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  • 三极管和MOS管区别

    2020-07-17 22:12:47
    本文主要讲了一下关于三极管和MOS管区别,希望对你的学习有所帮助。
  • 三极管和MOS管都是很常用的电子元器件,两者都可以作为电子开关管使用,而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时,有很多相似之处,也有不同之处,那么在电路设计时,两者之间该如何选择呢?...
  • 我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别
  • 三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用,文章为大家进行了详细的解释。
  • 本文主要讲了三极管和MOS管做开关用时候有什么区别 ,一起来学习一下
  • 三极管和mos管区别

    千次阅读 2016-11-26 09:42:10
    三极管和mos管区别很大: 1. 一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS); 2、三极管便宜,mos管贵。 3、三极管损耗大。 4、mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜...

    三极管和mos管区别很大:

    1. 一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS);

    2、三极管便宜,mos管贵。

    3、三极管损耗大。

    4、mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。


    三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
    MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
    一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。
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  • MOS管的sourcedrain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电...
  • 借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。  三极管是流控型器件,MOS管是压控型器件,两者存在相似之处,在选型时需要考虑耐压、电流等参数。  1.根据耐压选型  三极管的集电极C发射极E之间所能...
  • 在一些开关上,我们会应用到三极管和MOS管这两种类别,但是这两种有啥具体的区分功能,一些人还是不清楚,为了方便大家知晓,现在就从专业的角度上来给大家来说说这两者的区别
  • MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管
  • 在做开关电源电路设计中,如何区别及选用三极管和MOS管?
  • 本文主要针对于开关电源电路设计时,该如何区别和选用三极管MOS管,希望对你的学习有所帮助。
  • 既然三极管可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管? 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导...

    既然三极管可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管?
    1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。

    2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。

    3.MOS管的温度特性要比三极管好。

    MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。

    三极管(BJT)是电流控制器件,MOS是电压控制器件,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大,而MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略,再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

    不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。

    另外MOS管的输入阻抗接近无穷,所以最大程度的分压,用作开关静态时,漏电小,功耗小。

    当然,这里面还有个成本问题,相对来说,三极管是最便宜的,mos管次之,IGBT就贵很多了。补充说明:实际的应用中大功率的三极管也是有的!最后,我想说,其实这些“开关”本无好坏之分,够用就好!

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    来源:电子电路

    三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关

    晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,可分为PNP和NPN两种。

    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。

    它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

    场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。

    选用MOS管还是三极管?

    1、场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。

    2、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而三极管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

    3、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。

    4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

    5、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般三极管很难达到的性能。

    6、三极管便宜,场效应晶体管管贵。三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

    7、三极管损耗大,场效应晶体管损耗较小。

    8、场效应晶体管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

    一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑场效应晶体管。

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  • 在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质:   1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。 2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大。 4、驱动能力:MOS管常用来电源...

    在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质:

     

    1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。

    2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。

    3、功耗问题:三极管损耗大。

    4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。

     

    实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

     

    MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

     

    一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。

     

    实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。

     

    但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。

     

    集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

     

    (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

     

    (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

     

    (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

     

    (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

     

    (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。

     

    (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的

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  • 2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。 4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 1、MOS管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取...
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