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  • 半导体存储器

    2020-07-05 21:22:18
    半导体存储器 半导体存储器由许多存储单元组成,每个存储单元都以其唯一的地址代码加以区分,能存储一位二进制信息。 分类(存取方式) 顺序存储器(Sequential Access Memory, SAM):读写操作为“先进先出”或...

     

    半导体存储器由许多存储单元组成,每个存储单元都以其唯一的地址代码加以区分,能存储一位二进制信息。

    分类(存取方式)

    顺序存储器(Sequential Access Memory, SAM):读写操作为“先进先出”或“先进后出”,按顺序进行,局限性大。

    随机存取存储器(Radom Access Memory, RAM):在正常工作状态下,RAM可以随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据,断电后RAM中的信息将丢失。

                          DRAM(Dynamic RAM):由电容和相关元件集成组成,依靠电容中存储的电荷量的多寡表示“0”和“1”,由于电容                            存在漏电现象,所以电容需要定期刷新,以保持状态。集成度高,常用于内存条存储颗粒。

                         SRAM(Static RAM):由晶体管集成组成,不需要定期刷新,响应速度快但功耗大、集成度低,用于容量小但速                           度快的CPU缓存。

    只读存储器(Read Only Memory, ROM):ROM中的数据只能读出不能写入,断电后信息不会丢失,即非易失性存储器。又包括掩模ROM(MROM),可一次编程的ROM(PROM),可用紫外线擦除改写的(EPROM),电擦除可改写的(EEROM),类似于EEROM的闪存(FLASH)。

    存储容量

    位(bit):一个存储单元,一个“0”或一个“1”,称为一位。

    字:一个字通常由16,32,64 位组成。

    字节(byte):一个字节由8位组成。

    若一个存储器由N个字组成,每个字M位,则存储器的容量为N*M 位。

    存储周期

    连续两次读(写)操作的最短间隔时间。

    RAM结构

    RAM扩展

    位扩展:增加I/O           字扩展:增加地址线

    ROM

    结构:地址译码器,存储矩阵,输出电路

    原理:能够按照标准与或式实现组合逻辑,通过地址译码器实现“逻辑与”,而通过存储矩阵中阵列的连接,实现“逻辑或”,最后输出的结果为标准与或式的结果。

     

    Flash闪存

    闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM,属于非易失性存储器。

    工作原理

    浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(FGMOS)

    闪存将数据存储在由浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。

    以上为FGMOS的结构图。图a中,浮栅被包裹在绝缘体SiO2中,其中存储的电荷不容易耗散,可以保存较长时间。在栅极没有施加电压的情况下,通过施加一个很大VSD使漏极PN结发生雪崩击穿产生大量雪崩电流,其中空穴进入衬底而部分高能的电子以热载流子注入的形式隧穿过SiO2绝缘层进入浮栅并被储存在浮栅中。由于浮栅中存储了大量电子,通过感应使SD之间产生沟道,在没有将浮栅中的电子释放的情况下,MOS会一直处于导通状态,从而实现非易失性存储的功能。

    图b中,在浮栅上加了一个控制栅,用来帮助浮栅中电子的注入和导出,降低了FGMOS的工作电压(VSD击穿电压)。

    存储单元电位阶数

    利用浮栅中存储电荷的数量多寡、沟道电流的大小不同,Flash中一个存储单元可以保存一个至多个二进制数。

    Flash与EEROM的区别

    EEROM:可以随机访问和修改任意一个位,但是电路复杂、成本高、容量小。

    Flash:属于广义的EEROM,但是擦除时以块位单位,电路简单、成本低、存储密度高。

    NOR Flash:内部记忆单元以平行方式连接到比特线,允许个别读取与程序化记忆单元。这种记忆单元的平行连接类似于CMOS NOR闸中的晶体管平行连接。数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

    NAND Flash:内部记忆单元以顺序方式连接,类似于NAND闸。顺序连接方式所占空间较平行连接方式为小,降低了NAND型闪存的成本。同样是按块擦除,但是数据线和地址线复用,不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。(nandflash按块来擦除,按页来读,norflash没有页)。且电路叫NOR Flash简单,容量大。

    参考:Wiki百科 闪存; osnet 《浮栅晶体管》; yuanlulu 《EEPROM和flash的区别》; 戚金清等 《数字电路与系统》

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  • 来源:本文由 公众号 半导体行业观察(ID...但是,伴随着先进制程工艺进入到65nm以后,相当一部分先进制程工艺的厂商已经积累了足够的经验,可以跳跃过存储器的验证,直接将先进制程用于逻辑产品。与此同时,伴随着A...

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    来源:本文由 公众号 半导体行业观察(ID:icbank) 蒋思莹 原创。

    由于存储器制程比较简单,存储单元均可快速被复制,可以帮助先进制程工艺快速提升良率。所以,在过去很长的一段时间内,存储器都扮演着肯为先进制程工艺成为“吃螃蟹的人”。但是,伴随着先进制程工艺进入到65nm以后,相当一部分先进制程工艺的厂商已经积累了足够的经验,可以跳跃过存储器的验证,直接将先进制程用于逻辑产品。

    与此同时,伴随着AI、物联网等领域的兴起,使得大数据的应用越来越广泛,这些新兴领域在不断催促着存储器追赶先进制程的脚步。目前,各大存储器大厂都在升级20nm制程,其中,DRAM、闪存和 SRAM 等传统内存仍然是市场上的主力技术。

    在这个过程中,传统存储技术遇到了不少困难。其中,DRAM采用持续微缩的单元设计需要引入多重图案化技术,并最终在批量制造中需要采用EUV光刻技术,而我们都知道EUV技术现在还没有能够大规模应用。同样,平面 NAND也曾面临微缩的限制,最终采取垂直方向上的转变,也就是现在市场上非常流行的3D NAND技术。

    传统存储技术面临着挑战,也催生了新技术的出现。在这种情况下,MRAM出现了。MRAM拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。也就是说,MRAM能够将存储器的密度与SRAM的速度相结合,同时具有非易失性和高功效。

    MRAM技术始于1984年,当时Albert Fert和PeterGrünberg发现了GMR效应。 在20世纪80年代中期,支持者认为MRAM最终将超越竞争技术,成为占主导地位甚至是通用的存储器。1996年,自旋转移力矩被提了出来,这个发现使磁隧道结或自旋阀能够被自旋极化电流修改。基于这一点,摩托罗拉开始了他们的MRAM研究。一年后,摩托罗拉开发出一种256Kb的MRAM测试芯片。这使得MRAM技术开始走向产品化,随后在2002年,摩托罗拉被授予 Toggle专利。这也是第一代MRAM,即Toggle MRAM。但是,由于第一代MRAM在先进的工艺节点下耗能太高,使得MRAM的发展遇到瓶颈。

    2004年,摩托罗拉将其半导体业务独立出来,成立了飞思卡尔半导体。2006年7月,飞思卡尔开始销售世界上第一款商用MRAM芯片。这些芯片的容量低至4Mbit,价格定在25美元。与此同时,MRAM已经开始受到了其他厂商的关注,英飞凌、台积电、东芝、瑞萨等等企业也开始了MRAM方面的研究。MRAM技术也得以向第二代发展,目前,主流的研究主要是TAS-MRAM和STT-MRAM。

    其中之一,第二代MRAM器件使用自旋极化电流来切换电子自旋,也就是STT-MRAM。2005年,瑞萨科技与Grandis合作开发了65nm的STT-MRAM。与MRAM相比,STT-MRAM器件更快,更高效且更容易缩小。与传统内存技术相比,STT-MRAM器件不仅能兼顾MRAM的性能,还能够满足低电流的同时并降低成本。

    基于以上优势,STT-MRAM被视为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器,并有可能成为领先的存储技术。尤其是在40nm以下工艺节点上,NOR开始暴露出很多问题,STT-MRAM被寄予厚望。市场认为,STT-MRAM不仅在40nm节点下可以被利用,甚至可以扩展到10nm以下应用。更值得注意的是,STT-MRAM可基于现有的CMOS制造技术和工艺发展,在技术上进行接力的难度相对较小,从而,可以直接挑战闪存的低成本。

    理想很丰满,现实很骨感。随着技术规模的缩小,STT-MRAM遭受严重的工艺变化和热波动,这极大地降低了STT-MRAM的性能和稳定性。对于大多数商业应用来说,STT-MRAM的道路依旧充满艰难险阻。

    从结构上看,STT-MRAM存储单元的核心是一个MTJ,也就是STT-MRAM是通过MTJ来存储数据。通常情况下,MTJ是由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是是通过自旋电流实现信息写入的。写入信息时需要较大的电流产生磁场使 MTJ 自由层磁矩发生反转。随着存储单元的尺寸减小,需要更大的自由层磁矩反转磁场,因此也需要更大的电流。但是,大电流不仅增加了功耗,也使得变换速度减慢,限制了存储单元写入信息的速度。

    在CSTIC 2019上,就有专家提及,目前STT-MRAM的挑战主要存在于需要更大的写入电流、MTJ的缩放,以及如何降低误码率,这三者之间的平衡。

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    挑战同时代表着机遇,STT-MRAM对各大厂商的吸引力不减。2008年,飞思卡尔将其MRAM业务独立出来,成立了EverSpin Technologies。2014年,Everspin与Global Foundries合作,在300毫米晶圆上生产面内和垂直MTJ ST-MRAM,采用40纳米和28纳米节点工艺。2017年,Everspin号称是唯一出货商用MRAM产品的公司,由此也可以看出Everspin在此方面的优势。2018年,Everspin还是与Global Foundries合作,推出了全球首个28 nm 1 Gb STT-MRAM客户样品。但我们都知道,Global Foundries已经停止了7nm以下先进制程的投入,着力14/12纳米FinFET。而市场上对 STT-MRAM的预期却没有止步于12nm。接下来,EverSpin将会选择与哪家代工厂合作?

    再次回到十年前,海力士半导体和Grandis的合作伙伴关系也始于2008年,他们之间的合作意在探索STT-MRAM技术的商业开发。

    而在上文当中,我们曾叙述,瑞萨也曾与Grandis展开STT-MRAM相关合作,而海力士的合作伙伴同样也是选择了Grandis。Grandis是否能够凭借新兴技术在存储领域获得一席之地?据悉,Grandis成立于2002年,发明了第一个基于磁隧道结的自旋转移扭矩薄膜结构,并迅速成为STT-RAM领域的领导者。2011年,Grandis被三星电子有限公司收购,并合并到三星的内存业务中。三星也因此开始踏足STT-MRAM。2018年,三星电子的晶圆代工论坛期间,公司重申了其在2018年开始生产STT-MRAM芯片的目标。三星表示真正的STT-MRAM大规模生产将始于2019年。

    除了Grandis,IBM也是STT-MRAM的先驱,与英飞凌和三星合作。2016年,IBM和三星研究人员就展示了11纳米级STT-MRAM。2018年,IBM展示了他们的FlashCore NVMe SSD,它提供了19 TB的闪存存储,并使用Everspin的5-256Mb STT-MRAM芯片进行写入缓存和日志记录。

    除上文提到的Global Foundries和三星外,根据CSTIC 2019期间,Yole的调查报告显示,包括台积电、英特尔、联电在内的顶级晶圆厂都准备好了将28/22nm嵌入式STT-MRAM用于微控制器。

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    2019年2月,在英国国际固态电路会议上,英特尔透露STT-MRAM技术已准备好进行批量生产。据EE Times报道,该公司预计将使用22nm FinFET工艺来制造存储芯片。

    2000年,台积电就和台工研院合作投入MRAM等次世代内存研发。2011年,高通公司在VLSI电路研讨会上也展示了采用台积电 45纳米LP技术制造的1 Mbit嵌入式STT-MRAM 。由于成本的原因,台积电放弃过MRAM。但是,在2017年中,台积电重返内存市场瞄准MRAM和RRAM。据DIGITIMES预测,2019年台积电的STT-MRAM极有可能量产出货。

    同样,2018年,联电和Avalanche Technology宣布,他们已经联合开发和生产28nm MRAM,以取代嵌入式闪存。联电还将通过Avalanche Technology Inc.的许可向其他公司提供此技术。

    在大陆方面,2016年兆易创新斥资500万美元入股Everspin。2017年北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80nm STT-MRAM器件。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm的磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%。

    上海磁宇是国内第一家MRAM产品研发制造公司,拥有国内唯一的完整PSTT-MRAM材料薄膜制造设备和测试设备,及在建中12吋专用芯片制造的中试线,将用于第三和四代技术的MRAM记忆芯片的开发及量产。其团队成员来自于 Everspin 和 TDK,且同时投入独立式(standalone)和嵌入式(embedded)两种技术和市场策略。

    浙江海康驰拓专注 MRAM 存储技术发展,团队来自高通(Qualcomm)、西部数据等众多半导体国际大厂,目前基于芯片设计和工艺设计两块投入研发,可提供 STT-MRAM 技术的不同设备。

    而从上面的情况来看,各大晶圆厂纷纷在2019年布局STT-MRAM量产计划,并开始逐渐走向28nm以下的产品。但大陆方面还在40nm以上的STT-MRAM挣扎,并没有太大的优势。STT-MRAM的出现,使得国际厂商将目光从NOR上转移。同样,在前不久结束的semicon 2019存储器论坛上,也有一种声音出现:NOR技术想要全面取代STT-MRAM还需要一段时间,这个时间差,为大陆方面发展NOR提供了机会。

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  • 先进半导体存储器书籍。关于静态存储器SRAM, 动态存储器DRAM, 还有嵌入式存储器的书籍。Wiley原版电子书籍。
  • 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS...
  • FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司,这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证,FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。 1、 FRAM的优势: FRAM是一种...

    FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势,被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司,这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证,FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。

    1、 FRAM的优势:

    FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。

    2、FRAM的劣势:

    FRAM的制造成本高,价格比EEPROM、FLASH更加昂贵,储存的空间更小。

    由于目前EEPROM和FLASH经过多年的技术积淀和积累,无论是技术还是市场的认可度都非常高,且价格低廉。FRAM作为新型存储器之一,FRAM的技术发展的路径尚不确定,未来替代EEPROM会经历一个漫长的过程,将来也可能是其他新型存储器,如相变存储器PCM、磁存储器MRAM、电阻存储器ReRAM、碳纳米管存储器NRAM取代现有的存储器。

    虽然目前富士通半导体等公司正在大力推广FRAM,但是传统的存储器如EEPROM和FLASH依旧会保持很大的市场份额,未来EEPROM、FLASH的技术迭代也会提升其各方面的性能,FRAM与EEPROM、FLASH会保持长期共存的局面,不会短时间内出现FRAM彻底替代EEPROM、闪存Flash的情况。

    建议改类型的项目方提供下游客户的产品中必须用到FRAM的情形,以及其他可替代的存储器,并说明与日本富士通半导体和英飞凌的FRAM的产品性能优势或成本对比,是否已经大规模量产以及良率如何,由此来综合评估该类型项目的FRAM产品的技术壁垒和未来市场销售情况。

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  • 存储器是一场持久战

    2017-07-07 18:49:00
    中国终于下决心要做存储器芯片,武汉新芯计划投资240亿美元,于2018年开始量产3DNAND闪存,引起全球的热议。...西方总是冷眼相对,控制及干扰我们的先进技术进步,所以中国在CPU方面的开发至少己有20...

    中国终于下决心要做存储器芯片,武汉新芯计划投资240亿美元,于2018年开始量产3DNAND闪存,引起全球的热议。客观地说能够下这样的决心是十分不易,国内,国外抱怀疑者很多,基本上反映中国欲进军存储器业的现实。

    中国半导体业处于特定环境中,提出产业的自主可控是迫不得已。西方总是冷眼相对,控制及干扰我们的先进技术进步,所以中国在CPU方面的开发至少己有20年的历史。如今中国的国力己大增,集成电路产业具一定规模,似乎资金方面、与之前大不同,己有所积累,所以此次下决心选择存储器芯片作为IDM模式的突破口,主要是产业发展需要,也是众望所归。

    归纳起来,目前存储器有三个方面的力量正在聚集,一个是政府主导的武汉新芯,它们与中科院微电子所等合作,据说己经有9层3DNAND样品。另一个是紫光,它的策略是先通过兼并,站在一定高度之后再自行研发。最后一个是两个地方政府,福建与合肥,它们试图寻找技术伙伴,或者挖技术团队后再前进。其中如福建投资在泉州的晋华集成电路,它由联电开发DRAM相关制程技术,产品将是32纳米制程的利基型DRAM,未来技术将授权给晋华,同时联电也可以保有研发成果。

    依目前的态势由于做的产品不同,有3D NAND,利基型DRAM,DRAM及NAND,采用的路径不同,以及合作对象也不一样,正如同“百花齐放”,因此都有一定的可能,但又都不太确定。然而依照中国的囯力与条件又不可能支持得起那么多条存储器生产线,所以未来可能还要等2-3年时间的观察,结果才会更加明朗。个人不成熟的看法由于武汉新芯是依靠自行研发为主,尽管这条道可能慢些,暂时技术方面落后,但是能有属于自己的东西,它的未来至少国家一定会支持到底,相对有成功的可能与希望。

    近期又传来紫光可能与新芯合作的方案,对于双方可能都是个理性的选择。但是要与美光合作变成中国版的“华亚科”模式有些担忧。因为此种跟随型模式,尽管看似省心省事,但是中方缺乏自主能力,另外担心美光会采取不同的技术转移策略,让中国处于最低端,因此要慎之又慎。如果未来由英特尔,三星,海力士,台积电,联电,GF及力晶等独资以及“穿马甲”的公司来主导中国的芯片制造业,对于如中芯国际,华力微等企业的成长并非有利。因此要全面正确的认清当前形势,从道理上如中芯国际等企业应该加快研发步伐,在逆境中迅速崛起。

    分析3D NAND闪存芯片制造基本上要过两道难关,一个是过技术关。不管是32层,48层要能做出来,这一步最为重要,而且性能与成本上的差距不能太悬殊:另一个是准备迎接IP及价格战,当中国真正做出产品后是无法避免的。

    由于存储器投资巨大,在具体操作方面既要有足够信心,同时要慎之又慎。据SEMI报道,3D NAND生产线,每1,000片的投资需55-65M美元,如若月产能200,000片,需要130亿美元,而且要计及之后每3年左右要作技术升级的投资。

    另据2010年12月资料,介绍3D闪存制作工艺(由于制造工艺各家都十分保密,因此本文中提到的方法也不可能完整);3D NAND技术在产品生产上都采用一体成形制造法。所谓一体成形制造法是在第一层NAND薄膜生长后,使用光罩及刻蚀,随后连续成长8层薄膜及刻蚀之后,最后便只需一道光罩,总计需要27张光罩。该方法在2007年由东芝提出,其Bit Cost scalable(BiCS)TFT SONOS便是采用这种技术。目前,三星(Samsung)的TACT、VSAT;东芝的P-BiCS和3D VG,都属于一体成形3D内存技术,可大幅降低生产成本。

    坚持下去才有成功希望

    目前业界的心态是能迅速上马,最希望的能有技术合作伙伴呈现,甚至更有人期望通过兼并,一下子跃升至该有的高度。实际上的结果是至此无人响应,全球存储器厂商集体的“袖手旁观”。

    其实这样的结果是意料之中,并非是坏事,至少断了想依赖有人能邦助我们的念想。因为即便有人能与中国进行技术合作,等于上了别人设计的轨道,谁也明白最先进的技术不可能给中国,而沿着别人轨道走会更难受,等于束缚了自已的手脚。

    3D NAND闪存在全球竞争的态势是工艺制程水平20-40纳米,在成熟工艺范围。除了三星己达256Gb,48层之外,其它对手们几乎都在追赶。随着CVD工艺淀积层数的增多,困难在于高深宽比的付蚀,目前看到在64层时,要达到60;1及70;1的付蚀已经很难。所以这个球己踢给设备供应商,它们要获得订单必须要为客户解决难关。而据来自半导体设备厂的消息,未来128层尚有希望。这样在对手之间的差异性并不很大,因此我们尚有一线成功的希望。

    不管如何,现阶段的自行研发一定要加紧突破,32层及48层都是前进中的关键点,而且一定要把研发与量产结合在一起,改变之前两者脱节的弊病。同时要充分利用好设备制造商,它们手中握有许多关键工艺技术,在提供设备的同时与我们分享。

    未来它们对付中国的方法可能是首先打IP战,控制技术与人材流失,以及最后一招是打价格战,让中国的企业在财务方面无法承受。因此现阶段对手们是集体的“袖手旁观”,等着看中国出错,最好是让我们知难而退。

    对于中国存储器芯片制造项目,一定是场艰难的仗。预计无论是3D NAND闪存,或者是利基型DRAM,首先中国要解决的是从无到有的问题,相信是完全可能的,然而由于采用技术的不同,以及制造成本方面的显著差异,未来可能的痛点是在面临巨额亏损下不动摇,不气馁,只有坚持下去才有成功的希望。在此点上需要决策层面早有充分的预案与准备。

    引用麦肯锡亚太区半导体咨询业务负责人唐睿思说,“我一直在强调一个重点,就是要有长期的耐心资本,需等待很长时间才能见效,不是一夜之间就有大突破而更多的是逐年会有进步,执行力更好、有更多业务……在半导体行业成功是没有捷径的!”

    “投资没耐心是制约中国半导体发展的重要因素。很多投资人或企业想要三五年就获得回报,很难实现。半导体制造行业投资成功在中国可能需要十年左右的时间”。

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    本文转自d1net(转载)

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  • 意法半导体近日针对快速兴起的NFC(近距离通信)市场推出采用先进硅技术的全新全集成安全系统芯片(SoC)解决方案。 NFC技术为用户带来先进的无线或非接触式通信服务,例如手机电子付费。采用ST先进的0.13微米嵌入式...
  • 意法半导体(ST)宣布公司采用70nm 制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512Mb (小页)和1/2/4/8Gb (大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺,使该系列产品进入NAND闪存技术的最先进行列,升级后的产品价格低廉,功耗更...
  • 特种工艺技术包括高精度模拟CMOS、射频CMOS、嵌入式存储器CMOS、CIS、高压CMOS、BiCMOS及BCDMOS,这些特种技术对晶圆厂的工艺参数有较为严格的容差限制,在成熟的8寸晶圆厂投产成品率较高。常用的DC-DC转换器、马达...
  • 意法半导体部门副总裁兼MEMS、传感器和高性能模拟产品部总经理Benedetto Vigna表示:“我们是消费电子产品市场的MEMS... 作为意法半导体MEMS产品阵容中的产品,L3G4200DH陀螺仪集成一个片上FIFO存储器模块,多可存储
  • 2007年4月20日讯, 意法半导体(ST)推出两款新的专门为大批量生产的2.5G和3G手机SIM卡设计的安全微控制器。新产品ST21Y036和ST21Y144分别提供36 KB和144 KB的用户EEPROM存储器,与2006年底推出的现已量产的ST21Y068...

空空如也

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先进半导体存储器