精华内容
下载资源
问答
  • DDR容量

    千次阅读 2014-06-05 17:29:22
    1.在文件 kernel/fs/proc/meminfo.c 中: /* * Tagged format, for easy grepping and expansion. ...(unsigned long)ddr_get_cap() >>...3.在内核中用make menuconfig 找到上一步对应项,输入要改的容量值即可。

    1.在文件kernel/fs/proc/meminfo.c中:

    /*
    * Tagged format, for easy grepping and expansion.
     */
    seq_printf(m,
    "MemTotal:       %8lu kB\n"
    "MemFree:        %8lu kB\n"
    "Buffers:        %8lu kB\n"
    "Cached:         %8lu kB\n"
    "SwapCached:     %8lu kB\n"
    "Active:         %8lu kB\n"
    "Inactive:       %8lu kB\n"
    "Active(anon):   %8lu kB\n"
    "Inactive(anon): %8lu kB\n"
    "Active(file):   %8lu kB\n"
    "Inactive(file): %8lu kB\n"
    "Unevictable:    %8lu kB\n"
    "Mlocked:        %8lu kB\n"
    #ifdef CONFIG_HIGHMEM
    "HighTotal:      %8lu kB\n"
    "HighFree:       %8lu kB\n"
    "LowTotal:       %8lu kB\n"
    "LowFree:        %8lu kB\n"
    #endif
    #ifndef CONFIG_MMU
    "MmapCopy:       %8lu kB\n"
    #endif
    "SwapTotal:      %8lu kB\n"
    "SwapFree:       %8lu kB\n"
    "Dirty:          %8lu kB\n"
    "Writeback:      %8lu kB\n"
    "AnonPages:      %8lu kB\n"
    "Mapped:         %8lu kB\n"
    "Shmem:          %8lu kB\n"
    "Slab:           %8lu kB\n"
    "SReclaimable:   %8lu kB\n"
    "SUnreclaim:     %8lu kB\n"
    "KernelStack:    %8lu kB\n"
    "PageTables:     %8lu kB\n"
    #ifdef CONFIG_QUICKLIST
    "Quicklists:     %8lu kB\n"
    #endif
    "NFS_Unstable:   %8lu kB\n"
    "Bounce:         %8lu kB\n"
    "WritebackTmp:   %8lu kB\n"
    "CommitLimit:    %8lu kB\n"
    "Committed_AS:   %8lu kB\n"
    "VmallocTotal:   %8lu kB\n"
    "VmallocUsed:    %8lu kB\n"
    "VmallocChunk:   %8lu kB\n"
    #ifdef CONFIG_MEMORY_FAILURE
    "HardwareCorrupted: %5lu kB\n"
    #endif
    #ifdef CONFIG_TRANSPARENT_HUGEPAGE
    "AnonHugePages:  %8lu kB\n"
    #endif
    ,
    #ifdef CONFIG_PLAT_RK
    #ifdef CONFIG_RK29_MEM_SIZE_M
    (unsigned long)CONFIG_RK29_MEM_SIZE_M * 1024,
    #else
    #ifdef CONFIG_RK30_MEM_SIZE_M
    (unsigned long)CONFIG_RK30_MEM_SIZE_M * 1024,

    #else
    (unsigned long)ddr_get_cap() >> 10,
    #endif
    #endif
    #else
    K(i.totalram),
    #endif
    K(i.freeram),
    K(i.bufferram),
    K(cached),
    K(total_swapcache_pages),
    K(pages[LRU_ACTIVE_ANON]   + pages[LRU_ACTIVE_FILE]),
    K(pages[LRU_INACTIVE_ANON] + pages[LRU_INACTIVE_FILE]),
    K(pages[LRU_ACTIVE_ANON]),
    K(pages[LRU_INACTIVE_ANON]),
    K(pages[LRU_ACTIVE_FILE]),
    K(pages[LRU_INACTIVE_FILE]),
    K(pages[LRU_UNEVICTABLE]),
    K(global_page_state(NR_MLOCK)),
    #ifdef CONFIG_HIGHMEM
    K(i.totalhigh),
    K(i.freehigh),
    K(i.totalram-i.totalhigh),
    K(i.freeram-i.freehigh),
    #endif
    #ifndef CONFIG_MMU
    K((unsigned long) atomic_long_read(&mmap_pages_allocated)),
    #endif
    K(i.totalswap),
    K(i.freeswap),
    K(global_page_state(NR_FILE_DIRTY)),
    K(global_page_state(NR_WRITEBACK)),
    #ifdef CONFIG_TRANSPARENT_HUGEPAGE
    K(global_page_state(NR_ANON_PAGES)
     + global_page_state(NR_ANON_TRANSPARENT_HUGEPAGES) *
     HPAGE_PMD_NR),
    #else
    K(global_page_state(NR_ANON_PAGES)),
    #endif
    K(global_page_state(NR_FILE_MAPPED)),
    K(global_page_state(NR_SHMEM)),
    K(global_page_state(NR_SLAB_RECLAIMABLE) +
    global_page_state(NR_SLAB_UNRECLAIMABLE)),
    K(global_page_state(NR_SLAB_RECLAIMABLE)),
    K(global_page_state(NR_SLAB_UNRECLAIMABLE)),
    global_page_state(NR_KERNEL_STACK) * THREAD_SIZE / 1024,
    K(global_page_state(NR_PAGETABLE)),
    #ifdef CONFIG_QUICKLIST
    K(quicklist_total_size()),
    #endif
    K(global_page_state(NR_UNSTABLE_NFS)),
    K(global_page_state(NR_BOUNCE)),
    K(global_page_state(NR_WRITEBACK_TEMP)),
    K(allowed),
    K(committed),
    (unsigned long)VMALLOC_TOTAL >> 10,
    vmi.used >> 10,
    vmi.largest_chunk >> 10
    #ifdef CONFIG_MEMORY_FAILURE
    ,atomic_long_read(&mce_bad_pages) << (PAGE_SHIFT - 10)
    #endif
    #ifdef CONFIG_TRANSPARENT_HUGEPAGE
    ,K(global_page_state(NR_ANON_TRANSPARENT_HUGEPAGES) *
      HPAGE_PMD_NR)
    #endif
    );

    2.在kernel/arch/arm/mach-rk30/Kconfig文件中添加:

    config RK30_MEM_SIZE_M
    int "DDR Memory size (in MB)"
    default 512

    3.在内核中用make menuconfig 找到上一步对应项,输入要改的容量值即可。

    展开全文
  • android的平板本身ddr只有1G,客户要求改成显示2G,就是antutu上要显示2G,在kernel的上做了些处理,在4.4上能正常显示和使用,新版本没验证过
  • DDR容量计算

    千次阅读 2013-04-09 17:53:27
    SDRAM容量计算 计算可寻址单元的数量(不考虑位/字节/字) 地址线数(管脚数):11(A0-A10) bank线数:2(BA0-BA1) 最大行线数=11(例如地址线的编号) 最大列线数=11(例如地址线的编号) 一个bank...

    SDRAM Calculation of capacity 

    Calculate the number of addressable locations (don’t think of bit/byte/word for now)

    Number of address lines: 11 (A0-A10)

    Number of banks : 2 (BA0-BA1)

    Max number of rows = 11 (i.e., no. of address lines)

    Max number of columns = 11 (i.e., no. of address lines)

    Total locations in a bank = 211x 211

    Total locations in the chip = (No. of banks) x (Total locations in a bank)

    = 22 x 211 x 211

    = 224

     

    (摘自http://blog.minmanpro.com/2006/11/sdram-calculation-of-capacity.html

    -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

    简单翻译如下:

     

    SDRAM容量计算

    计算可寻址单元的数量(不考虑位/字节/字)

    地址线数(管脚数):11(A0-A10)

    bank线数:2(BA0-BA1)

    最大行线数=11(例如地址线的编号)

    最大列线数=11(例如地址线的编号)

    一个bank中总单元数=211x 211

    芯片中总单元数=(bank个数)×(一个bank中总单元数)

    = 22 x 211 x 211

    = 224

     

     

    ------------------------------------------------------------------------------------

    例如一个32MB的SDRAM芯片中有4个Logic-bank(逻辑bank),位宽16bit(即每个单元是16bits),地址线13条,最大行线数13,最大列线数9。计算得:

    一个bank的单元数= 213 x 29= 4194304(即4M)。

    芯片总单元数=4Banks × 4M units = 16M units 。

    芯片总位数=16M units × 16bits/per_unit = 256M bits 。

    芯片总字节数=256M bits/8 = 32M Bytes 。


    对应其pdf手册里的“4Banks x 4M x 16Bit”。

     

    因为行线与列线上传输的数据是经过编码的,而不是直接的行号和列号,

    也就是说每个bank里有213 个行和 2个列,并非只有13行和9列。

    所以要寻址的单元在第(2行线数据 )行,第( 2列线数据)列。

    例如bank0,行线数据是0 0000 0010 0000,列线数据是0 0000 1000,

    意思是要获取行32,列8的单元的数据,而不是行5,列3的数据。

    如果行线数据是 0 0010 1101 0110,列线数据是0 0011 1010,意思是获取行726,列58的单元的数据。

    展开全文
  • 如何计算DDR存储容量

    千次阅读 2020-08-12 14:10:08
    做嵌入式开发的工程师肯定都接触过DDR,DDR就是我们常说的内存的...今天,我们就针对镁光的DDR的数据手册,讲一下如何去确认DDR容量的问题。 这是镁光的DDR数据手册,一般DDR的型号里面就已经确定了DDR的容量,那么

    做嵌入式开发的工程师肯定都接触过DDR,DDR就是我们常说的内存的大小,现在DDR已经发展到DDR5系列了,存储容量和存储速度都得到了极大的提高。但嵌入式项目中目前用到最多的还是DDR3和DDR4系列,大部分都是采用的镁光的DDR。

    驱动开发人员经常会被应用开发人员问你这个系统内存有多大啊,驱动人员有时候就会很懵圈,因为驱动开发时一般不怎么关注内存。今天,我们就针对镁光的DDR的数据手册,讲一下如何去确认DDR容量的问题。

    这是镁光的DDR数据手册,一般DDR的型号里面就已经确定了DDR的容量,那么我们看看怎么从型号上直接计算出DDR的容量:

    可以计算单片DDR的大小为:

    8M \times 16bit \times 8banks = 1024Mb = 128MB

    所以对于上述这款DDR芯片,其大小为128MB。

    一般对于嵌入式设备,可能需要的内存大于128MB,那怎么实现呢?

    可以通过两片DDR级联,例如上述两片DDR级联,级联后存储容量为128M * 2 = 256MB。

    当然也可以直接选取256MB的DDR咯。

    展开全文
  • DDR地址和容量计算、Bank理解 DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件...

    DDR地址和容量计算、Bank理解

    DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件上是同一组地址线
    地址线和列地址线是分时复用的,即地址要分两次送出,先送出行地址,再送出列地址。

       一般来说列地址线是10位,及A0...A9;行地址线数量根据内存大小,BANK数目,数据线位宽等决定(感觉也应该是行地址决定其他) ;
    
      • 1

      BANK

         bank是存储库的意思,也就是说,一块内存内部划分出了多个存储库,访问的时候指定存储库编号,就可以访问指定的存储库,内存中划分了多少个bank,要看地址线中有几位BA地址,如果有两位,说明有4个bank,如果有3位,说明有8个bank
      
        • 1

        DDR3 容量计算

           下面这张图是芯片k4t1g164qf资料中截取的;以1Gb容量的DDR2颗粒为例(其他的类似);假设数据线位宽为16位,则看64Mb x 16这一列:
        
          • 1

          bank地址线位宽为3,及bank数目为 2^3=8;

          行地址线位宽位13,及A0…A12;

          列地址线位宽为10,及A0…A9;

          有 2^3 * 2^13 * 2^10 = 2^26 =2^6Mb = 64Mb

          再加上数据线,则容量为 64Mb x 16 = 128M Byte = =1G bit

          这里写图片描述

          对于4Gb的16bit DDR3,

          bank address有三个bit,所以单个16bit DDR3内部有8个bank.
          表示行的有A0~A14,共15个bit,说明一个bank中有2^15个行。
          表示列的有A0~A9,共10个bit,说明一个bank中有2^10个行。
          来看看单块16bit DDR3容量:
          2^3*2^15*2^10=2^28=256M
          我们的内存是512M,到这儿怎么变成256M了?被骗了?
          呵呵,当然没有。
          忘了我们前面一直提到的16bit。
          16bit是2个byte对吧。
          访问一个地址,内存认为是访问16bit的数据,也就是两个字节的数据。
          256M个地址,也就是对应512M的数据了。

          再来看看两个16bit是如何组成一个32bit的。
          有一个概念一定要清楚,这儿所说的两个16bit组成一个32bit,指的是数据,与地址没有关系
          我开始这一块没搞清楚,一直认为是两个16bit的地址组成了一个32bit的地址。然后高位地址,地位地址,七七八八。。。
          之后没一点头绪。
          将16bit/32bit指的是数据宽度之后,就非常明了了。
          每一块16bit DDR3中有8个bank,2^15个row,2^10个column。也就是有256M个地址
          看前面的连线可知,两块16bit DDR3的BA0~BA2和D0~D14其实是并行连接到CPU。
          也就是说,CPU其实认为只有一块内存,访问的时候按照BA0~BA2和D0~D14给出地址。
          两块16bit DDR3都收到了该地址。
          它们是怎么响应的呢?
          两块内存都是16bit,它们收到地址之后,给出的反应是要么将给定地址上2个字节送到数据线上,要么是将数据线上的两个字节写入到指定的地址。
          再看数据线的连接,第一片的D0~D15连接到了CPU的D0~D15,第二片的D0~D15连接到了CPU的D16~D31。
          CPU认为自己访问的是一块32bit的内存,所以CPU每给出一个地址,将访问4个字节的数据,读取/写入
          这4字节数据对应到CPU的D0~D31,又分别被连接到两片内存的D0~D15,这样一个32bit就被拆成了两个16bit.
          反过来,也就是两个16bit组成了一个32bit.
          CPU访问的内存地址有256M个,每访问一个地址,将访问4个字节,这样CPU能访问的内存即为1GB。

          DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank)。

          这里写图片描述
          DDR3内部Bank示意图,这是一个NXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。
          如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置
          目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计,也就是说一共有8个这样的“表格”。

          寻址的流程也就是先指定Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。

          目前DDR3系统而言,还存在物理Bank的概念,这是对内存子系统的一个相关术语,并不针对内存芯片。内存为了保证CPU正常工作,必须一次传输完CPU 在一个传输周期内所需要的数据。
          而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。
          控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,这个位宽就称为物理Bank(Physical Bank,有的资料称之为Rank)的位宽。目前这个位宽基本为64bit。

          在实际工作中,Bank地址与相应的行地址是同时发出的,此时这个命令称之为“行激活”(Row Active)。在此之后,将发送列地址寻址命令与具体的操作命令(是读还是写),这两个命令也是同时发出的,所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准,从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD,即RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟,RAS就是行地址选通脉冲,CAS就是列地址选通脉冲),我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数,广义的tRCD以时钟周期(tCK,Clock Time)数为单位,比如tRCD=3,就代表延迟周期为两个时钟周期,具体到确切的时间,则要根据时钟频率而定,DDR3-800,tRCD=3,代表30ns的延迟。

          这里写图片描述

          接下来,相关的列地址被选中之后,将会触发数据传输,但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的 I/O 接口之间还需要一定的时间(数据触发本身就有延迟,而且还需要进行信号放大),这段时间就是非常著名的 CL(CAS Latency,列地址脉冲选通潜伏期)。CL 的数值与 tRCD 一样,以时钟周期数表示**。
          如 DDR3-800,时钟频率为 100MHz,时钟周期为 10ns,如果 CL=2 就意味着 20ns 的潜伏期。
          不过CL只是针对读取操作

          由于芯片体积的原因,存储单元中的电容容量很小,所以信号要经过放大来保证其有效的识别性,这个放大/驱动工作由S-AMP负责,一个存储体对应一个S- AMP通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度(事前还要进行电压比较以进行逻辑电平的判断),因此从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始,数据即已传向S-AMP,也就是说此时数据已经被触发,经过一定的驱动时间最终传向数据I/O总线进行输出,这段时间我们称之为 tAC(Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间)。

          这里写图片描述

          目前内存的读写基本都是连续的,因为与CPU交换的数据量以一个Cache Line(即CPU内Cache的存储单位)的容量为准,一般为64字节。而现有的Rank位宽为8字节(64bit),那么就要一次连续传输8次,这就涉及到我们也经常能遇到的突发传输的概念。突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输的周期数就是突发长度(Burst Lengths,简称BL)。

          在进行突发传输时,只要指定起始列地址与突发长度,内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样,除了第一笔数据的传输需要若干个周期(主要是之前的延迟,一般的是tRCD+CL)外,其后每个数据只需一个周期的即可获得。

          这里写图片描述

          突发连续读取模式:只要指定起始列地址与突发长度,后续的寻址与数据的读取自动进行,而只要控制好两段突发读取命令的间隔周期(与BL相同)即可做到连续的突发传输。

          谈到了突发长度时。如果BL=4,那么也就是说一次就传送4×64bit的数据。但是,如果其中的第二笔数据是不需要的,怎么办?还都传输吗?
          为了屏蔽不需要的数据,人们采用了数据掩码(Data I/O Mask,简称DQM)技术。通过DQM,内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。
          这里需要强调的是,在读取时,被屏蔽的数据仍然会从存储体传出,只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。
          DQM由北桥控制,为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节,每个DIMM有8个DQM 信号线,每个信号针对一个字节。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于 16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。

          在数据读取完之后,为了腾出读出放大器以供同一Bank内其他行的寻址并传输数据,内存芯片将进行预充电的操作来关闭当前工作行。还是以上面那个Bank示意图为例。当前寻址的存储单元是B1、R2、C6。如果接下来的寻址命令是B1、R2、C4,则不用预充电,因为读出放大器正在为这一行服务。但如果地址命令是B1、R4、C4,由于是同一Bank的不同行,那么就必须要先把R2关闭,才能对R4寻址。从开始关闭现有的工作行,到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP(Row Precharge command Period,行预充电有效周期),单位也是时钟周期数。

          这里写图片描述

          在不同Bank间读写也是这样,先把原来数据写回,再激活新的Bank/Row。

          DQS 是DDR中的重要功能,它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期,并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号,读取时,则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说,它就是数据的同步信号。
          在读取时,DQS与数据信号同时生成(也是在CK与CK#的交叉点)。而DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔,DQS生成时,芯片内部的预取已经完毕了,由于预取的原因,实际的数据传出可能会提前于DQS发生(数据提前于DQS传出)。由于是并行传输,DDR内存对tAC也有一定的要求,对于DDR266,tAC的允许范围是±0.75ns,对于DDR333,则是±0.7ns,有关它们的时序图示见前文,其中CL里包含了一段DQS 的导入期。
          DQS 在读取时与数据同步传输,那么接收时也是以DQS的上下沿为准吗?不,如果以DQS的上下沿区分数据周期的危险很大。由于芯片有预取的操作,所以输出时的同步很难控制,只能限制在一定的时间范围内,数据在各I/O端口的出现时间可能有快有慢,会与DQS有一定的间隔,这也就是为什么要有一个tAC规定的原因。而在接收方,一切必须保证同步接收,不能有tAC之类的偏差。这样在写入时,芯片不再自己生成DQS,而以发送方传来的DQS为基准,并相应延后一定的时间,在DQS的中部为数据周期的选取分割点(在读取时分割点就是上下沿),从这里分隔开两个传输周期。这样做的好处是,由于各数据信号都会有一个逻辑电平保持周期,即使发送时不同步,在DQS上下沿时都处于保持周期中,此时数据接收触发的准确性无疑是最高的。

          这里写图片描述

          在写入时,以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点,而不是上/下沿,但数据的接收触发仍为DQS的上/下沿。

                                          </div>
          
          展开全文
        • DDR3的容量计算方法

          2021-01-31 11:42:04
          FPGA使用DDR3的容量计算以及用户地址位宽计算方法 本文主要讲解mig核中DDR3选型中的容量计算以及ddr3中用户地址位宽计算方法。 MIG核DDR3型号中容量计算方法 MIG核中DDR3型号选择如下图矩阵框中所示。 MIG核DDR3...
        • DDR3容量的计算

          千次阅读 2018-06-23 11:07:04
          DDR3 地址线 DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件上是同一组地址线;地址线和列地址线是分时复用的,即地址要分两次送出,先送出行地址,再送出列地址。 一般来说列地址线是10位,及A0...A9...
        • ddr-flash容量翻倍.rar

          2019-11-29 10:22:01
          有些客户需求要把ddr flash容量翻倍显示,并让安兔兔软件、mtp连接pc都可以正常显示容量。附件patch可以解决!
        • DDR地址和容量计算

          万次阅读 2017-03-13 18:03:37
          DDR3 地址线  DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件上是同一组地址线;地址线和列地址线是分时复用的,即地址要分两次送出,先送出行地址,再送出列地址。  一般来说列地址线是10位,...
        • 是由系统或应用软件需要确定吗?怎么计算DDR的利用率?我所说的速率和容量的确定不是说看规格书然后算地址线和数据线,而是怎么选择硬件需要用多大多快的DDR?</p>
        • DDR3地址及容量大小

          2020-03-27 16:49:50
          DDR3 地址线 DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件上是同一组地址线;地址线和列地址线是分时复用的,即地址要分两次送出,先送出行地址,再送出列地址。 一般来说列地址线是10位,及A0...A9...
        • DDR3的位宽和容量计算

          千次阅读 2020-03-12 11:38:36
          DDR3的位宽在芯片手册里的说法是Configuration,其位宽就是DDR3芯片DQ管脚的数量,即I/O接口位宽。 DDR3中一个基本的概念是BANK,很多博文会提到两个概念:逻辑BANK(Logical BANK) 和物理BANK(Phisical BANK),...
        • 开发基于ddr3的大容量FIFO的设计,能用于数据量缓存应用
        • DDR地址和容量计算、Bank理解

          万次阅读 多人点赞 2018-07-25 00:36:18
          DDR3 地址线 DDR3为减少地址线,把地址线分为行地址线和列地址线,在硬件上是同一组地址线; 地址线和列地址线是分时复用的,即地址要分两次送出,先送出行地址,再送出列地址。 一般来说列地址线是10位,及A0....
        • 通过隔离CPU和存储元器件,缓冲存储器,I/O,控制和数据信号,DDR3存储器DIMM模块(称为LRDIMM)可提供高达384GB容量,而目前的RDIM只有192GB的容量。每模块可支持32GB。  此外,在更高容量系统中,LRDIMM模块可在满...
        • 为了满足高速实时数据采集系统对所采集海量数据进行缓存的要求,通过研究FIFO的基本工作原理,利用FPGA和DDR2 SDRAM设计了一种高速大容量异步FIFO。使用Xilinx提供的存储器接口生成器(MIG)实现FPGA与DDR2的存储器...
        • 有人问我镁光ddr中的容量及型号中8Megx16x8banks的含义,解答如下: 以镁光1Gb ddr2为例:1Gb ddr2有三种型号: MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banksMT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banksMT47H64M16 – 8 Meg x 16 ...
        • 本论文通过高性能 FPGA 以及 DDR2 SDRAM 存储器实现了高速海量的数据 采集存储方案并可以应用在 2GSPS 高速数据采样率的数字存储示波器中
        • **例1:**一颗512MB/16位 的DDR3: 按以下计算公式: 2^3 * 2^16 * 2^10 = 2^29 =536.870912Mb = 512Mb 再加上16位数据线,则容量为 512Mb x 16 =8G bit=1GByte ( 通俗运行内存) **例2:*一颗32MB/16位 的DDR2: 按...
        • 日本存储芯片制造商Elpida 储存公司日前宣布,公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容量的DDR2 SDRAM芯片。 Elpida储存公司称,它是目前全球首家采用70纳米工艺制造1GB和512MB的DDR2 SDRAM...
        • 该设计通过VivadoChipscope进行调试和检测,测试显示:基于DDR3 SDRAM的FIFO实现了最高480M的数据传输率,64~512位的总线宽度,容量最大为1 GB,说明该设计正确、可行,可以用来缓存高速采集系统所采集的数据。
        • DDR3学习

          2018-07-30 15:02:45
          容量计算:2^(row+col+bank)*DQ DDR3数据速率800~2133Mb/s 带宽计算:有效数据速率x位宽 PCB布局: DDR数据线等长最短; 地址线星型拓扑结构,菊花链拓扑结构(芯片需支持read/write leveling,自动调整延时值)...
        • 2.1、如何查看 DDR 容量、行、列信息 2.2、如何查看当前 DDR 驱动版本号 2.3、如何查看当前 DDR 运行频率
        • RK3399 DDR频率修改

          2021-05-25 09:10:54
          RK3399 DDR频率修改 一、DDR当前频率获取与可调节范围 ...3、获取DDR容量 cat /proc/meminfo 二、DDR测试定频 1、因为RK3399默认开启了DDR变频功能,所以测试前需要固定DDR频率 cd /sys/class/devfreq/dmc
        • wince 6.0 DDR 检测工具

          2012-12-13 16:55:47
          检测DDR 容量工具,win ce 6.0 系统运行
        • 新型存储器是其每引脚数据传输速度的两倍,其存储设备的容量增加了四倍,降低了工作电压,并引入了多种方法来提高瘦节点上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC说,DDR5 SDRAM将从明年开始用于即将推出的客户端PC和服务器...

        空空如也

        空空如也

        1 2 3 4 5 ... 20
        收藏数 902
        精华内容 360
        关键字:

        ddr容量