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  • ROM 和RAM

    2020-06-06 15:13:22
    第一次接触ROM和RAM是在数字电子技术教材中,最近在兼职卖手机电脑,有顾客问到,6+128的详细。就回顾一下ROM和RAM ROM 是 read only memory的简称,表示只读存储器。掉电不失 比如硬盘 RAM是 Random Access Memory...

    第一次接触ROM和RAM是在数字电子技术教材中,最近在兼职卖手机电脑,有顾客问到,6+128的详细。就回顾一下ROM和RAM
    ROM 是 read only memory的简称,表示只读存储器。掉电不失 比如硬盘
    RAM是 Random Access Memory的简称,随机存取存储器,掉电易失 比如运行内存

    手机ROM主要指的是手机内部可存储资料、程序、文档的空间,如果有不足的,可通过SD卡,mmd卡等外置卡解决文档存量需求。

    而手机RAM主要是指手机的内存,主要针对手机软件运行所需要的缓存堆栈,一般对手机的运行速度有直接的影响。

    6+128 中 6G是运行内存,128G是机身存储

    手机的运行内存是RAM,机身存储是ROM

    通常说的刷机也就是指的是重新构建自己想要的ROM,比如一些应用程序app,游戏之类

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  • ROM RAM

    2018-10-29 22:34:05
    --------------------------------------------- -- 时间:2018-10-29 -- 创建人:Ruo_Xiao ...--------------------------------------------- ...一、ROM 1、英文:Read-Only Memory。 2、定义:一旦...
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    --    时间:2018-10-29
    --    创建人:Ruo_Xiao
    --    邮箱:xclsoftware@163.com
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    一、ROM

    1、英文:Read-Only Memory

    2、定义:一旦存储不能再改写或者删除的固态半导体存储器。例如:BIOS和光盘等。

    2、种类:

    (1)可编程程序只读存储器Programmable ROMPROM),内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次。

    (2)可抹除可编程只读存储器Erasable Programmable ROMEPROM)可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

    (3)电子式可抹除可编程只读存储器Electrically Erasable Programmable ROMEEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。

    (4)快闪存储器flash memory),属于EEPROM的改进产品,它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。FLASH现在常用于大容量存储,比如U盘。

    二、RAM

    1、英文:Random Access Memory,高速存取,读写时间相当。(对于ROM,存取慢,读比写快)

    2、种类:

    (1)态随机存储器Static RAMSRAM)。

    (2)动态随机存储器Dynamic RAMDRAM)。

     

     

    (SAW:Game Over!)

     

     

     

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  • ROM和RAM

    2017-12-16 22:40:03
    一、在解释之前先备注一些缩写的全称便于记忆:  1、EPROM:(Electrically Programmable Read-Only-Memory)电可编程序只读存储器  2、EEPROM(Electrically Erasable ... 3、SRAM(Static RAM)静态RAM

    一、在解释之前先备注一些缩写的全称便于记忆:

      1、EPROM:(Electrically Programmable Read-Only-Memory)电可编程序只读存储器

      2、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory) 电可擦可编程只读存储器

      3、SRAM(Static RAM)静态RAM

      4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM

      5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM

      6、NOR FLASH  (NOR == Not OR) 或非 FLASH

      7、NAND FLASH (NAND == Not AND) 与非 FLASH

        (小注:NAND 里面的单元是按照与非的方式连接起来的,NOR 里面的单元是按照或非的连接方式,NAND 线少所以便宜,但是性能不如NOR,所以大容量的完全是NAND的天下)

      8、SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随进存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟

      9、DOC Disk On Chip 特点:

          1) 32Pin DIP单芯片大容量FLASH存储器,容量8M~1G字节,盛博系列核心模块可直接支持

     

          2) 内置TureFFS仿真系统实现全硬盘仿真,如硬盘一样读写

     

          3) 非易失性固态盘,掉电数据不丢失,低功耗

     

          4) 支持多种操作系统(DOS、WINDOWS、QNX、VxWorks、Linux、pSOS等)

      

    二、正文

      1、ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

         ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

      2、RAM有两大类:

        一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

        另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。

          DRAM分为很多种:

            常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

            DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

      3、内存工作原理:

        内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

         具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。

      

       4、ROM也有很多种,

        PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)

        两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。

         举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
     

     5、FLASH存储器又称闪存

      它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。

      在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

      目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

      NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

      NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

      一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

      NAND Flash和NOR Flash的比较

      NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

      Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

      紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

      相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

      NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。

      NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。

      NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

      在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,

      但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

      NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

      NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。

      NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

    1、性能比较:

      flash闪存是非易失存储器,

      可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

      任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,

      所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

      NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

      由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

      执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素:

      ● NOR的读速度比NAND稍快一些。

      ● NAND的写入速度比NOR快很多。

      ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

      ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

      ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

    (注:NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。)

    2、接口差别:

      NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

      NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

      NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

    3、容量和成本:

      NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

      NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

    4、可靠性和耐用性:

      采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

      A) 寿命(耐用性)

      在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

      B) 位交换

      所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。

      一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

      当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

      这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

      C) 坏块处理

      NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

      NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

    5、易于使用:

      可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

      由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

      在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

    6、软件支持:

      当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

      在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

      使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

    NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

    NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

    在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。

    DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息,所以集成度可以很高,容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

    SRAM 利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。

    以上主要用于系统内存储器,容量大,不需要断电后仍保存数据的。

    Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息,因为浮置栅不会漏电,所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高,容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除,而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行,flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios,U盘,Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。

    PSRAM,假静态随机存储器。

    背景:

    PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同,但它具有类似SRAM的稳定接口,内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处,例如体积更为轻巧,售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中,有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年,市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

    基本原理:

    PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

    PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应,价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点,比SRAM便宜很多。

    PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

     

     

    三、补充:

      很多设备都有ROM,主板、显卡上的叫bios,光驱硬盘里的叫firmware,都是存放硬件的基本驱动程序和相关数据的。内存上也有rom,ms放内存信息的那个芯片就是,好像叫什么SPD来着。

    转载地址:https://www.cnblogs.com/yin-jingyu/archive/2012/02/16/2353616.html

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  • 单片机ROM和RAM区别

    2021-01-19 18:30:23
    可能大家都知道不管是ROM还是RAM越大越好,但对于ROM和RAM是什么意思以及两者之间的区别却不了解。 简单的说,一个完整的计算机系统是由软件和硬件组成的。其中,硬件部分由中央处理单元CPU(包括运算器和控制器)...
  • ROM和RAM测试总结

    2020-08-12 13:44:50
    在嵌入式系统工作之前,一般也要进行自检,其中ROM和RAM检测必不可少,可是有不少人对于测试目的、原因和方法存在错误理解。 为什么要测试ROM和RAM,怎么测试呢?普遍的看法是:由于担心ROM和RAM芯片损坏,在出厂和...

     在硬件系统出厂前要进行产品测试;在嵌入式系统工作之前,一般也要进行自检,其中ROM和RAM检测必不可少,可是有不少人对于测试目的、原因和方法存在错误理解。
        为什么要测试ROM和RAM,怎么测试呢?普遍的看法是:由于担心ROM和RAM芯片损坏,在出厂和使用前应该校验这两种芯片的好坏。测试RAM的方法是写读各个内存单元,检查是否能够正确写入;测试ROM的方法是累加各存储单元数值并与校验和比较。这种认识不能说错,但有些肤浅,照此编出的测试程序不完备。一般来说,ROM和RAM芯片本身不大会被损坏,用到次品的概率也比较小,真正出问题的,大都是其他硬件部分,因此,测试ROM和RAM往往是醉翁之意不在酒。
        
        ROM测试
        测试ROM的真正目的是保证程序完整性。
        嵌入式软件和启动代码存放在ROM里,不能保证长期稳定可靠,因为硬件注定是不可靠的。以flash ROM为例,它会由于以下两种主要原因导致程序挥发:
        1。受到辐射。本身工作在辐射环境里/运输过程中受到辐射(如过海关时被X光机检查)。
        2。长时间存放导致存储失效,某些0、1位自行翻转。
        无论如何,在硬件上存放的程序都是不可靠的。如果完全不能运行,那到也不会造成太大的损失。怕就怕程序可以运行,但某些关键数据/关键代码段被破坏,引发致命错误。为此,必须在程序正常工作前,在软件层面上保证所运行的程序100%没有被破坏,保证现在要运行的程序就是当初写入的。
        保证程序完整性的方法很多,例如对全部程序进行CRC校验(-16和-32)/累加和校验(移位累加),只要能在数学上确保出错概率极低,工程上就可以认为程序完整。
        程序完整性测试通过,捎带着也就证明了ROM没有被损坏。即测试ROM是否损坏只是测试的副产品,不是主要目的。
        
        RAM测试
        测试RAM的真正目的是保证硬件系统的可靠性。
        RAM真的是太不容易坏了,我至今还没有看见过一起因为RAM损坏导致的系统不正常现象。不过大部分问题却可以通过RAM测试反映出来。仔细想想,当硬件被生产出来/被插到背板上究竟会发生什么错误呢!是不是感到自己做的板子出问题的可能性更大!请考虑如下几点:
        1。生产工艺不过关,过孔打歪了,与临近信号线距离不满足线规甚至打在了线上。
        2。由于搭锡引起的信号线粘连。
        3。虚焊/漏焊引起的接触不良。
        4。不按规程操作,把手印儿印在了高频线上。
        5。板子脏了也不吹,覆盖了一层灰尘(内含金属微粒)。
        ......
        这些现象比较有趣,试举几例:
        1。地址线A0和A1粘连。读出XXX00、XXX01、XXX10三个字节的数据完全一样。
        2。数据线D0和D1粘连。D0和D1只要有一个为0,那么两条线都为0。
        3。接触不良。时好时坏。
        4。器件表面处理不干净,有助焊剂残留。低速访问正常,大负荷高速访问频繁死机。
        总之,我们做的板子在生产中和使用中都会有出错机会,所以出厂前必须测试,使用前必须自检。(当然如果你做的不是实际产品而是实验室样品的话,可以简化步骤。)
        如何测试RAM呢?写一个数然后读出来判断显然测不出所有问题,单个测试数据不易覆盖全部测试内容,更不用说定位错误原因了(RAM坏、地址/数据线粘连、接触不良)。好的测试应尽可能测出粘连、RAM坏、单板高频特性。
        我总结的方法是这样的:(如测试一个FFH字节的RAM)
        首先,测试地址线,
        1。'0'滑动,随机选择一个数如55、AA之类,依次写到FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH地址单元里去,把地址写成二进制数,可以看到比特0在地址总线上从低到高滑动,谓之'0'滑动。目的是测试这些地址线在依次变0时是否稳定正常。当每一根线由1变0,会产生下冲,如果下冲控制不好,在高频时会引起错误。单板上地址线不一定一样长,下冲也就不会完全一样,因此,每一根线都单独测一下下冲性能。
        2。'1'滑动,随机选择一个数如55、AA之类,依次写到1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H地址单元里去,把地址写成二进制数,可以看到比特1在地址总线上从低到高滑动,谓之'1'滑动。,目的是测试这些地址线在依次变1时是否稳定正常。当每一根线由0变1,会产生上冲,如果上冲控制不好,在高频时会引起错误。单板上地址线不一定一样长,上冲也就不会完全一样,因此,每一根线都单独测一下上冲性能。上冲和下冲是不同的指标,要分别测一下。
        3。"全0变全1",随机选择一个数如55、AA之类,写到FFH单元,再写到00H单元,然后写到FFH单元。把地址写成二进制数,可以看到地址线从全'0'变到全'1'。由信号处理理论知,在电压阶跃跳变时包含无限宽频谱,其中高频部分对外产生辐射,这些辐射信号是干扰源,对临近线路产生较大影响。地址线一般集束布线,同时跳变会引起最大干扰。地址线从全'0'变到全'1',干扰、上冲、扇出电流影响最大。
        4。"全1变全0",紧接上一步,随机选择一个数如55、AA之类,写到00H单元。把地址写成二进制数,可以看到地址线从全'1'变到全'0',产生最大下冲干扰。
        5。"粘连测试"。依次向不同地址单元写入不同数据并读出判断,如:1、2、3、4......此步骤捎带测试了RAM好坏。注意,千万别用相同数据测试,否则测不出粘连。
        6。可选"全0全1连续高速变化"。目的是模拟最恶劣情况(大扇出电流、强干扰、上/下冲)。
        然后,测试数据线,(原理与测试地址线相同,1、2两步顺带测试了数据线粘连)
        1。'0'滑动,向某一固定地址依次写入FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH并读出判断。
        2。'1'滑动,向某一固定地址依次写入1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H并读出判断。
        3。"全0变全1",所有单元置1(先清零再置1并读出判断)。
        4。"全1变全0",所有单元清零(清零并读出判断)。
        5。可选"全0全1连续高速变化"。向某一单元高速交替写入若干全'0'和全'1',最后以全'0'结束。
        至此,RAM测试完毕,同时全部存储单元清零。
        对于出厂检测程序,有较大发挥余地,如可以加入错误定位代码,自动指出错误原因和错误位置。
        每一块单板的高频特性都会因为生产工艺误差(制板、材料、焊接、组装等)和使用情况而各不相同。同一块板子的高频特性在不同情况下表现也不相同。
        综上所述,除了测试RAM好坏,大部分代码测的是单板硬件可靠性。
        如果不关心高频特性,用原来的测试方法就差不多了(如果测试数据没选好,可能测不出数据线粘连),但应该认识到,测试RAM的主要不是RAM本身的好坏,而是连接RAM的单板硬件和线路。
        
        以上是我实际工作经验的一些总结,写出来与大家交流,如有不对之处恳请指正!
        
    源程序(伪代码)
    //TEST ROM
    TestROM()
    {//用移位累加和校验
      sum=0;
      for(i=0;i<MAXRAMSize;i++){
        sum=sum+ram;
        sum=sum>>1;
      }
      if(sum==CHECKSUM) printf("ROM test OK!/n";
      else printf("ROM test ERROR!/n";
    }
    //TEST RAM
    TestRAM()
    {
      //地址线测试
      '0'滑动;
      '1'滑动;
      "全0变全1";
      "全1变全0";
      "粘连测试";
      可选"全0全1连续高速变化";
      
      //数据线测试
      '0'滑动;
      '1'滑动;
      "全0变全1";
      "全1变全0";
      可选"全0全1连续高速变化"
    }

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空空如也

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