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  • 而用 MOS电平转换也能实现同样的功能。 电路图中 +3V3由芯片侧的电源提供,VIN由外设电源提供。 如果外设的总线电压为5V,那么VIN就由5V供电。如果为3.3V,那VIN就由3.3V供电。 所以这个电路通常放置于外部...

    MOS电平转换电路,通常用在 IIC总线电压的转换。你看 tb上卖的 iic总线设备模块,像 MPU6050模块,是不是会在上面找到两个 SOT-23封装的三极管,其实那是 MOS,用来做电平转换。

    例如像 stm32单片机的 I2C总线电压一般为 3.3V。

    而这条总线上挂载的从机外设,可能电平电压是 5V的。

    这时候就需要进行电平转换:可以使用专用的电平转换芯片,成本高。而用 MOS做电平转换也能实现同样的功能。

     

    电路图中 +3V3由芯片侧的电源提供,VIN由外设电源提供。

    如果外设的总线电压为5V,那么VIN就由5V供电。如果为3.3V,那VIN就由3.3V供电。

    所以这个电路通常放置于外部从机设备的电路中。如果放在主机侧,需要考虑外设电源的接线,会略麻烦。

     

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  • N-MOS电平转换电路分析

    千次阅读 2019-05-30 11:45:48
    下面这个电路是一个利用N-MOS管搭建的5V与3.3V之间电平转换的电路,一般在I2C电平转换上用的比较多,当然也可以用于其他低速信号的电平转换。 这个电路设计有一个关键点就是两边都需要加上拉,分别是两种电平的...

    下面这个电路是一个利用N-MOS管搭建的5V与3.3V之间电平转换的电路,一般在I2C电平转换上用的比较多,当然也可以用于其他低速信号的电平转换。

    这个电路设计有一个关键点就是两边都需要加上拉,分别是两种电平的电压值。

    我们来看一下他是如何工作的:

    1、当左边为高电平时,Vgs = 0,MOS管不通,则右边被3.3V上拉,为高电平;

    2、当左边为低电平时,右边的电通过MOS管的内部体二极管漏电到左边,那么右边S极为低电平,此时Vgs>0,MOS管导通,则右边为低电平。

    这个电路可以实现双向电平转换,我们看一下右边输入的情况:

    1、当右边为高电平时,Vgs = 0,MOS管不通,则右边被5V上拉,为高电平;

    2、当右边为低电平时,Vgs>0,MOS管导通,则左边为低电平。

    可以根据这个电路设计3.3V与1.8V之间电平的转换电路,要注意选择MOS时,使用1.8V是否可以完全导通。

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  • MOS电平转换,1.8V转3.3V,3.3V转1.8V

    千次阅读 2020-04-16 14:40:21
    1 MOS实现电平转换 0 前言 在电路开发的过程中,经常遇到两个系统电平不一致的情况,这时候如果两个系统需要通信,就需要进行电平转换也就是level shifting,如果通信线比较多或者有其他特殊需求,可以选用集成的...

    1 MOS实现电平转换
    0 前言
    在电路开发的过程中,经常遇到两个系统电平不一致的情况,这时候如果两个系统需要通信,就需要进行电平转换也就是level shifting,如果通信线比较多或者有其他特殊需求,可以选用集成的level shifting芯片进行设计,电路设计复杂度低,但是成本比较高。如果只有一两路信号,我们可以选用mos进行电平转换,造价比较低。

    1 芯片选型及原理图
    下面以1.8V和3.3V电平为例。这里我么选用一个NMOS型号为WNM2021,需要注意的几个参数为,导通电阻,开关速度,打开门限电压等,此mos相关参数如下:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    原理图如下:

    image.png
    2 原理图分析
    1.从1.8V到3.3V(从左到右)
    a. IO_1.8为高电平时,MOS关断,此时IO_3.3为高电平
    b. IO_1.8为低电平时,Vgs = 1.8V>Vgs(th), 此时MOS导通,IO_3.3被拉低,为低电平
    c. IO_1.8为高阻态时,MOS关断,IO_3.3为高电平
    2.从右到左
    a. IO_3.3为高电平,MOS关断,IO_1.8为高电平
    b. IO_3.3为低电平,由于体二极管的存在,MOS管s端会被拉低从而MOS导通,IO_1.8被拉低
    c. IO_3.3为高阻态,MOS关断,IO_1.8为高电平

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  • MOS实现电平转换,电平匹配

    千次阅读 2019-05-23 15:06:41
    MOS实现电平转换 0 前言 在电路开发的过程中,经常遇到两个系统电平不一致的情况,这时候如果两个系统需要通信,就需要进行电平转换也就是level shifting,如果通信线比较多或者有其他特殊需求,可以选用集成的...

    MOS实现电平转换


    0 前言

    在电路开发的过程中,经常遇到两个系统电平不一致的情况,这时候如果两个系统需要通信,就需要进行电平转换也就是level shifting,如果通信线比较多或者有其他特殊需求,可以选用集成的level shifting芯片进行设计,电路设计复杂度低,但是成本比较高。如果只有一两路信号,我们可以选用mos进行电平转换,造价比较低。

    1 芯片选型及原理图

    下面以1.8V和3.3V电平为例。这里我么选用一个NMOS型号为WNM2021,需要注意的几个参数为,导通电阻,开关速度,打开门限电压等,此mos相关参数如下:

     
    原理图如下:

    2 原理图分析

    1.从1.8V到3.3V(从左到右) 
    a. IO_1.8为高电平时,MOS关断,此时IO_3.3为高电平 
    b. IO_1.8为低电平时,Vgs = 1.8V>Vgs(th), 此时MOS导通,IO_3.3被拉低,为低电平 
    c. IO_1.8为高阻态时,MOS关断,IO_3.3为高电平 
    2.从右到左 
    a. IO_3.3为高电平,MOS关断,IO_1.8为高电平 
    b. IO_3.3为低电平,由于体二极管的存在,MOS管s端会被拉低从而MOS导通,IO_1.8被拉低 
    c. IO_3.3为高阻态,MOS关断,IO_1.8为高电平


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空空如也

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