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采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 展开全文
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
信息
外文名
PN junction
中文名
PN结
PN结原理
N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。 [1]  P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。 [2]  PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。 [3]  在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子,空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。在空间电荷区形成后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。 [4] 
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问答
  • PN结

    2020-08-27 23:08:29
    采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结
  • 二极管是由PN结组成的,即P型半导体和N型半导体,因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如下图所示: 在P型和N型半导体的交界面附近,由于N区的自由电子浓度大,于是带负电荷的自由电子会由N区向电子...
  • pn结二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的pn结二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百...
  • PN结学习思维导图) 在看接下来的内容之前,我们先看看本文的思维导图。首先对PN结的定义及原理进行分析。了解原理之后,来分析学习它的特征,有了原理特征当然是要应用了。 PN结的定义是什么? 对于PN结的定义...

    (PN结学习思维导图)

          在看接下来的内容之前,我们先看看本文的思维导图。首先对PN结的定义及原理进行分析。了解原理之后,来分析学习它的特征,有了原理特征当然是要应用了。

    • PN结的定义是什么?

    对于PN结的定义,首先我们看下来自于百度百科的内容:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。

    是不是有点晦涩?学习就是要逐渐理解那些晦涩的定义,好了进入主题。我们首先拿出来一块硅(锗)片(本征半导体),灵光一闪我们就在这个硅片上确定一块区域,细致的我们打算用刀片去除这区域表面的二氧化硅层,因为他会阻挡我们掺入杂质(P型和N型杂质即杂质半导体),想了想刀片太粗鲁了,于是我们使用腐蚀(fǔ shí)剂。去除表面的二氧化硅之后在1000摄氏度的高温下,将其放在P(N)型杂质气体中,气体中的杂质就会向硅片上扩散形成了P型半导体,使用同样的方法掺杂另外一种杂质。在掺杂完成之后,在P型半导体和N型半导体之间,成的一块区域就是我们所说的PN结。

    (图片来源于网络)

    • PN结的原理是什么?
    1. 掺杂半导体是什么?

    P型半导体

    在硅晶体中掺杂少量硼元素(或铟元素)(即我们之前提到的在PN结只制作过程中所掺杂的杂质气体),称为P型半导体,

    N型半导体

    在硅晶体中掺杂少量磷元素(或锑元素)(即我们之前提到的在PN结只制作过程中所掺杂的杂质气体),称为P型半导体,

    1. PN结是怎样形成的?

    什么是空穴?什么是多子什么是少子?什么是施主原子?什么是受主原子?

    在P型半导体中,硼原子的最外面有三个电子,而硅原子外部有4个电子,当硼掺杂入硅中以后就会形成三个共价键,但是硼有4个电子却少了一个电子来形成共价键。比如有两个班级一个是彭老师的班级,另一个是硅老师的班级,我们简称硼班和硅班,现在硼班3个同学没有座位,硅班可以给硼班4个座位,但是分配完多出了一个位置,这个空出来的座位就被称为空穴。这时候多出来的这个座位(空穴)就被称为多子,多出座位缺少了学生(电子),所以这个学生就被称为少子。这里的硅班是把自己座位给了硼班,所以硅被称为施主原子,硼被称为受主原子。

    在N型半导体中,磷原子最外面有5个电子,而硅原子外部有4个电子,当磷掺杂入硅中以后就会形成4个共价键,但是磷原子多出了一个电子。好比现在我们让磷班和硅班合并,硅班还是需要四个学生来组合同桌,但是磷班给了5个同学,组合完同桌之后,发现多出来一个同学在那站着也没有座位。这时候多出来的这个同学(自由电子)就被称为多子,缺少的座位(空穴)被称为少子。这里的磷班是把自己的学生给了硅班,所以硼老师也被称为施主原子(硼原子),硅班被称为受主原子(硅原子)

              下面我们就可以说PN结是怎样形成的了,N区和P区挨的很近。N区域自由电子多空穴少,P区域空穴多自由电子少。这时候交界处N区的自由电子就会像P区扩散,而P区的空穴会向N区扩散,在交界处就形成了空间电荷区。这时候N区少了自由电子,本来平衡的电中性就会被打破,而带正电,而P区域少了空穴因此带负电,这时就会产生一个内电场,即从N到P的正向电压,我们知道之前电子是从N像P扩散的,但是现在正向电压也是从N向P,所以势必会阻止自由电子向P扩散(规定自由电子的流动方向与电压方向相反)。阻止的过程N的空穴流向P,P的自由电子流向N,这样内电场减小,之前的扩散运动又加强了,反反复复最终达到平衡。

     
     

    (图片来源于网络)

    • PN结的特征是什么?
    1. 概述

    PN结稳定之后,要想实现电流的流动必须外部施加电压,打破内部的平衡,从而达到目的。

    1. PN结的反向击穿性是什么?

    在N端接正向电压,P端接负极,这样电压从N到P与内电场的方向一致,内电场增强,自由电子不断向N区域流动,空间电荷区不断变宽,如果不做限流处理最终将导致无法承受大量的自由电子涌入最终PN结烧毁。

    1. PN结的单向导电性是什么?

    当P接正N接负时,内电场减小,空间电荷区由于自由电子不断从N向P扩散,空穴从P向N扩散变窄,最终自由电子进入P区不断流出,空穴进入N区不断流出,即导通。反之,如果N正P负,空间电荷区越来越大,越大N的自由电子和P的空穴越相互扩散,而由于外部施加了电压内电场也在增大,两个方向的电流相互对抗,不分彼此时不能导通,一旦外部电流过大就反向击穿了PN结。

    1. PN结的伏安特性是什么?

    伏安特性的表达式为:

     
     

     

    id——通过pn结的电流

    vd——pn结两端的外加电压

    vt——温度的电压当量,vt=kt/q=t/11600 = 0.026v,其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23j/k),t为热力学温度,即绝对温度(300k),q为电荷(1.6×10–19c)。在常温下,vt≈26mv。

    e——自然对数的底

    is——反向饱和电流,对于分立器件,其典型值为10-8~10-14a的范围内。中pn结,其is值则更小.

    当vd>;>;0,且vd>vt时,;

    当vd<0,且时,id≈–is≈0。

    由此可看出pn结的单向导电性

    1. PN结的电容特性是什么?

    两个相互靠近的导体,中间夹一层不导电的绝缘介质,这就构成了电容器。当加反电压时P区、空间电荷区、N区就形成了一个电容器。施加电压的大小会影响空间电荷区的宽窄,因此电压的大小会影响电容的大小。

    • PN结有什么应用?

    利用单向导电性,我们可以作为防止电流反向流动使用,因为反向电压击穿后电压不变所以做稳压二极管使用,根据电容特性可以做变容二极管使用。

    展开全文
  • PN结的单向导电性  PN结在外加电压的作用下,动态平衡将被打破,并显示出其单向导电的特性。  1、外加正向电压  当PN结外加正向电压时,外电场与内电场的方向相反,内电场变弱,结果使空间电荷区(PN结)变窄...
  • PN结及其形成过程  在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。  1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动  在P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界处就出现了电子和空穴...
  • 半导体pn结

    2016-07-06 21:31:41
    半导体pn结
  • 二极管的PN结介绍

    2021-01-20 01:08:41
    二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结PN结具有单向导电性。  PN结形成  当把P型半导体和N型半导体制作...
  • pn结 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中...
  • pn结的形成原理

    2020-07-14 12:44:33
    这样一来,P型区剩下不能自由移动的负离子,而N型区剩下不能自由移动的正离子,一正一负,在PN结内部形成了一个从左往右的内电场,基本上这个内电场就体现PN结的工作特性。另外有一点要说明的是,PN结只是局部带电,...
  • PN 正向压降与温度关系的研究实验报告班级:材物41 姓名:禇雨婷 学号:2140906001一、 实验目的(1)了解PN 正向压降随温度变化的基本关系,测定PN F F V I -特性曲线及玻尔兹曼常数;(2)测绘PN 正向压降随...

    PN 结正向压降与温度关系的研究实验报告

    班级:材物41 姓名:禇雨婷 学号:2140906001

    一、 实验目的

    (1)了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系,测定PN 结F F V I -特性曲线及玻尔兹曼常数;

    (2)测绘PN 结正向压降随温度变化的关系曲线,确定其灵敏度及PN 结材料的禁带宽度;

    (3)学会用PN 结测量温度的一般方法。

    二、实验仪器

    SQ-J 型PN 结特性测试仪,三极管(3DG6),测温元件,样品支架等。

    三 、实验原理

    1.PN 结F F V I -特性及玻尔兹曼常数k 的测量:

    由半导体物理学中有关PN 结的研究可以得出PN 结的正向电流F I 与正向电压F V 满足以下关系

    F I =s I (exp kT

    eV F -1) ⑴ 式中e 为电子电荷量、k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度,s I 为反向饱和电流,它是一个与PN 结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数,是不随电压变化的常数。由于在常温(300K )下,kT/q=0.026,而PN 结的正向压降一般为零点几伏,所以exp kT

    eV F 》,1上式括号内的第二项可以忽略不计,于是有 kT eV Is I F

    F exp = ⑵

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  • 半导体PN结

    2021-03-05 14:04:26
    半导体PN结 一、PN结的形成 1. PN结的组成 由一块P型半导体和一块N型半导体合在一起的中间部位称为PN结 2. 扩散运动与漂移运动 扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,在PN结中表现为多子向对方...

    半导体PN结


    一、PN结的形成

    1. PN结的组成

    由一块P型半导体和一块N型半导体合在一起的中间部位称为PN结

    2. 扩散运动与漂移运动

    • 扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,在PN结中表现为多子向对方扩散
    • 漂移运动:载流子(自由电子和空穴)在电场力的作用下定向移动的过程

    3. PN结的作用机理

    1. 多子的扩散运动会使得部分多子在进入对面区域后发生复合,产生一个空间电荷区。
    2. 在这个空间电荷区中,P区充满不可移动的负离子,N区充满不可移动的正离子,因此会产生一个内电场,方向从N极指向P极。
    3. PN结中,由于浓度差的存在,会产生多子的扩散运动,即P区的空穴会向N区扩散,N区的自由电子会向P区扩散。
    4. 结合一二两点可知,内电场的存在会抑制扩散运动,即阻碍多子向对面移动;同时促进少子向对面移动,即产生漂移运动。最终扩散运动和漂移运动会达到一个动态平衡。

    半导体内电场的区域,既叫PN结,也叫耗尽层

    4. PN结的接触电位差

    • 内电场的建立,使得PN结中产生了电位差,从而形成了接触电位差

    • 接触电位U取决于材料以及掺杂浓度,比如:硅的接触电位约为0.7V,锗的接触电位约为0.3V。


    二、PN结的伏安特性

    1. PN结加正向电压

    (1)PN结正偏:指外加电源后,P区的电位高于N区,此时也叫加正向电压,即外电场由P区指向N区

    (2)加入正向电压后:外电场方向与内电场方向相反,因此内电场受到削弱,于是内电场对扩散运动的阻碍减弱,扩散电流增大;同时对漂移运动的促进也减弱,但是因为漂移电流一般极小,所以它的变化对总的电流几乎无影响。

    (3)此时总的电流是较大的,即:PN结加正向电压时是呈现低阻性的。

    2. PN结加反向电压

    (1)PN结反偏:指外加电源后,N区的电位高于P区,此时也叫加反向电压,即外电场方向由N区指向P区。

    (2)加入反向电压后:外电场方向与内电场方向相同,内电场受到加强,于是内电场对扩散运动的阻碍加强,扩散电流大幅减小;同时对漂移运动的促进也加强,然而漂移电流相比于扩散电流太小,就算增加也无济于事,所以总电流是很小的。

    (3)此时,总电流很小,即:PN结加反向电压时是呈现高阻性的。

    结论:PN结具有单向导电性

    3. PN结电流方程

    先确定一个外加电压的参考方向

    然后给出一个结电流方程(不需要细究推导来源):

    !结电流方程的工程近似:

    下图中的UBR是指反向击穿电压

    4. PN结的反向击穿特性

    • 反向击穿现象:PN结上加的反向电压增大到某一数值的时候,反向电流激增的现象。
    • 击穿类别:可逆击穿和不可逆击穿
    • 击穿应用:因为它具有在电流大范围变动的情况下电压仍然几乎保持不变的特性,因此可以用作稳压电源


    三、PN结的电容特性

    PN结偏置电压的变化会导致PN结空间电荷区的电荷数量和两侧的载流子数量均发生变化,现象与电容相似。

    按照产生机理得到不同,可分为势垒电容和扩散电容:

    • 势垒电容
    • 扩散电容

    四、PN结的电致发光特性


    五、PN结的光电效应

    上一节:半导体基础知识及其特征
    下一节:晶体二极管

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  • 模拟电路中PN结原理

    2020-08-21 11:27:16
    采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多元件...
  • 三、PN结的形成 四、PN结的单项导电性 一、半导体、本征半导体 1、半导体:导电性介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si),锗(Ge)。 硅和锗都是四价元素,原子的最外层轨道上有四个价电子。 2、本征半导体:纯净...

    分四个部分阐述:
    一、半导体、本征半导体
    二、P型半导体、N型半导体
    三、PN结的形成
    四、PN结的单项导电性

    一、半导体、本征半导体

    1、半导体:导电性介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si),锗(Ge)。
    硅和锗都是四价元素,原子的最外层轨道上有四个价电子。
    2、本征半导体:纯净的半导体晶体。原子与原子之间通过共价键紧密结合在一起。
    在这里插入图片描述
    3、自由电子和空穴:室温下,由于热运动,少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键上留下一个空位,这个空位成为“空穴”。失去价电子的原子成为正离子,就好像空穴带正电一样。所以我们通常认为,空穴是带正电荷的载流子。
    在这里插入图片描述
    本征半导体中有两种载流子:带正电荷的空穴和带负电荷的自由电子。
    热运动(热激发)产生的自由电子和空穴是成对出现的,所以自由电子和空穴也可能成对组合而消失,成为“复合”。在一定温度下,自由电子和空穴维持一定浓度。

    二、N型半导体、P型半导体

    1、N型半导体
    在硅晶体中掺入五价元素磷,磷原子的五个价电子有四个与硅原子的价电子结合形成共价键,多出的一个电子不受共价键的束缚,很容易受温度的影响成为自由电子。磷原子失去一个电子成为正离子(在晶体中不能移动),每个磷原子提供一个自由电子,自由电子数量大大增加,远远超过空穴数。这种导体主要通过自由电子导电,成为N型半导体。
    在这里插入图片描述

    N型半导体特点:
    自由电子为多数载流子(简称多子)
    空穴为少数载流子(简称少子)
    在这里插入图片描述

    2、P型半导体
    在硅晶体中掺入三价元素硼,硼原子的三个价电子与硅的四个价电子结合形成共价键,由于缺少一个价电子而产生一个空位。这个空位很容易被邻近共价键中的价电子填补。硼原子得到一个电子形成负离子(在晶体中不能移动),失去价电子的共价键形成一个空穴,一个硼原子产生一个空穴,空穴数目大大增大,远远超过自由电子数。这种半导体主要依靠空穴导电,成为P型半导体。
    在这里插入图片描述
    N型半导体特点:
    空穴为多数载流子(简称多子)
    自由电子为少数载流子(简称少子)
    在这里插入图片描述

    三、PN结的形成

    预备知识:
    半导体中,载流子受外部电场力而产生的定向运动,叫做漂移运动;如果浓度分布不均,因为浓度差,载流子将会从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种定向运动叫做扩散运动。
    将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层——PN结
    1、多子扩散运动形成空间电荷区
    由于浓度差,自由电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方做扩散运动。扩散的结果,交界面p区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧应为失去自由电子而留下不能移动的正离子。这样在交界面处出现由数量相等的正负离子组成的空间电荷区,并产生由N区指向P区的内电场
    EIN
    在这里插入图片描述
    P.S. 在空间电荷区,多数载流子已经扩散到对方并被复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此空间电荷区又称为“耗尽层”。
    2、内电场EIN阻止多子扩散,促使少子漂移
    在这里插入图片描述
    扩散与漂移动态平衡形成一定宽度的PN结。
    在这里插入图片描述
    P.S.为什么内电场EIN阻止多子扩散,促使少子漂移?
    以N区为例,N区中的自由电子的浓度较空间电荷区的浓度更高,所以自由电子会向空间电荷定向运动——扩散运动。又因为N区的多子是自由电子,内电场由N区指向P去,所以对自由电子的电场力由P区指向N区(正电荷(空穴)受电场力的方向与电场的方向相同,负电荷(自由电子)受电场力的方向与电场方向相反)。所以N区多子(自由电子)所受的力始终与扩散方向相反,所以内电场会阻止自由电子的扩散运动。
    N区中的少子是空穴,空穴带正电荷,所以所受电场力的方向为N区指向P区,所以会促使N区的少子的漂移运动。

    小结:PN结中同时存在多子的 扩散运动和少子的漂移运动,达到动态平衡时,扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流互相抵消,PN结中的电流为0.

    PN结的单向导电性

    1、外加正向电压(也叫正向偏置)
    在这里插入图片描述
    外电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动大大超过漂移运动,N区电子不断扩散到p区,P区空穴不断扩散到N区,形成较大的正向电流,这是称PN结处于“导通”状态。
    2、外加反向电压(也叫反向偏置)
    在这里插入图片描述
    外加电场与内电场相同,增强了内电场,多子扩散难以进行,少子在电场作用下形成反向电流IR很小,这时称PN结处于“截止”状态。
    在这里插入图片描述
    Uon 约为 0.5V(硅)
    Uon约为 0.1V(锗)
    1)、外加正向电压较小时,不足以克服内电场对多子扩散的阻力,PN结仍然处于截止状态。
    2)、正向电压大于“开启电压Uon”后,i随着u增大迅速上升。
    3)、外加反向电压是,PN结处于截止状态,反向电流IR很小。
    4)、反向电压大于“击穿电压URB”时,反向电流IR急剧增加。

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  • PN结相关知识介绍

    2020-12-09 16:53:00
    P型和N型区域之间的交界面就被称为PN结,或简单的称为结。 图1.8A中是两片硅。左边是一块P型硅,右边则是一块N型硅。只要他们之间没有接触就没有结。每块硅里都有均匀分布的载流子。P型硅里有大量的多数载流子空穴和...
  • PN结复习

    2021-07-10 21:51:39
    PN结:一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体.自由电子和空穴复合会留下不能移动的离子电荷区,称为PN结. 本征半导体在光照和温度的作用下,它的绝缘性会下降,被束缚的价电子会获得足够...
  • 把一块半导体硅片或锗片,通过一定的工艺方法,一边做成P型半导体,另一边做成N型半导体,在两者交界处就会形成一个薄层,这个薄层就是PN结,如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能,就是有单方向导电的能力。...
  • AET PN结

    2019-04-28 15:01:00
    AET PN结 电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项...

空空如也

空空如也

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