自举电容的核心原理是：电容两端电压不能突变。
为什么需要自举电容？
DCDC电路中有两个mos开关管，如下图所示。对于低端的管子Q2，由于其源极接地，所以想要Q2导通，只要在Q2的栅极加一定的电压即可；但是，对于高端的管子Q1，由于其源极的电压Us是浮动的，则不好在其栅极上施加电压以使Q1的Ugs满足导通条件。试想，理想下，Q2的导通电阻为0，即导通时，Q2的Uds为0，则Us=Ud，要想Q2导通则要求Q2的栅极电压Ug大于Ud。在一个电路中实现升压功能让Q1的Vg>Vd就用到了本篇的主角儿———自举电容。
工作原理
当下管Q2导通时，Vcc - D1 - Cboot - Q1 - GND 形成通路，Vcc对Cboot充电，充满后Cboot 电压近似为Vcc。当下管切到上管导通时，Q1导通，此时Q1的Vds近似为0，Cboot下端电压突变到Vin，由于电容电压不能突变，所有Cboot上端电压为Vin + Vcc。所有此时Q1的Vgs还是Vcc，继续保持导通。



芯片内部示意图：



简化示意图：


自举电容容值选择
通常取值10nF~1uF不等。
过大，在下管导通 时间内电源对自举电容充电不能充满 ，造成Cboot上电压偏低。

过小，Cboot储存的电荷量不足以满足以下电荷的需求：

a） MGT栅极电荷要求。
b） Iqbs ：高端驱动电路静态电流。
c） 驱动IC 中电平转换电路的电流。
d） MGT栅极源漏电流。
e） 自举电容漏电流。
自举二极管的选择
在高端器件开通时，自举二极管必须能够阻止高压（上管导通时二级管反向电压等于 Vin，所有反向耐压一定要 高于Vin），并且应是快恢复二极管，以减小从自举电容向电源Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷时，高温反向漏电流指标也很重要。
为什么有的buck没有自举电容？
这个问题跟Buck芯片内部的使用的管子有关系，如果内部2个开关管都是NMOS管，那么是需要自举电容的。但是有的BUCK芯片上管是PMOS管，不需要产生比Vin还高的电压，也就不需要boot电容。如下图所示：

            
                            

                                            
什么是自举电容？
DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT，有的叫BST，如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫作自举电容。

自举电容的作用原理？ 
如下是DCDC BUCK芯片的框图，上面的NMOS称为high-side MOSFET，下面的NMOS称为low-side MOSFET。当高边MOS管打开时，SW为VIN，SW对电感进行充电储能，电感电流呈上升趋势；当低边MOS管打开时，SW为GND，此时电感通过续流二极管对负载进行供电，理论上高低MOS管不能同时打开，所以上下管打开的周期就形成了占空比，根据负载的轻重，来调节占空比，来满足不同负载需求。
以上就是DC-DC BUCK的大致原理。如下图中的C就是自举电容，当低边MOS管打开时，SW为0，BOOT上的电压由BOOT Charge提供，假如是5V，就对电容进行充电；当关闭低边MOS管，选择打开高边MOS管，因为高边Vgs>Vgs(th)，所以高边MOS管能打开，随着高边MOS管打开，SW上的电压就会变成VIN，如果不加这个C，那当Vgs<Vgs(th)时，就会出现高边MOS管无法打开；加上C之后，利用电容电压不能突变的特性，当SW变成VIN，那BOOT上的电压就会变为VIN+5V，此时Vgs会大于Vgs(th)，高边MOS管就打开了。

自举电容的额定电压如何选？
一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值，如下图是6.5V，所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。

                                    

                                

自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 

举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。 

自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。 

常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则》） 

开关直流升压电路 

开关直流升压电路 

开关直流升压电路(即所谓的boost或者step-up电路)原理 

the boost converter,或者叫step-up converter，是一种开关直流升压电路，它可以是输出电压比输入电压高。基本电路图见图1. 

假定那个开关(三极管或者mos管)已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。 


图1 

自举电路的要求：二极管需要使用肖特基二极管； 

自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容,用于抬高供电电压. 

推荐：http://power.21ic.com/poc/technical/201603/46134.html 
http://blog.sina.com.cn/s/blog_5701b67c01013h7y.html

什么是自举电容？

DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT，有的叫BST，如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫作自举电容。



自举电容的作用原理？ 

如下是DCDC BUCK芯片的框图，上面的NMOS称为high-side MOSFET，下面的NMOS称为low-side MOSFET。当高边MOS管打开时，SW为VIN，SW对电感进行充电储能，电感电流呈上升趋势；当低边MOS管打开时，SW为GND，此时电感通过续流二极管对负载进行供电，理论上高低MOS管不能同时打开，所以上下管打开的周期就形成了占空比，根据负载的轻重，来调节占空比，来满足不同负载需求。

以上就是DC-DC BUCK的大致原理。如下图中的C就是自举电容，当低边MOS管打开时，SW为0，BOOT上的电压由BOOT Charge提供，假如是5V，就对电容进行充电；当关闭低边MOS管，选择打开高边MOS管，因为高边Vgs>Vgs(th)，所以高边MOS管能打开，随着高边MOS管打开，SW上的电压就会变成VIN，如果不加这个C，那当Vgs<Vgs(th)时，就会出现高边MOS管无法打开；加上C之后，利用电容电压不能突变的特性，当SW变成VIN，那BOOT上的电压就会变为VIN+5V，此时Vgs会大于Vgs(th)，高边MOS管就打开了。



自举电容的额定电压如何选？

一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值，如下图是6.5V，所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。