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电路设计,是指按照一定规则,使用特定方法设计出符合使用要求的电路系统。 展开全文
电路设计,是指按照一定规则,使用特定方法设计出符合使用要求的电路系统。
信息
作    者
朱清慧
定    价
26.0
又    名
电子线路设计制版与仿真  第3版
装    帧
平装
书    名
电路设计
出版时间
2016.03
开    本
16开
出版社
清华大学出版社
ISBN
978-7-302-42679-0
页    数
367
电路设计内容简介
电路(电子线路)是由电气设备和元器件按一定方式联接起来,为电流流通提供了路径的总体,也叫电子网路。电路的大小可以相差很大,小到硅片上的集成电路,大到输电网。电路(英文:Electrical circuit)或称电子回路,是由电气设备和元器件,按一定方式联接起来,为电荷流通提供了路径的总体,也叫电子线路或称电气回路,简称网络或回路。如电阻、电容、电感、二极管、三极管和开关等,构成的网络。 [1] 
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    电压的采集是我们进行电路设计常常用到的,具体的采集类型上又分为直流采集和交流采集,将源电压通过一系列的电路设计,最终通过AD(数模转换芯片或单片机内部AD)读入MCU,并执行相应的决策,是我们大多设计的要求...

         电压的采集是我们进行电路设计常常用到的,具体的采集类型上又分为直流采集交流采集,将源电压通过一系列的电路设计,最终通过AD(数模转换芯片或单片机内部AD)读入MCU,并执行相应的决策,是我们大多设计的要求。下文将通过具体的实例介绍如何设计合适的电压采集电路。

    直流电压采集

    要求:采集一个输出范围为20V-28V的Uo电压信号到0-3.3V的AD。

    设计思路:将20v到28v中的8v压差全部映射到0-3.3v的范围内,才内能更好的利用AD模块,所以首先将Uo与20V做差分,将电压抬低到0-8v(注:有时碍于仪放信号输入电压的范围较小会先分压再抬低见形式二),然后通过电阻分压将8v映射到3.3v的范围内。

    形式一:

    1、利用现有的电压产生20v的基准电压

    2、通过仪放将Uo与20v差分(注:826的REF引脚为输出基准)

    3、分压及输出阻抗匹配(电压跟随器)

    4、输出钳位保护

    形式二:

    1、将Uo分压7倍,即将0-28v映射到0-4v,同理将20v也分压7倍即要产生2.857v的电压基准

    2、差分并放大2.887倍及钳位电路(计算方法:3.3/(4-2.857),差放直接输入给AD不需要阻抗匹配)

     

    交流电压采集

    要求:采集单相正弦交流电的有效值范围为(0-24v)

    设计思路:通过电压互感器将电压读取到,并放缩到合适的范围内,输入给有效值检测芯片,再将有效值检测芯片的输出给AD

    1、电压互感器读取

    2、有效值检测芯片及保护电路

    总结:不论电路设计的多么精确,误差总会是有的,所以在电路的设计基础上,再通过MATLAB将数据进行拟合,才能将误差进一步的消除。

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    从OP放大器实践电路到微弱信号的处理,是测量电子电路设计--滤波器篇的姊妹篇。
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  • COMS原理及门电路设计

    千次阅读 多人点赞 2019-04-07 18:48:59
    4.典型门电路设计 1.cmos反相器设计 2.coms与非门与或非门设计 3.与或非门、或与非门设计 4.异或、同或设计 5.设计方法总结 参考资料 关于CMOS进一步的组合逻辑与时序逻辑设计请参考: CMOS的宽/长比、传输...

    目录

    1.N/P MOS管的物理结构图

    2.N/P MOS管的工作原理

    3.N/P MOS管的抽象模型

    4.典型门电路设计

    1.cmos反相器设计

    2.coms与非门与或非门设计

    3.与或非门、或与非门设计

    4.异或、同或设计

    5.设计方法总结

    参考资料

    关于CMOS进一步的组合逻辑与时序逻辑设计请参考:

    CMOS的宽/长比、传输门与三态门、锁存器与触发器、简单版图、竞争与冒险


    前言:现代集成电路就是在硅晶片上制作CMOS电路,CMOS是在集成电路设计中,同时采用两种MOS器件NMOS管和PMOS管,并通常配对出现的一种电路结构。所以理解其原理以及基本构成门电路结构是必要的。

    MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor

    COMS     互补金属氧化物半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor

    1.N/P MOS管的物理结构图

    [1]以NMOS为例,在P在一块p型衬底(p-sub,衬底又叫Bulk或Body)上,通过选择掺杂形成两个的n+区,分别为源极(Source)和漏极(Drain);衬底之上用SiO2做一块绝缘层,绝缘层之上用高掺杂的多晶硅(Poly-silicon)做栅极,称作多晶硅栅,即为栅极(Grid);栅在源漏方向的长度称作栅的长L,垂直方向称为栅的宽W,需要注意的是,在数量上W比L要大。

    上面的图中画出了MOSFET的三个极:源(S)、漏(D)和栅(G),但其实MOSFET是个四端器件,因为还有衬底(B)没有引出管脚来。下图中将衬底引出管脚来:

    在电路连接中,一般将MOS的衬底B与源S连接到一起,使其电位相等。如果衬底的电位与源电位不等,则会存在体效应,引起阈值电压的偏移。

    如果不连在一起的话,其源和漏是完全对称的,也就是说源和漏是可以互换的。在MOS中,源为提供载流子的端,而漏为接收载流子的端。源和漏也正是依据这一定义来区分:NMOS中导电的载流子是电子,因此接到电路的最低电位以提供电子的是源极;而PMOS中导电的载流子是空穴,因此接到电路最高电位以提供空穴的是源极。

    MOSFET中的导电沟道也是在衬底中形成:栅极与衬底之间隔有SiO2绝缘层,因此栅与源、漏、衬底之间不导通,而是形成平行板电容器,加电压时栅与衬底之间形成电场,在该电场的影响下衬底中形成导电沟道,MOS管就开始导通,因此叫场效应晶体管(Field Effect Transistor)。

    集成电路中大规模应用的CMOS技术,要求在一块硅片上同时做多个NMOS和PMOS。但是NMOS与PMOS的衬底类型不同,这就要求在工艺上为其中一类晶体管做一个局部衬底,称为阱,这类晶体管就做在阱中。因此,目前采取的技术是:NMOS直接做在p衬底上,而在需要做PMOS的区域做一块掺杂的n区,称为n阱(well),PMOS就做在这个阱中。 如下图:

    2.N/P MOS管的工作原理

    图1

    注意上图都把衬底与源极连在一起了。

    MOS管分为增强型与耗尽型,以增强型NMOS管为例[2]。

    (1)vGS=0

    在漏源间加电压vDS,栅源无电压时,两个N+之间无法导通,因为漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结,而且不论vDS的极性如何总有一个PN结处于反偏状态,漏源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。如上图1(a)

    (2)vGS>0

    若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴:使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。如上图1(b) 

    导电沟道的形成:

    当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏—源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,将两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示。vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。

    开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压,用VT表示。

    上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生。

    vDS对iD的影响:

    漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,这里沟道最厚,而漏极一端电压最小,其值为VGD=vGS-vDS,因而这里沟道最薄,如图2(a)。但当vDS较小(vDS<vGS–VT)时,它对沟道的影响不大,这时只要vGS一定,沟道电阻几乎也是一定的,所以iD随vDS近似呈线性变化。

    随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使vGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)时(疑问1:为什么夹断点的vDS电压是这个关系?),沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区(疑问2:为什么“夹断”后还有电流并且电流饱和不变?),iD几乎仅由vGS决定。其iD随着vDS变化的图如图3左图。

    图2

     

    图3 特性曲线与电流方程

    增强型与耗尽型的区别:增强型需要vGS>VT时才会使得漏源电流产生,耗尽型则vGS>0即可,不存在阈值电压,不加电压导电沟道就有了。

    原因:制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。

    PMOS管与NMOS管相似,只是相反的是需要在栅上相对于源极施加负电压,栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。当达到强反型时(到达阈值电压VTP),在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的 P 型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。同样的vGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大[4]。其电流特性如下图2.7所示:

     

    疑问回答:

    1.为什么夹断点的vDS电压是这个关系?

    导电沟道里都是电子,vDS增大会使电子都流向D端,从而使得沟道靠近D端导电沟道变窄,当vDS=vGS-VT时,他们正好相互抵消这种吸引电子的能力,所以就出现夹断点。

    2.为什么“夹断”后还有电流并且电流饱和不变?

    在夹断后出现的是耗尽层,横向电场大部分落在这个区,电场方向漏端指向源端,该夹断区边缘的反型电子(nmos),由于扩散,一旦电子进入该区域就会被电场加速扯到漏端,从而形成电流。 至于为什么电流恒定即饱和,因为电子迁移率不再与电场成线性增加的关系了,电子漂移速度达到饱和[3]。

    3.N/P MOS管的抽象模型

     芯片中,我们使用MOS管时是让其工作在饱和区的。也就是说:

    对于NMOS管来说,在其漏极加电压VDD,源极接地:

    在栅极加高电平(vGS>VT),则导通,导通电阻(D与S之间的电阻)很小,则S端为高电平;

    在栅极加低电平 ,则截止,导通电阻(D与S之间的电阻)很大,S端为低电平;

    当然实际这么接会烧坏管子的,这么画为了方便理解。

    NMOS模型

    对于PMOS管来说,在其源极加电压VDD,漏极接地:

    在栅极加低电平(|vGS|>|VT|),则导通,导通电阻(S与D之间的电阻)很小,则D端为高电平;

    在栅极加高电平 ,则截止,导通电阻(S与D之间的电阻)很大,D端为低电平;

    当然实际这么接会烧坏管子的,这么画为了方便理解。

    PMOS模型

    两种MOS的另一种画法:

    4.典型门电路设计

    1.cmos反相器设计

    如图2.15:输入高电平,下面的NMOS导通电阻极小,上面的PMOS截止电阻极大,根据电阻串联的分压原理,所以OUT低电平。输入低电平就相反。其中CL为负载电容,输出的电平转换时间取决于CL[5]。

    2.coms与非门与或非门设计

    如图2.16(a)与非门NAND:上并下串,任意一个输入为低电平,下面有NMOS会截止,电阻极大而输出高电平

    如图2.16(b)或非门NOR:上串下并,任意一个输入为高电平,上面有PMOS会截止,电阻极大而输出低电平

    3.与或非门、或与非门设计

    设计如下与或非门:

    如上图2.17所示:

    设计如下或与非门:

    如上图2.18所示,其分析原理与与或非门相似。

    4.异或、同或设计

    上图可以看出,同或的两种设计中,下面的方法使用更少的MOS管

    5.设计方法总结

    至此,我们可以总结一下,

    (1)输出out将设计分成上面PMOS下面NMOS两层,且上下数量相等,即一个输入要占用N与P各一个(输入没有取反的情况,若取反的话要加一个倒向器),即m个输入要2m个mos管。

    (2)整体是与非逻辑时,NMOS串联,PMOS并联;整体是或非逻辑时,NMOS并联,PMOS串联

    以或与非门为例,我们先把整体看成三部分的与非,那么这三部分的NMOS就是串联,PMOS并联,然后再看各部分内部是关系,NMOS就是并联,PMOS串联。

    (3)设计步骤: 根据逻辑公式化简为整体与非门或者整体或非门的形式,然后用门电路画出来,最后用MOS管画出来。

    参考资料:

    [1]从器件物理层面看MOSFET的内部结构 https://www.cnblogs.com/Atsea/p/3723858.html

    [2]详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管https://blog.csdn.net/wuhenyouyuyouyu/article/details/83585461

    [3]mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了?

    [4]VLSI设计基础,第三版,李伟华著(主要参考书,这是我本科学过的一本书)

    [5]反向器的性能分析https://wenku.baidu.com/view/c5491b795acfa1c7aa00cc0b.html

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  • 温度指示报警电路设计报告

    千次阅读 2021-01-02 01:29:14
    设计主要运用基本的模拟电子技术基础和传感器原理的知识,从基本的元器件出发,实现了超温报警电路设计。秉承的主要思想是达到课程要求和尽可能多的利用自己所学的知识。 本文介绍一种运算放大器温度指示及报警...

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    摘要
    温度指示电路是在实际应用中十分广泛的测量电路之一。本设计主要运用基本的模拟电子技术基础和传感器原理的知识,从基本的元器件出发,实现了超温报警电路的设计。秉承的主要思想是达到课程要求和尽可能多的利用自己所学的知识。
    本文介绍一种运算放大器温度指示及报警电路的设计方法,本电路主要由四运算放大器LM324、热敏电阻、LED发光二极管、蜂鸣器等元器件组成,并利用热敏电阻阻值随着温度的升高而减少的原理。改变LM324比较器的比较电压,使其输出产生变化,从而引起发光二极管发光,当温度达到最高指示值时,蜂鸣器发出报警声。

    关键词:LM324;9013三极管;比较电压

    1设计任务及要求

    1.1技术要求

    (1)通过慢慢调节滑动变阻器,用8个LED发光二极管来模拟温度由低到高变化。
    (2)温度过高,即温度超过最高位模拟温度对应发过二极管时产生报警信号。

    1.2主要任务

    (1)按照技术要求,提出自己的设计方案(多种,芯片不限)并进行比较;
    (2)查阅资料,确定所需各元器件型号和参数;
    (3)根据设计的实现方案,在multism或protues软件上画出电路图并进行仿真;
    (4)在电路板上焊接组装电路;
    (5)自拟调整测试方法,并调试电路使其达到设计指标要求;
    (6)撰写设计说明书,进行答辩。

    2方案论证

    2.1方案一

    方案一主要由四运算放大器LM324、热敏电阻、LED发光二极管、蜂鸣器等元器件组成,并利用热敏电阻阻值随着温度的升高而减少的原理。改变LM324比较器的比较电压,使其输出产生变化,从而引起发光二极管发光,当温度达到最高指示值时,蜂鸣器发出报警器。但是所用的两个LM324运算放大器的同向输入端均接在同一支路上,共同由滑动变阻器控制。
    在这里插入图片描述
    图2-1 方案一电路仿真图

    2.2方案二

    方案二也主要由四运算放大器LM324、热敏电阻、LED发光二极管、蜂鸣器等元器件组成,并利用热敏电阻阻值随着温度的升高而减少的原理。改变LM324比较器的比较电压,使其输出产生变化,从而引起发光二极管发光,当温度达到最高指示值时,蜂鸣器发出报警器。但是所用的两个LM324运算放大器的同向输入端均接在不同的支路上,第二个LM324 U1:D的同向输入端与电阻R20串联再与滑动变阻器RV1并联。

    在这里插入图片描述

    						图2-2方案二电路仿真图
    

    2.3 对比分析

    两种方案经测试均可达到实验要求,但是方案二将两个LM324的同向电压分开控制,并给第二个LM324加了一个限流电阻,使电路更加合理安全。
    故本次设计采用方案二电路设计。

    3 电路设计

    如图3-1,本电路设计是依靠改变运算放大器的输出电压来使LED灯依次亮,其中仿真电路时通以9V电压,第一个LM324(U1:A+U2+U3+U4)控制D1D4,第二个LM324(U1:D+U5+U6+U8)控制D5D8,开启仿真时,三极管处于截止区,不导通,称R19所在支路为支路1,R10所在支路为支路2,R20所在支路为支路3。其中支路1和2的电压均为9V,支路3的电压为滑动变阻器RV1的电压。其中两个LM324同向输入端的电压均由滑动变阻器RV1控制。第二个LM324的4个运算放大器的同向输入端也可以直接接到支路1上,也能达到实验想过,之所以加了一个R20将后四个同向输入端接到支路3上是起到限流作用,保护电路。
    R1~R8为限流电阻,保护LED。R19与滑动变阻器RV1组成比较电压阈值,来控制同向输入端电压,没有R19会导致所有同向输入端电压过大,从而使LED常亮。 R10R18是分压电阻,用来限定每个运算放大器反向输入端的电压,其中没有R10会导致反向输入端电压过大,D2一定不会亮(V反>V同),c经测试当热敏电阻阻值为零时,只有D6D8会亮。R9为1K基极电阻,此次用的三极管为9013,是共射放大电路,当D2亮的时候,蜂鸣器随之被驱动。

    运算放大器的反向输入端均接在了支路3上,由图可知,D2到D8所接的运算放大器的反向输入端电压依次减小,其中通过热敏电阻RT1来改变整体反向输入端的电压。我们先改变滑动变阻器的阻值,使D8刚亮,此时固定同相输入端电压。当加热热敏电阻时(此处为体现效果,测试图中将热敏电阻替换为滑动变阻器),反向输入端阻值减小,输出电压(V同-V反)β增大,致使后面的灯亮。
    此测试结果图为RV1滑动变阻器接通阻值为10K*(1-67%) =3.3K的时候,D8刚刚灭,之后调节RV2滑动变阻器,使其阻值变为97%,即50K97%=48.5K时,D8刚亮,当阻值变为70%的时候,即50K70%=35K的时候,8个LED灯刚好全部亮。

    在这里插入图片描述

    									图3-1
    

    4 总体电路设计与测试

    4.1软件仿真与调试

    总电路图由上面所述的单元电路组合而成。只需改变热敏电阻的阻值即可使灯依次量。总电路仿真图如图4-1所示。

    在这里插入图片描述

    						图4-1 总电路仿真图
    

    测试结果如图4-2,4-3和图4-4所示(此处为体现效果,测试图中将热敏电阻替换为滑动变阻器)。此测试结果图为RV1滑动变阻器接通阻值为10K*(1-67%) =3.3K的时候,D8刚刚灭,之后调节RV2滑动变阻器,使其阻值变为(1-3%)=97%,即50K97%=48.5K时,D8刚亮,当阻值变为(1-30%)=70%的时候,即50K70%=35K的时候,8个LED灯刚好全部亮。

    在这里插入图片描述

    							图4-2 测试结果图1(D8刚灭)
    

    在这里插入图片描述

    							图4-3 测试结果图2(D8刚亮)
    

    在这里插入图片描述

    							图4-4 测试结果图3(全部亮)
    

    4.2 硬件仿真与调试

    温度指示报警电路图如图4-5所示。此实物图采用4.5V直流电源供电,利用LM324比较器的比较电压,使输出电压发生变化,驱动LED亮。通过用手捏热热敏电阻,使反向输出端的电压减小,使LM324输出电压增大,LED会依次亮

    在这里插入图片描述

    							图4-5(1)
    

    在这里插入图片描述

    							图4-5(2)
    

    在这里插入图片描述

    							图4-5(3)
    
    
    					图4-5温度指示报警器件实物图
    

    温度指示报警电路原理图4-6所示,温度指示报警电路PCB图4-7所示。两图通过AltiumDesigner Winter 09,加入所需元件库设计而成。

    在这里插入图片描述

    						图4-6温度指示报警电路原理图
    

    在这里插入图片描述

    						图4-7温度指示报警电路PCB图
    

    5 体会

    最开始用proteus进行仿真的时候遇到了很多的错误,其中最主要是选择运算放大器耗了很长的时间,一开始没有具体了解LM324的具体原理,LM324是一个四运算放大器,其中在用proteus里仿真时一个LM324由4个运算放大器组成,从器件库调取器件时,应该是拿一个LM324(5引脚)和3个OP1P(3引脚,是一个理想运算放大器)组成一个完整的LM324。尤其是在Altium Designer里画原理图的时候第一次自己封装LM324把他分成了四部分,百度了之后发现,LM324可以直接用画一个填充并安装14个引脚表示(如下图5-1),当然需要标明各引脚的作用。然后画PCB时封装LM324就比较方便了,直接用Component Wizard中的DIP制作,很方便。
    在这里插入图片描述

    					图5-1
    

    用滑动变阻器控制好同向输入端的电压,热敏电阻改变反向输入端的电压,
    包括在画原理图和PCB版的时候,就应该把4个运算放大器集成到一个器件里组成LM324,标清好14个引脚的功能。
    以后在做类似实习的时候,一定要先在网上查清楚所使用芯片的原理图,了解它每一个引脚的功能。
    电路焊接过程中,器件比较集成,引脚间距短,容易把两个引脚连接在一起。
    这次课程设计把学习的理论与实践相结合,提高了我们的动手能力,让我们了解了更多电路方面的实际知识,收获很大。

    6 系统使用的元器件清单

    在这里插入图片描述

    							表6-1温度指示报警器件清单
    

    7 参考文献

    [1]童诗白,华成英,模拟电子技术基础(第五版).北京:北京高等教育出版社,2015.7
    [2]高建疆,电子电路设计制作的调试探析[J],数字通信世界,2018.07
    [3]张璐,一种测温放大与报警电路设计[J],甘肃科技纵横,2019.09
    [4]王世福,宋世学,模电教学中运算电路教学探究[J].科技资讯,2020.11
    [5]王正勇.基于LM324的信号发生器设计与仿真[J].现代电子技术,2016.1
    [6]雷媛媛,超温报警电路的设计[J],数字技术与应用,2015.12

    8 附录

    1、LM324资料

    LM324内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。
    LM324系列是低成本的四路运算放大器,具有真正的差分输入。在单电源应用中,它们与标准运算放大器类型相比具有几个明显的优势。该四路放大器可以工作于低至3.0 V或高达32 V的电源电压,静态电流是MC1741的五分之一左右(每个放大器)。共模输入范围包括负电源,因此在众多应用中无需外部偏置元器件。输出电压范围也包括负电源电压。
    应用领域包括传感器放大器,直流增益模块和所有传统的运算放大器可以更容易地在单电源系统中实现的电路。例如,可直接操作的LM324系列,这是用来在数字系统中,轻松地将提供所需的接口电路,而无需额外的±15V电源标准的5V电源电压。
    主要特性:
    短路保护输出
      真正的差分输入级
      单电源供电:3.0 V至32 V(LM224、LM324、LM324A)
      低输入偏置电流:100 nA最大值(LM324A)
      每个封装有4个放大器
      内部补偿
      共模范围扩展至负电源
      行业标准的引脚分配
      输入端的ESD钳位提高了可靠性,且不影响器件工作
      提供无铅封装
    在这里插入图片描述

    						图8-1
    

    2、9013资料

    9013是一种NPN型小功率三极管。三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。三极管的排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途:作为音频放大和收音机1W推挽输出以及开关等 。

    9.附:完整资源链接——温度指示报警电路设计

    (含:温度指示报警电路设计报告+PPT+PPT讲解视频+Pcb电路封装图+Proteus电路仿真图+真实器件测试视频)

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    【 声明:版权所有,请勿用于商业用途。 联系信箱:feixiaoxing @163.com】

        在立创开源硬件平台上面,stm32可以说是使用最多的mcu芯片。它的核心是arm core。一方面,工业上比较认可stm32,另外一方面,我们也不得不承认意法半导体在校园推广mcu方面确实做的很好。当然,目前芯片普遍比较紧俏,之前便宜的几块钱的stm32,都要几十甚至上百了,这已经是后话了。

        stm32用的比较多的stm32f103、stm32f3、stm32f4这些。现在,除了上面说的这些,又出现了stm32f7系列,就我的认知来说,目前用的还不多。目前,stm32多用在工业上,电机、仪表、运动控制、采集方面,都有很多的应用场景。

        此外,stm32还容易使用rtos,在一些实时要求比较高的地方,用它是非常方便的。很多时候,除了实时控制,还需要人机交互,所以这个时候,stm32旁边还会搭配一个linux soc,这都是很正常的现象。当然,要是遇到图像处理方面的内容,或者并发要求比较多的场合,stm32配合fpga,也不是很稀奇的情况。当然,用了rtos也不代表stm32就是实时控制了,这个等有机会再说。

        为了说明stm32的最小电路,可以找一个电路图来学习下。比如这,https://oshwhub

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