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    该系列为《模拟电子技术基础(第5版,童诗白、华成英)》的阅读笔记

    场效应管

    场效应管,又称单极型晶体管,是利用输出回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体期间。

    场效应管分为:结型和绝缘栅型两种不同的结构。

    1.结型场效应管

    如下图1.1所示,结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。

    结型场效应管
    图1.1结型场效应管

    N沟道结型场效应管的结构示意图如下图1.2所示.
    图中,同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区,并将他们连接在一起,所引出的电极称为栅极g,N型半导体的两端分别引出两个电极,一个称为漏极d,一个称为源极s
    P区与N区交界面形成耗尽层,漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。
    N沟道结型场效应管的结构示意图
    图1.2 N沟道结型场效应管的结构示意图

    1.1结型场效应管的工作原理

    为使N沟道结型场效应管能正常工作,应在栅-源之间加负向电压(即uGS<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间加正向电压uDS,以形成漏极电流iD

    1.当uDS=0V(即d、s短路)时,uGS对导电沟道的控制作用。

    当uDS=0V,且uGS=0V时,耗尽层很窄,导电沟道很宽。如下图(a)所示。
    当|uGS|增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。如下图(b)所示。
    当|uGS|增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时|uGS|的值为夹断电压UGS(off)。如下图(c)所示。

    2.当uGS为|UGS(off)|到0V中某一固定值时,uds对漏极电流id的影响。
    栅-漏电压uGD=uGS-uDS

    ①当uGS为UGS到0V中某一确定值时,若uDS=0V,则虽然存在由uGS所确定的一定宽度的导电沟道,但由于d-s间电压为0,因而漏极电流iD为0。
    ②若uDS>0V,则有漏极电流iD从漏极流向源极,而沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽,如下图(a)所示。
    ③当uDS从零逐渐增大时,uGD逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。但是只要栅-漏间不出现夹断区域,沟道电阻仍基本决定于栅-源电压uGS。因此,电流iD将随uDS的增大而线性增大,d-s呈现电阻特性。
    ④而一旦uDS的增大使uGD等于UGS(off),则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区,称uGD=UGS(off)为预夹断。如下图(b)所示。
    ⑤若uGD继续增大,则uGD<UGS(off),耗尽层闭合部分将沿沟道方向延伸,即夹断区加长。如下图(c)所示。

    ⑥当uGD<uGS(off)时,uGS对iD的控制作用
    在uGD=uGS-uDS<uGS(off),即uDS>uGS-uGS(off)的情况下,当uDS为一常量时,对应于确定的uGS,就有确定的iD。此时,可以通过改变uGS来控制iD的大小。由于漏极电流受栅-源电压的控制,故称场效应管为电压控制元件

    由以上分析可知
    ①在uGD=uGS-uDS>UGS(off)的情况下,即当uDS>uGS-uGS(off)(即g-d间未出现夹断)时,对应于不同的uGS,d-d间等效成不同阻值的电阻。
    ②当uDS使uGD=UGS(off)时,d-s之间预夹断。
    ③uDS使uGD<UGS(off)时,iD几乎仅仅决定与uGS,而与uDS无关。此时可以把iD近似看成uGS控制的电流源。
    ④当uGS<uGS(off)时,管子截止,iD=0。

    1.2结型场效应管的特性曲线

    1.输出特性曲线
    输出特性曲线如下图1.3所示

    结型场效应管的输出特性曲线
    图1.3结型场效应管的输出特性曲线

    场效应管有三个工作区域:
    ①可变电阻区(非饱和区):图中虚线为预夹断轨迹。uGS越大,预夹断时的uDS值也越大。该区域的曲线近似为不同斜率的直线。当uGS确定时,直线的斜率也唯一地被确定,直线斜率的倒数即为d-s等效电阻。因而在此区域中,可以通过改变uGS的大小(即压控的方式)来改变d-s等效电阻,也因此称为可变电阻区。
    ②恒流区(饱和区):图中预夹断区轨迹的右边区域为恒流区。利用场效应管做放大管时,应使其工作在该区域。
    ③夹断区(截止区)

    2.绝缘栅型场效应管

    绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。
    又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。

    MOS管分为N沟道和P沟道,但每一类又分为增强型和耗尽型。
    因此MOS管的四种种类为:N沟道增强型管,N沟道耗尽型管,P沟道增强型管,P沟道耗尽型管。

    2.1 N沟道增强型MOS管

    N沟道和P沟道增强型MOS管的电气符号,如下图2.1所示。
    N沟道和P沟道增强型MOS管的电气符号
    图2.1 N沟道和P沟道增强型MOS管的电气符号

    2.1.1 N沟道增强型MOS管的工作原理

    当栅-源之间不加电压时,漏源之间时两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏源之间加电压,也不会有漏极电流。
    当uDS=0,且uGS>0时,由于SiO2的存在,栅极电流为0。如下图2.2(a)所示。
    当uGS增大时,一方面耗尽层增宽,形成N型薄层,称为反型层,如下图2.2(b)所示。
    使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压UGS(th)
    uGS越大,反型层越厚,导电沟道电阻越小。
    N沟道增强型MOS管的工作原理
    图2.2 N沟道增强型MOS管的工作原理1

    当uGS是大于UGS(th)的一个确定值时,若在d-s之间加正向电压,则将产生一定的漏极电流。
    此时,uDS的变化对导电沟道的影响与结型场效应管相似。
    即当uDS较小时,uDS的增大使iD线性增大,沟道沿源-漏方向逐渐变窄,如下图2.3(a)所示。
    当uDS增大到使uGD=UGS(th)(即uDS=uGD-UGS(th))时,沟道在漏极一侧出现夹断电,称为预夹断,如下图2.3(b)所示。
    如果uDS继续增大,夹断区随之延长,如下图2.3(c)所示。
    从外部看,iD几乎不因uDS的增大而变化,管子进入恒流区,iD大小几乎决定于uGS

    N沟道增强型MOS管的工作原理
    图2.3 N沟道增强型MOS管的工作原理2

    在uDS>uGS-uGS(th)时,对应于每一个uGS就有一个确定的iD。此时,可将iD是为电压uGS控制的电流源。

    2.1.2 N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程

    N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程,如下图2.4所示。
    MOS管也有三个工作区域:可变电阻区,恒流区与夹断区。
    N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程
    图2.4N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程
    (a)特性曲线 (b)电流方程

    2.2N沟道耗尽型MOS管

    即使uGS=0,P型衬底表面也存在反型层,即漏-源之间存在导电沟道。
    只要在漏-源之间加正向电压,就会产生漏极电流,如下图2.5(a)所示。
    uGS为正时,反型层变宽,沟道电阻变小,iD增大;反之,uGS为负时,反型层变窄,沟道电阻变大,iD减小。
    而当uGS从零减小到一定值时,反型层小时,漏-源之间导电沟道消失,iD=0。此时的uGS称为夹断电压UGS(off)
    N沟道耗尽型MOS管的uGS可以在正、负值的一定范围内实现对iD的控制,且仍保持栅-源间有非常大的绝缘电阻。
    在这里插入图片描述
    图2.5N沟道耗尽型MOS管的结构示意图及电气符号

    2.3 P沟道MOS管

    与N沟道MOS管相对应,P沟道增强MOS管的开启电压UGS(th)<0,当uGS<UGS(th)时管子才导通,漏-源之间应加负电源电压;P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)>0,uGS可在正负值的一定范围内实现对iD的控制,漏-源之间也应加负电压。

    2.4 场效应管的符号及特性

    场效应管的符号及特性,如下图2.6所示
    场效应管的符号及特性1
    场效应管的符号及特性2
    图2.6 场效应管的符号及特性

    3场效应管的主要参数

    3.1 直流参数

    ①开启电压UGS(th):增强型MOS管的参数。
    ②夹断电压UGS(off):结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。
    ③饱和漏极电流IDSS:对于结型场效应管,在uGS=0V的情况下产生预夹断时的漏极电流定义为IDSS
    ④直流输入电阻RGS(DC):RGS(DC)等于栅-源电压与栅极电流之比。手册中一般只给出栅极电流的大小。

    3.2 交流参数

    ①低频跨导gm:该参数的数值大小表示uGS对iD控制作用的强弱。
    ②极间电容:场效应管的三个极之间均存在极间电容。

    3.3 极限参数

    ①最大漏极电流IDM:管子正常工作时漏极电流的上线值。
    ②击穿电压:超过此值,会使管子摧毁。
    ③最大耗散功率PDM:决定于管子的允许的温升。

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  •  N沟道结型场效应管的结构如下所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极。    结型场效应管的结构示意...
  • N通道接合型场效应管所示,以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。 N型结晶区域的两端加上直流电压时,电子从源极流向漏极。电子所通过的通道...

    什么是场效应管(FET)-场效应管(FET)分类、原理、用途等知识详解

    场效应管和双极晶体管不同,它属于仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为:1、接合型场效应管 2、MOS型场效应管

    (一)场效应管(FET)-接合型场效应管(结型FET)

    1、原理

    N通道接合型场效应管如图所示,以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。

    N型结晶区域的两端加上直流电压时,电子从源极流向漏极。电子所通过的通道宽度由从两侧面扩散的P型区域以及加在该区域上的负电压所决定。

    加强负的栅极电压时,PN接合部分的空乏区域扩展到通道中,而缩小通道宽度。因此,以栅极电极的电压可以控制源极-漏极之间的电流。

    2、用途

    即使栅极电压为零,也有电流流通,因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。

    场效应管,FET

    结型FET的图形记号

    场效应管,FET

    结型FET的动作原理(N通道)

     

    (二)场效应管(FET)-MOS型场效应管

    1、原理

    即使是夹住氧化膜(O)的金属(M)与半导体(S)的结构(MOS结构),如果在(M)与半导体(S)之间外加电压的话,也可以产生空乏层。再加上较高的电压时,氧华膜下能积蓄电子或空穴,形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。

    在动作原理图上,如果栅极电压为零,则PN接合面将断开电流,使得电流在源极、漏极之间不流通。如果在栅极旧外加正电压的话,则P型半导体的空穴将从栅极下的氧化膜-P型半导体的表面被驱逐,而形成空乏层。而且,如果再提高栅极电压的话,电子将被吸引表表面,而形成较薄的N型反转层,由此源杖(N型)和漏极(N型)之间连接,使得电流流通。

    2、用途

    因其结构简单、速度快,且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征,而且使用微细加工技术的话,即可直接提高性能,因此被广泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到功率器件(电力控制器件)等的领域中。

    场效应管,FET

    MOS FET的图形记号

    场效应管,FET

    MOS FET的动作原理(N通道)

     

    (三)常用场效用管

    1、MOS场效应管

    即金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。

    所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。

    耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。

    以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。

    图1(a)符号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。

    随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。

    场效应管,FET

     

    国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图2。

    MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。

    因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。

    MOS场效应管的检测方法

    (1)准备工作 测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。

    (2)判定电极。将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。

    (3).检查放大能力(跨导)

    将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。

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  • 场效应管原理认识

    千次阅读 2013-06-07 22:04:13
    今天看了一下西安交通大学的一位姓赵的老师讲了一下场效应管,感觉上场效应管要比三极管在理解上容易理解点,而且由于其是电压控制器件,功耗比较小,而且集成度高相对而言在某些方面比三极管更加优越 我感觉...

    今天看了一下西安交通大学的一位姓赵的老师讲了一下场效应管,感觉上场效应管要比三极管在理解上容易理解点,而且由于其是电压控制器件,功耗比较小,而且集成度高相对而言在某些方面比三极管更加优越


    我感觉学习场效应管和学习三极管的方法类似,应该先了解其组成结构。

    如上图所示:

    N型半导体掺杂浓度较低

    控制Vgs和Vds两个电压就可以控制



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    场效应管电机驱动-MOS管H桥原理
    所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路,它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成,所以它叫P-NMOS 管H 桥。
    桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关,P 型管在栅极为低电平时导通,高电平时关闭;N 型管在栅极为高电平时导通,低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件,栅极通过的电流几乎为“零”。
    正因为这个特点,在连接好下图电路后,控制臂1 置高电平(U=VCC)、控制臂2 置低电平(U=0)时,Q1、Q4 关闭,Q2、Q3 导通,电机左端低电平,右端高电平,所以电流沿箭头方向流动。设为电机正转。
    在这里插入图片描述

    控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时,Q2、Q3 关闭,Q1、Q4 导通,电机左端高电平,右端低电平,所以电流沿箭头方向流动。设为电机反转。
    
    当控制臂1、2 均为低电平时,Q1、Q2 导通,Q3、Q4 关闭,电机两端均为高电平,电机不转;
    当控制臂1、2 均为高电平时,Q1、Q2 关闭,Q3、Q4 导通,电机两端均为低电平,电机也不转,
    所以,此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何(绝不允许悬空状态),H 桥都不会出现“共态导通”(短路),很适合我们使用。
    (另外还有4 个N 型场效应管的H 桥,内阻更小,有“共态导通”现象,栅极驱动电路较复杂,或用专用驱动芯片,如MC33883,原理基本相似,不再赘述。)
    下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路,因为单片机输出电压为0~5V,而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通, PWM 输入0V 或5V时,栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V,前提是CD4011 电源电压为7.2V。切记!!
    故CD4011 仅做“电压放大”之用。之所以用两级与非门是为了与MC33886 兼容。
    

    在这里插入图片描述

    两者结合就是下面的电路:调试时两个PWM 输入端其中一个接地,另一个悬空(上拉置1),电机转为正常。监视MOS 管温度,如发热立即切断电源检查电路。
    CD4011 的14 引脚接7.2V,7引脚接地。
    

    在这里插入图片描述

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场效应管原理图