性存储设备,模拟人类大脑处理信息的方式铺平了道路。RRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成,在正常状态下它是绝缘体,它以纳米器件加工技术为基础是一种有记忆功能的非线性电阻。每个忆阻器有一个底部的导线与器件的一边接触,一个顶部的导线与另一边接触。

    忆阻器是一个由两个金属电极夹着的氧化钦层构成的双端,双层交叉开关结构的半导体。其中一层氧化钦掺杂了氧空位,成为一个半导体;相邻的一层不掺杂任何东西,让其保持绝缘体的自然属性,通过检测交叉开关两端电极的阻性,就能判断RRAM的“开”或者“关”状态。

    忆阻器除了其独特的“记忆”功能外,有两大特性使其被业界广泛看好。一是其具有更短的存储访问时间,更快的读写速度,其整合了闪存和DRAM的部分特性;二是其存储单元小和制造工业可以升级,忆阻器的尺寸可以做到几个纳米,很有可能将微电子技术的发展带人到下一个十年,而且其可以与CMOS技术相兼容等优势,是下一代非易失性存储技术的发展趋势。

    易失性存储器

    它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。

    不同应用在不同的容性负载下需要不同的工作频率,这项要求与芯片组的性能以及电路板布局和复杂性紧密相关。例如,高频工作环境通常对电性能的优化要求严格,设计工程师需要考虑整个电路板上的电噪声,以降低线路的寄生电容。在这种情况下,降低存储器输出驱动器的强度更加受欢迎。此外,还必须根据工作频率优化指令执行速度。有时候,要想在发送命令后取得适合的高效的吞吐量,就必须减少空时钟周期次数。

    设计人员应该优化非易失性存储器,以缩减系统上电期间的代码读取和下载时间。在新的先进的平台上,如车用电子、计算机光驱或蓝牙模块,SPI闪存可能用于直接从非易失性存储器读取部分系统固件,以缩短系统固件下载到高速易失性存储器的过程。当然,目前出现的最新应用对存储器的灵活性要求更加严格。

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  • 基于非易失性存储器的细粒度检查点
  • 摘要:本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器(NvSRAM)的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式,巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中,降低了成本,提高了可靠性。本文除...
  • 为了确保可靠、安全的操作,每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器,以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据,以...
  • 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。  铁电存储器(FeRAM)  铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前...
  • 非易失性存储器用GeTi薄膜的微观结构研究
  • 非易失性存储器上的容错Barnes-Hut算法
  • 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。
  • 非易失性存储器是断电后仍然能够保持数据的存储器,这也是与易失性存储器最大的区别。具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。新型易失性存储器分别为1.铁电存储器(FeRAM)2.磁性随机存储器(MRAM)3.相变存储器(OUM)...

    536c401ba8327b5fd08b3570f7048c65.png  非易失性存储器是断电后仍然能够保持数据的存储器,这也是与易失性存储器最大的区别。具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。

    新型易失性存储器分别为1.铁电存储器(FeRAM)2.磁性随机存储器(MRAM)3.相变存储器(OUM)。

    FeRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有很多突出的优点,其应用远景十分诱人。近年来,人们对它们的研究己取得了可喜的进展,尤其是FeRAM己实现了初步的贸易应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破,还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的,但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低本钱和更高可靠性的目标永远不会改变。

    尽管目前非易失性存储器中最先进的就是闪存,但技术却并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术,以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。

    FRAM 是下一代的非易失性存储器技术,运行能耗低,在断电后能长期保存数据。它综合了RAM高速读写和ROM长期保存数据的特点。这项技术利用了铁电材料可保存信息的特点,使用工业标准的CMOS半导体存储器制造工艺来生产,直到近日才研发成功。但是,FRAM的寿命是有限的,而其读取是破坏性的,就是说一旦进行读取,FRAM中存储的数据就消失了。

    MRAM 是非易失性的存储器,速度比DRAM还快。在实验室中,MRAM的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写能力,并且功耗极低,可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间。而且,MRAM的电路比普通存储器还简单,整个芯片只需一条读出电路。但就生产成本来看,MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。

    OUM 是一种非易失性存储器,可以替代低功耗的闪存。它拥有很长的读写操作寿命,并且比闪存更易集成。OUM存储单元的密度极高,读取操作完全安全,只需极低的电压和功率即可工作,同现有逻辑电路的集成也相当简单。用OUM单元制作的存储器大约可写入10亿次,这使它成为便携设备中大容量存储器的理想替代品。但是,OUM有一定的使用寿命,长期使用会出一些可靠性问题。

    PFRAM 是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器,通过三维堆叠技术可以得到很高的密度,但它的读写操作寿命有限。PFRAM可能会替代闪存,并且其成本只有NOR型闪存的10%左右。塑料存储器的存储潜力也相当巨大。

    今后,生产聚合物存储器可能会变得像印照片一样简单,但今年才刚刚开始对这种非易失性存储器的生产工艺进行研发。PFRAM的读写次数也有限,并且其读取也是破坏性的,就像FRAM一样。

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  • 新一代非易失性存储器应具备各种参数微调功能,能够缩减应用电路板的工程周期。  应用示例  1.应用灵活性  不同应用在不同的容性负载下需要不同的工作频率,这项要求与芯片组的性能以及电路板布局和复杂性...
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