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  • 自举电容

    2020-11-23 22:07:00
    自举电容的核心原理是:电容两端电压不能突变。 为什么需要自举电容? DCDC电路中有两个mos开关管,如下图所示。对于低端的管子Q2,由于其源极接地,所以想要Q2导通,只要在Q2的栅极加一定的电压即可;但是,对于...

    自举电容的核心原理是:电容两端电压不能突变

    为什么需要自举电容?

    DCDC电路中有两个mos开关管,如下图所示。对于低端的管子Q2,由于其源极接地,所以想要Q2导通,只要在Q2的栅极加一定的电压即可;但是,对于高端的管子Q1,由于其源极的电压Us是浮动的,则不好在其栅极上施加电压以使Q1的Ugs满足导通条件。试想,理想下,Q2的导通电阻为0,即导通时,Q2的Uds为0,则Us=Ud,要想Q2导通则要求Q2的栅极电压Ug大于Ud。在一个电路中实现升压功能让Q1的Vg>Vd就用到了本篇的主角儿———自举电容。

    工作原理

    当下管Q2导通时,Vcc - D1 - Cboot - Q1 - GND 形成通路,Vcc对Cboot充电,充满后Cboot 电压近似为Vcc。当下管切到上管导通时,Q1导通,此时Q1的Vds近似为0,Cboot下端电压突变到Vin,由于电容电压不能突变,所有Cboot上端电压为Vin + Vcc。所有此时Q1的Vgs还是Vcc,继续保持导通。
    在这里插入图片描述
    芯片内部示意图:
    在这里插入图片描述
    简化示意图:
    在这里插入图片描述

    自举电容容值选择

    通常取值10nF~1uF不等。

    过大,在下管导通 时间内电源对自举电容充电不能充满 ,造成Cboot上电压偏低。
    过小,Cboot储存的电荷量不足以满足以下电荷的需求:
    a) MGT栅极电荷要求。

    b) Iqbs :高端驱动电路静态电流。

    c) 驱动IC 中电平转换电路的电流。

    d) MGT栅极源漏电流。

    e) 自举电容漏电流。

    自举二极管的选择

    在高端器件开通时,自举二极管必须能够阻止高压(上管导通时二级管反向电压等于 Vin,所有反向耐压一定要 高于Vin),并且应是快恢复二极管,以减小从自举电容向电源Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷时,高温反向漏电流指标也很重要。

    为什么有的buck没有自举电容?

    这个问题跟Buck芯片内部的使用的管子有关系,如果内部2个开关管都是NMOS管,那么是需要自举电容的。但是有的BUCK芯片上管是PMOS管,不需要产生比Vin还高的电压,也就不需要boot电容。如下图所示:
    在这里插入图片描述

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  • 自举电容的选择.pdf

    2021-01-19 08:14:52
    主要有关于MOS驱动电路中的自举电容的选取
  • OTL功放电路中的自举电容
  • 自举电容选择

    2012-08-31 10:43:11
    自举电容的计算及选择。 很实用的文档,硬件设计者必看的资料,不下载会后悔哦~
  • 浅析自举电容C的作用

    2012-04-23 14:07:40
    浅析自举电容C的作用,( 浅析自举电容C的作用
  • DC/DC电路自举电容作用

    千次阅读 2020-09-06 21:59:23
    什么是自举电容? DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT,有的叫BST,如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释,在外部电路设计时,BOOT和SW管脚之间,需要加一个电容,一般是0.1uF,连接到DCDC高端MOS管的驱动端,这个电容就...

    什么是自举电容?

    DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT,有的叫BST,如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释,在外部电路设计时,BOOT和SW管脚之间,需要加一个电容,一般是0.1uF,连接到DCDC高端MOS管的驱动端,这个电容就叫作自举电容。

    自举电容的作用原理? 

    如下是DCDC BUCK芯片的框图,上面的NMOS称为high-side MOSFET,下面的NMOS称为low-side MOSFET。当高边MOS管打开时,SW为VIN,SW对电感进行充电储能,电感电流呈上升趋势;当低边MOS管打开时,SW为GND,此时电感通过续流二极管对负载进行供电,理论上高低MOS管不能同时打开,所以上下管打开的周期就形成了占空比,根据负载的轻重,来调节占空比,来满足不同负载需求。

    以上就是DC-DC BUCK的大致原理。如下图中的C就是自举电容,当低边MOS管打开时,SW为0,BOOT上的电压由BOOT Charge提供,假如是5V,就对电容进行充电;当关闭低边MOS管,选择打开高边MOS管,因为高边Vgs>Vgs(th),所以高边MOS管能打开,随着高边MOS管打开,SW上的电压就会变成VIN,如果不加这个C,那当Vgs<Vgs(th)时,就会出现高边MOS管无法打开;加上C之后,利用电容电压不能突变的特性,当SW变成VIN,那BOOT上的电压就会变为VIN+5V,此时Vgs会大于Vgs(th),高边MOS管就打开了。

    自举电容的额定电压如何选?

    一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值,如下图是6.5V,所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。

    展开全文
  • 自举电路、自举电容

    万次阅读 2017-07-25 19:20:08
    自举电路也叫升压电路,是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个...

    自举电路也叫升压电路,是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
    举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压,这个电压怎么弄出来?就是用自举。通常用一个电容和一个二极管,电容存储电荷,二极管防止电流倒灌,频率较高的时候,自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压,起到升压的作用。
    自举电路只是在实践中定的名称,在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半,但在实际的测试中,输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。
    常用自举电路(摘自fairchild,使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则》)
    开关直流升压电路
    开关直流升压电路
    开关直流升压电路(即所谓的boost或者step-up电路)原理
    the boost converter,或者叫step-up converter,是一种开关直流升压电路,它可以是输出电压比输入电压高。基本电路图见图1.
    假定那个开关(三极管或者mos管)已经断开了很长时间,所有的元件都处于理想状态,电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。
    这里写图片描述
    图1
    自举电路的要求:二极管需要使用肖特基二极管;
    自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性,当电容两端保持有一定电压时,提高电容负端电压,正端电压仍保持于负端的原始压差,等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容,用于抬高供电电压.
    推荐:http://power.21ic.com/poc/technical/201603/46134.html
    http://blog.sina.com.cn/s/blog_5701b67c01013h7y.html

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  • DC-DC BUCK中的自举电容是什么?

    千次阅读 多人点赞 2019-12-27 20:16:17
    本博客简述DC-DC BUCK中自举电容是什么?

    什么是自举电容?

    DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT,有的叫BST,如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释,在外部电路设计时,BOOT和SW管脚之间,需要加一个电容,一般是0.1uF,连接到DCDC高端MOS管的驱动端,这个电容就叫作自举电容。

    自举电容的作用原理? 

    如下是DCDC BUCK芯片的框图,上面的NMOS称为high-side MOSFET,下面的NMOS称为low-side MOSFET。当高边MOS管打开时,SW为VIN,SW对电感进行充电储能,电感电流呈上升趋势;当低边MOS管打开时,SW为GND,此时电感通过续流二极管对负载进行供电,理论上高低MOS管不能同时打开,所以上下管打开的周期就形成了占空比,根据负载的轻重,来调节占空比,来满足不同负载需求。

    以上就是DC-DC BUCK的大致原理。如下图中的C就是自举电容,当低边MOS管打开时,SW为0,BOOT上的电压由BOOT Charge提供,假如是5V,就对电容进行充电;当关闭低边MOS管,选择打开高边MOS管,因为高边Vgs>Vgs(th),所以高边MOS管能打开,随着高边MOS管打开,SW上的电压就会变成VIN,如果不加这个C,那当Vgs<Vgs(th)时,就会出现高边MOS管无法打开;加上C之后,利用电容电压不能突变的特性,当SW变成VIN,那BOOT上的电压就会变为VIN+5V,此时Vgs会大于Vgs(th),高边MOS管就打开了。

    自举电容的额定电压如何选?

    一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值,如下图是6.5V,所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。

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  • BUCK电源芯片中自举电容的说明

    千次阅读 2020-03-25 17:25:47
    自举电容的说明 在BUCK电路中,经常会看到一个电容连接在芯片的SW和BOOST管脚之间,这个电容称之为自举电容,关于这个电容,在下面对该电容进行说明。 图1 LT3840应用电路图 1 MOS工作原理 首先认识MOS的符号,确定...
  • 图1是一个典型的OTL电路,电路中的C1称为自举电容。它在电路中作用如何?为分析方便将图1简画成图2。  图2的电路中是没有C1的情况,在功放中各级的放大管总是考虑充分利用的,即在输入信号U1的作用下,放大管工作...
  • DC-DC自举电容(BOOT)几个问题

    千次阅读 2019-11-09 11:39:54
    在BUCK电路中,经常会看到一个电容连接在芯片的SW和boot管脚之间,这个电容称之为自举电容,关于这个电容,有以下几个问题。 自举电容有什么用? 以MPS的buck芯片MP1484为例。规格书中芯片的BS管脚说明如下: ...
  • 电源完整性设计中,DC/DC自举电容的工作原理
  • 本文开头先申明如下几点: 1. 此文仅为本人学习总结,仅供大家... 自举电容,英文名称为“Boot-strap capacitor”,其中bootstrap的英文解释是“a piece of leather or other strong material at the back of a boo..
  • DCDC电路中,偶尔存在有自举电容的情况,手册对该电容的定义如下,假如该点的电压低于MOSFET的最小开启电压,MOSFET将保持关断状态。 看芯片手册的内部结构,此芯片的MOSFET为N沟道的MOSFET,N沟道的MOSFET...
  • 由U=Uc及栅极输入阻抗R===1MΩ可求出t(即ton(max)),由===1,可求出 ton(max)=106×0.22×10-6ln1.236=46.6ms4.3悬浮驱动的最窄导通时间ton(min) 在自举电容的充电路径上,分布电感影响了充电的速率。下管的最窄导...
  • 自举电容的作用

    千次阅读 2010-04-26 15:04:00
    图1是一个典型的OTL电路,电路中的C1称为自举电容。它在电路中作用如何?为分析方便将图1简画成图2。 图2的电路中是没有C1的情况,在功放中各级的放大管总是考虑充分利用的,即在输入信号U1的作用下,放大管工作在...
  • IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板设计...(2)半桥驱动IR2104S自己可以通过自举升压来获得足够的栅压,但是觉得自举电容参数不好精准的确定,而且敏感,故另外外加升压电路,升压电路也为MC34063的经典电路,成熟稳定...
  • ir2110使用方法以及自举电容的选择

    热门讨论 2011-09-05 12:46:50
    在使用ir2110驱动的时候的找到的一份很好的资料,里面有ir2110使用参数,以及要注意的一些事项
  • 秒懂电容自举电路

    2020-10-07 16:57:03
    自举电容的核心原理是:电容两端电压不能突变。 从这句话中,我们可以获取到两个关键字:两端电压、不能突变。 两端电压指的是电容一边相对另一边的电压,我们知道电压本身就是个参考值(一般认定参考GND,认定GND...
  • 自举电容的核心原理是:电容两端电压不能突变。从这句话中,我们可以获取到两个关键字:两端电压、不能突变。两端电压指的是电容一边相对另一边的电压,我们知道电压本身就是个参考值(一般认定参考GND,认定GND点平...
  • 自举电路设计指南

    2018-12-05 11:17:56
    充电 不完全 不完全 将 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 模块工作 模块...
  • 世上最全的自举电路详解 1.自举电路原理 2.自举电路应用领域 3.自举电容、自举电阻、自举二极管计算
  • 介绍了IPM自举电路的基本拓扑结构和原理,并在理论分析的基础上,研究和探讨了自举电阻、自举二极管和自举电容的选型方法,重点对自举电容初始充电展开研究,提出了一种简单实用的初始充电方法,在实际项目应用中...
  • 在电路设计过程中,常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标,比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等,在这里,我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路...
  • 本文介绍了IPM自举电路的基本拓扑结构和原理,并重点研究了自举电容初始充电问题,通过在控制程序中执行简单的初始充电语句,很好地解决了上述关键问题,并在项目中取得良好的充电效果。
  • IR2104全桥驱动的自举问题

    万次阅读 2018-01-04 22:35:15
    IR2104全桥驱动电路,都用了差不多两年了。但是,每次用的时候都会出现...因为,在MOS管关断的时候,MOS管的寄生电容会放电,而放电回路就是通过自举电容。如果自举电容过小,会影响电路的自举。 2、 自举二极管,自
  • 在电路设计过程中,常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标,比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等,在这里,我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路...
  • 在电路设计过程中,常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标,比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等,在这里,我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路...

空空如也

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