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  • 失效分析

    2019-12-23 19:27:44
    失效分析 失效分析的总章与目录。 失效分析基础 l 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路 l 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力…… l 失效分析的问题来源、入手点、输出物...

    失效分析

    失效分析的总章与目录。

    失效分析基础

    l 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路

    l 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……

    l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准

    失效分析技术方法

    A、失效分析的原则

    B、失效分析程序

    l 完整的故障处理流程
    
    l 整机和板级故障分析技术程序
    
    l 元器件级失效分析技术程序(工作过程和具体的方法手段介绍)
    

    C、失效信息收集的方法与具体工作内容

    l 如何确定失效信息收集的关注点
    
    l 样品信息需要包括的内容
    
    l 失效现场外部信息的内容
    
    l 信息收集表格示例
    
    l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
    

    D、外观检查

    l 外观检查应该关注的哪些方面
    
    l 外观检查发现问题示例
    
    l 外观检查的仪器设备工具
    

    E、电学测试

    l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
    
    l 电测的具体方法
    
    l 几种典型电测结果的机理解析
    
    l 电测时复现间歇性失效现象的示例
    
    l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
    
    l 电测的常用仪器设备
    

    F、X-RAY

    l X-RAY的工作原理与设备技术指标
    
    l 不同材料的不透明度比较
    
    l X-RAY的用途
    
    l X-RAY在失效分析中的示例
    
    l X-RAY的优缺点
    
    l X-RAY与C-SAM的比较
    

    G、C-SAM

    l C-SAM的工作原理与设备技术指标
    
    l C-SAM的特点与用途
    
    l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
    
    l C-SAM的优缺点
    

    H、密封器件物理分析

    l PIND介绍
    
    l 气密性分析介绍
    
    l 内部气氛分析介绍
    
    I、开封制样
    
    l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
    
    l 化学开封发现器件内部失效点的示例
    
    l 切片制样的具体方法与步骤
    
    l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
    

    J、芯片剥层

    l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
    
    l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
    
    l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
    
    l 去除金属化层的具体方法与示例
    

    K、失效定位-SEM

    l SEM的工作原理与设备特点
    
    l 光学显微镜与SEM的性能比较
    
    l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
    

    L、失效定位-成份分析

    l 成份分析中的技术关注点经验
    
    l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
    
    l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
    

    M、内部热分析-红外热相

    N、内部漏电分析-EMMI

    O、芯片内部线路验证-FIB

    P、综合分析与结论

    l 综合分析中的逻辑思维能力
    
    l 结论的特点与正确使用
    

    Q、验证与改进建议

    l 根本原因排查与验证
    
    l 改进建议及效果跟踪
    

    各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析

    1、失效分析全过程案例

    A、失效信息收集与分析            
    
    B、思路分析
    
    C、过程方法                      
    
    D、逻辑推导
    
    E、试验手段                       
    
    F、综合分析
    
    G、结论与建议
    

    2、静电放电失效机理讲解与案例分析

    A、静电损伤的原理               
    
    B、静电损伤的三种模型讲解
    
    C、静电损伤的途径               
    
    D、静电放电的失效模式
    
    E、静电放电的失效机理           
    
    F、静电损害的特点
    
    G、静电损伤的案例(比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管)
    

    3、闩锁失效机理讲解与案例分析

    A、闩锁损坏器件的原理           
    
    B、闩锁损坏器件的特征
    
    C、闩锁损坏器件的案例(开关器件、驱动器件等)
    
    D、闩锁与端口短路的比较         
    
    E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
    
    F、静电与闩锁的保护设计
    

    4、过电失效类失效机理讲解与案例分析

    A、过电的类型及特点(浪涌、过电压、过电流、过功率等)
    
    B、对应不同类型的过电的失效案例
    

    5、机械应力类失效机理讲解与案例分析

    A、机械应力常见的损伤类型
    

    6、热变应力类失效机理讲解与案例分析

    A、热变应力损伤的类型和特征
    

    7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析

    A、热结构缺陷的类型和特征         
    
    B、发现缺陷的技术手段
    

    8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析

    A、绕线材料缺陷                   
    
    B、钝化材料缺陷
    
    C、引线材料缺陷                   
    
    D、簧片材料缺陷
    

    9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析

    A、工艺缺陷的类型和主要特征,发现手段
    

    10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析

    11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析

    A、污染的来源与类型,腐蚀的主要原理
    

    12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析

    A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
    

    13、面目全非的样品的分析

    来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院

    《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨

    http://www.cesi.cn/page/index.html

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  • TVS失效分析

    千次阅读 2019-08-11 22:44:56
    TVS二极管失效分析https://mp.weixin.qq.com/s/1bPJ17Jc4a61xcl--EfO4A 硬件十万个为什么1周前 摘要:常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路失效,释放出的高能量...

    TVS二极管失效分析https://mp.weixin.qq.com/s/1bPJ17Jc4a61xcl--EfO4A

    硬件十万个为什么 1周前

    摘要:常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏.这是 TvS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况。

    通过对 TVS 筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.

    结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等。采用理论分析和试验证明等方法分析导致7rvS 器件短路失效的原因。

    分析结果表明引发 TvS 短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等。使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。

     

    1 引言

     

          瞬变电压抑制器( TVS:Transient Voltage Suppressor)是为了解决电子设备电压瞬变和浪涌防护问题而设计出的一种高性能的电子电路保护器件,瞬变电压抑制二极管,主要用于对电路进行瞬态保护。当TVS 管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度把两端间的阻抗变为低阻抗,吸收一个大电流,从而把它两端间的电压钳制在一个预订的数值上,保护后面的电路原件不因瞬态高电压冲击而损坏。国内外在电子产品和国内高可靠设备中的应用都十分普遍。随着TVS 使用范围和使用数量的增加,TVS 自身的可靠性备受关注,因为 TVS 可靠性不仅是 TVS 本身的问题,还关系到被保护电子电路的使用可靠性。研究 TVS 的可靠性须对 TVS 的失效模式和失效机理有深入的了解。文献表明 TVS 的失效模式有短路、开路和电特性退化。其中,短路失效最为常见,且对电路的影响最为严重。目前,国内对国产TVS 短路失效机理的研究缺乏深度,不够系统,因此,对国产 TVS 短路失效机理进行深入、系统的研究十分必要。

     

    2  TVS 短路失效样品和失效分析程序

          在国内主要TVS 生产厂商的支持下,搜集了有关国产 TVS 筛选和使用中短路失效的样品和筛选应力条件或使用条件等失效数据,对这些样品进行电参数测试、开帽、去保护胶、管芯与电极分离、去焊料和显微观察等步骤,找出失效部位,分析引发TVS 短路失效的内在质量因素或使用因素,以及失效的发生过程。其中内在质量因素即与器件设计、材料、工艺、组装、封装相关的引起器件失效的因素;使用因素即除内在质量因素以外的引起器件失效的因素,通常与过电引力、静电放电、过载、错误使用等相关。

     

    3  引发 TVS 短路失效的内在质量因素和失效机理

     

     

          TVS 器件主要由芯片、电极系统和管壳3 部分构成。其中芯片是核心,通常在单晶硅片上采用扩散工艺形成。将扩散好的芯片经过腐蚀成台面状、芯片镀镍、烧焊、涂保护胶、封帽、点焊上引线、外引线镀锡等工序便完成TVS 器件的制造。如果 TVS 制造工艺过程中控制不良,则可能造成 TVS 器件的固有缺陷,使TVS 成品率和可靠性降低,在筛选或使用中容易失效。TVS 筛选短路失效样品分析和统计表明,TVS 引发筛选短路的内在质量因素有很多,各因素的比例如图 1 所示。这些因素也是使用中引发 TVS 短路失效的主要内在质量因素。

    图 1-引发 TVS 筛选短路失效的内在质量因素分布&X* h% Q5 G  [% o5 e5 I' {" N7 ^1 a

    ( ]$ W" V6 Q/ I1 v& F- c1L0 X

    3.1 芯片粘结界面空洞 2 Q: z8 A- q- c

     

          引发 TVS 短路的最典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良,在烧结界面出现大面积空洞,如图2 所示。

          空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良,造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时,电流在烧结点附近汇聚,管芯散热困难,造成热电应力集中,产生局部热点,严重时引起热奔,使器件烧毁。对这些烧毁的器件进行解剖分析,可以看到有芯片局部较深的熔融;空洞面积较小时,可加速焊料热疲劳,使焊料层会产生疲劳龟裂,引起器件热阻增大,最终

    导致器件过热烧毁。 

     

    3.2 台面缺陷 

          TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS 制造工艺过程中造成芯片台面损

    伤的原因主要有两个: 

    1)芯片在酸蚀成型时,由于氢氟酸、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈; 

    烧焊过后进行碱腐蚀清洗时,腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。在显微镜下观察碱腐蚀清洗过重的台面,可以看到台面有类似被冲刷的痕迹,如图3 所示,这是因为硅片在(1, 0, 0)晶向被碱腐蚀清洗试剂腐蚀的速率最快。) 

    3-碱腐蚀清洗过重的台面 1  

          台面缺陷或损伤的 TVS 器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后,进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常,从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS 器件在筛选后电参数测试时不易被发现,可能被列为良品出厂。这些 TVS 器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后,台面缺陷加剧,在缺陷处形成载流子产生复合中心,使表面反向漏电流大大增加。大的表面反向漏电流使pn 结边缘温度升高,产生热电综合效应,最终导致 pn 结边缘半导体材料温度过高烧毁。8 A+ k! ?; |- K2 e4 x  _

     

    3.3 表面强积累层或强反型层

     

          即便TVS 器件芯片台面完好,TVS 短路失效也容易发生在表面。这是由于晶体结构的周期性在表面上中断,加上半导体表面往往存在许多磨片、抛光、喷砂、切片等引起的晶格缺陷,吸附腐蚀时残留的化学品、气体或其它污染物,会使半导体表面带电。表面电荷被保护胶钝化,并吸附或排斥半导体体内的自由载流子,在pn结边缘形成表面积累层、耗尽层或反型层等表面空间电荷层。在外加电压的作用下,强积累层或强反型层使pn 结边缘电场强度大于体内,如图 4 所示。因此,pn结边缘部分在比额定击穿电压低的电压下便达到临界电场而发生载流子倍增效应,造成pn 结边缘电流集中,功率密度过大,温度过高而烧毁

     

    图 4-外加反向电压作用下表面积累层对体内耗尽区的作用 

    3.4 芯片裂纹:  

          芯片裂纹是引起 TVS 短路失效的又一重要内在质量因素。它可能是由磨片、抛光、喷砂、切片等残留应力以及烧结后残留变形等因素引起,也可能是由于温度变化时保护胶和电极系统对芯片热不匹配应力而引起。细微裂纹在高低温循环,脉冲冲击或机械振动作用下会增大。如果裂纹在pn 结处,则引起 TVS 器件反向漏电流增大;如果裂纹在 pn 结附近,将会导致裂纹处载流子复合,裂纹附近载流子数目减少,pn 结特C- w) w的P 型或N 型硅片上先进行磷扩散后进行硼扩散形成的。如果扩散工艺过程中出现硅片电阻率轴向或径向不均匀,杂质浓度不均匀,体内缺陷(位错、层错、微缺陷)或pn 结表面不平整等情况,将会造成硅片掺杂不均匀,使硅片各处击穿电压不同,从而使器件击穿时管芯电流分布不均匀,多次浪涌冲击后局

    部烧毁。 

     

    引发 TVS 短路失效的使用因素和失效机理  

    4.1 过电应力  

          当瞬态脉冲能量超过 TVS 所能承受能量时会引起 TVS 器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到 TVS 所能承受能量的数倍时会直接导致 TVS 器件过电应力烧毁,失效模式表现为短路。过电应力短路失效的 TVS 芯片在扫描电镜下观察,可发现 pn 结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。 

          试验表明,发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致,例如:EMP、ESD 产生的脉冲;体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(μs 级以上)高能量脉冲所致,例如:电快速瞬变,雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于 ns 级和 μs 级之间,则短路可能发生在结边缘表面,也可能发生在体内。这一结果可通过热传导速率、硅和电极金属的熔融温度得到解释。如图5 所示,pn 结边缘到热沉的传热路径比体内长,传热较体内慢,因此结边缘温度比体内高。持续时间极短(ns 级)的高能量瞬态脉冲使边缘温度急剧升高,导致边缘热击穿而烧毁。而持续时间较长(μs 以上)脉冲使边缘热量有足够的时间传至芯片中心周围。随着芯片温度的升高,芯片中心周围产生熔融通道。当熔融从芯片的一表面延伸到另一表面时,硅片温度超过1400 ℃,处于熔融和非晶状态,成为导体,形成导电通路,使芯片短路。如果脉冲持续时间达到ms 级,例如,雷电产生的脉冲,还会使铅锡焊料达到 700 ℃以上而发生熔融。

    图 5-TVS 芯片表面传热路径

     

    4.2 高温

          当 TVS 器件工作温度超过其最大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在 pn 结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量大大增加,表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使 pn 结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS 在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150 V 以上)TVS 器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的 TVS 系列中,在承受相同功率时,高击穿电压 TVS 芯片温升更高。 

    4.3 长时间工作耗损       对筛选合格的 TVS 器件进行浪涌寿命试验,发现 TVS 器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结最边缘处最为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。 

    语:     内在质量因素引起 TVS 短路失效的机理主要是 TVS 制造工艺过程造成的芯片缺陷或损伤使 TVS 在承受脉冲冲击时芯片局部电流集中,导致芯片局部过热而烧毁。引发 TVS 短路的使用因素主要有过 制造工艺过程的控制,尤其是程进行更好的控制,这些都大大提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正确选型与安装,最好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小,使用可靠性大大增加。此外,为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到最低,

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  • 芯片IC失效分析测试

    2021-01-26 15:32:45
    IC集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或...

    IC集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。华碧实验室整理资料分享芯片IC失效分析测试。

    IC失效分析的意义主要表现具体来说,以下几个方面:

    1. 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。

    2. 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。

    3. 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。

    4. 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。

    失效分析主要步骤和内容

    IC开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。

    SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。

    探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。

    EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。

    OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电是发光显微技术的有力补充。

    LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。

    定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。

    X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。

    SAM (SAT)超声波探伤可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:1、晶元面脱层2、锡球、晶元或填胶中的裂缝3、封装材料内部的气孔4、各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。

    了解更多芯片IC失效分析测试可以和华碧实验室交流沟通

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  • IC失效分析芯片测试

    2020-09-29 20:08:24
    IC失效分析芯片测试 IC集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、...

    IC失效分析芯片测试

    IC集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。 失效分析的意义主要表现
    具体来说,IC失效分析的意义主要表现在以下几个方面:
    1. 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。
    2. 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。
    3. 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。
    4. 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。


    失效分析主要步骤和内容


    ◆IC开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。


    SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。


    探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。


    ◆EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。


    ◆OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。


    ◆LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。
    定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。


    ◆X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。


    ◆SAM (SAT)超声波探伤可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:o晶元面脱层,o锡球、晶元或填胶中的裂缝,o封装材料内部的气孔,o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。

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  • PCBA 电容失效分析

    千次阅读 2018-08-13 10:35:47
    PCBA 电容失效分析 1. 电容失效分类 Ⅰ:钽电解电容器——电压过载击穿烧毁;浪涌电压冲击,瞬间漏电流激增;极性反向短路;高温降额不足失效; Ⅱ:铝电解电容器——漏电流增大击穿;机型反向短路;高温降额不足...
  • 设计FMEA步骤四:失效分析

    千次阅读 2020-02-07 12:45:30
    设计失效分析的目的是识别失效起因、模式和影响,并显示它们之间的关系,以便能进行风险评估。 设计失效分析的主要目标是: ●确认每个产品功能的潜在失效影响、失效模式和失效起因(失效链) ●顾客和供应商之间的...
  • 过程FMEA步骤四:失效分析(一)

    千次阅读 2020-03-23 10:00:25
    过程失效分析旨在识别失效起因、模式和影响,并展示它们之间的关系,以便进行风险评估。 过程失效分析的主要目标是: • 建立失效链 • 每个过程功能的潜在失效影响、失效模式和失效起因 • 使用鱼骨图(4M类型)或...
  • 在相关的场景下,FMEA-MSR的失效分析旨在说明导致最终影响的事件链。 MEA-MSR失效分析的主要目标: ● 建立失效链 ● 失效起因、监视、系统响应、减轻的失效影响 ● 使用参数图或失效网识别产品失效起因 ● 顾客与...
  • 电子产品失效分析知识大全 失效分析是一门发展中的新兴学科,近年开始从军工向普通企业普及,它一般根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出失效的原因,挖掘出失效的机理的活动。在提高产品...
  • 对于应用工程师,芯片失效分析是最棘手的问题之一。之所以棘手,很无奈的一点便是:芯片失效问题通常是在量产阶段,甚至是出货后才开始被真正意识到,此时可能仅有零零散散的几个失效样品,但这样的比...
  • 失效分析有感

    2009-06-06 11:09:00
    失效分析是一个细致的活,需要你有多方面的知识,这个在我前一篇的博文中已经提到了,还需要非常的细心,不要放过被分析对象的在设计、生产、使用中的每一个细节,只有注意其中的每一个细节才能够更好的分析,同时要...
  • 失效分析 根据过程步骤,导出失效并从功能分析中创建失效链(即失效结构/失效树/失效网)—[详情见 过程FMEA步骤三:功能分析] 失效结构的关注要素被称为失效模式,失效模式存在相应的失效影响和失效起因。根据关注...
  • MySQL like查询后置%索引失效分析 表结构 CREATE TABLE `t_food_shop` ( `id` bigint(20) unsigned NOT NULL AUTO_INCREMENT COMMENT '主键', `shop_name` varchar(50) NOT NULL DEFAULT '' COMMENT '店铺名称', ...
  • 有时候在使用的过程中@Async注解会失效(原因和@Transactional注解有时候会失效的原因一样)。 下面定义一个Service: 两个异步执行的方法test03()和test02()用来模拟项目中可能出现的耗时的操作,然后test()方法...
  • RadioButton单选失效分析

    千次阅读 2016-09-27 16:19:12
    RadioGroup包裹RadioButton可实现单选效果,不过必须设置id属性,否则单选失效
  • cache.cleanUp(); //cache.invalidate("1");
  • 失效分析案例之设计问题:射频器件没用输出管脚的匹配要求
  • 关于ViewPager与TabLayout组合使用时tab.setIcon()失效分析 谷歌Material Design,提供了一系列常用标准控件,让我们可以在上面自由拓展,降低了我们的使用难度,也将一些开源项目推向末日。今天我们不讨论...
  • 一 问题背景 前段时间在项目中使用到spring事务注解功能...二 分析与解决 本次测试工程采用springBoot+mybits+mysql进行验证,在controller中注入service调用service的实现类进行事务操作,项目结构如下图所示 ...
  • Android Weight失效分析

    千次阅读 2014-06-13 17:08:38
    关于android:layout_weight的使用必须满足一下几点条件: 1.必须为linearLayout 2.width
  • @Async注解 分析 @Target({ElementType.METHOD, ElementType.TYPE}) @Retention(RetentionPolicy.RUNTIME) @Documented public @interface Async { String value() default ""; } 通过查看@Async源码可以看出来,@...
  • 电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效...
  • spring this调用方法 事务失效分析

    千次阅读 2018-08-14 21:56:13
    但是对于该博客的分析中,我还是有点疑问 : 博文中说 当调用本类方法时,此时的 this 是指向被代理的对象的 测试确实如此,那为什么不是 指向 spring 生成的代理类呢? 希望知道的朋友能知导一二,谢谢...
  • Oracle 存储过程 procedure 失效 分析

    千次阅读 2013-10-12 19:39:58
    数据迁移完毕,对比数据库对象有效性的时候,发现有个存储过程是失效的,重新编译仍然失效   存储过程如下:   CREATEORREPLACEPROCEDUREPERM.P_YG_SWJG_DMas   BEGIN    FORLS_KJYWRXXIN (SELECTt...
  • #!/bin/sh #Configurations injected by install_server below.... EXEC=/usr/local/zookeeper/bin/zkServer.sh ZOO_LOG_DIR="/data/zookeeper" JAVA_HOME=/usr/lib/jvm/jdk1.8.0_65 PATH=${JAVA_HOME}/bin:$PATH ...
  • Oracle物化视图失效分析

    千次阅读 2012-02-08 08:39:05
    之前在一个项目中,解决大数据量查询的效率问题的时候,应用到了物化视图。 物化视图在数据查询上,无法实现实时查询,...最近在项目维护过程中,发现物化视图总是失效。一般通过PLSQL进去查看的时候,部分物化视
  • 对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间,有时甚至炸机。 所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件...
  • mybatis注解方式懒加载失效分析

    千次阅读 2015-07-12 02:14:02
    这样的话,就会导致这两个方法会在debug线程内触发懒加载,造成的效果就是懒加载失效,但是实际上懒加载是生效了的,只是在debug模式上被触发了,而且用断点还捕捉不到,就会形成一个奇怪的问题,如果想用debug来...

空空如也

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失效分析