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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。 展开全文
PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。
信息
外文名
pmos
工作原理
与NMOS相类似
别    名
positive MOS
中文名
MOS管
化学物品
介孔硅基有机-无机杂化材料
pmos基本信息
PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。MOSFET共有三个脚,一般为G、D、S,通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像,所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说,NMOS是在P型硅的衬底上,通过选择掺杂形成N型的掺杂区,作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L,而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构,器件源漏是完全对称的,只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响,衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。同样地,VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。当然,不论NMOS还是PMOS,当未形成反型沟道时,都处于截止区,其电压条件是:VGS|VGS|>|VTP (PMOS)|,值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路 [1]  。
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  • MOS

    2019-03-05 19:24:09
    MOS

    MOS 管

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  • MOS管

    2021-02-09 13:25:17
    MOS管 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。MOS管是电压控制型器件,四端器件分别为栅极(Gate),源极(Source...

    MOS管

    MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。MOS管是电压控制型器件,四端器件分别为栅极(Gate),源极(Source),漏极(Drain),衬底/背栅(Substrate/Back gate)
    MOS管根据其导电沟道载流子类型分为NMOS和PMOS,NMOS导电沟道为N型,电子参与导电;PMOS导电沟道为P型,空穴参与导电;

    MOS管符号

    下面是NMOS和PMOS几种常见的符号表示:
    对于四端表示,G和B很容易区分,而S和D可互换,若箭头出现在衬底上,且箭头从B指向G则为NMOS(箭头从G指向B则为PMOS);若箭头未出现在衬底上,那么有箭头的就是S,另一端便为D,当箭头从G指向S,为NMOS,当箭头从S指向G,为PMOS
    对于三端表示,省略衬底(B),只画出G,S,D;G很容易区分,源漏的判断依据:有箭头的一端为S,另一端为D;当箭头从G指向S,为NMOS,当箭头从S指向G,为PMOS;
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    MOS管的增强型和耗尽型,

    在CMOS电路中都采用增强型器件;
    耗尽型可理解为栅端无需加偏压,源漏之间也有导电沟道产生;
    对于NMOS,将阈值电压Vt>0的器件称为增强型NMOS,将阈值电压Vt<0的器件称为耗尽型NMOS(如上图G)
    对于PMOS,将阈值电压Vt<0的器件称为增强型PMOS,将阈值电压Vt>0的器件称为耗尽型PMOS(如上图H)

    MOS管结构

    NMOS做在P-sub上,源漏均为重掺杂的N型注入,衬底通过重掺杂的P型注入,降低其欧姆接触电阻
    PMOS做在N-sub上,源漏均为重掺杂的P型注入,衬底通过重掺杂的N型注入,降低其欧姆接触电阻
    沟道上方是高质量的栅氧化层,氧化层上生长多晶硅作为栅极,利用多晶硅栅工艺,可实现源漏自对准;栅与衬底和夹在他们之间的氧化层构成了一个电容,这是MOS管的关键;
    CMOS(互补型MOS)可以同时制作NMOS和PMOS(NMOS做在P阱中,PMOS做在N阱中);
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    工作原理

    以增强型NMOS为列,MOS管源到漏就像两个背靠背PN结,没有外加电压下,源与漏之间没有导电沟道,流过的电流只有PN结反向漏电流;当在MOS的栅源加上正向偏压Vgs(一般衬底与源极连接,所以Vgs=Vgd),栅与衬底和夹在他们之间的氧化层构成的电容,形成一个从栅指向衬底表面的的电场,该电场会排斥衬底表面的空穴向下移动,在衬底表面先形成耗尽层;随着Vgs继续增大,将吸引电子到衬底表面,形成反型层,当Vgs增大到刚好使反型层与源漏N+连通,导电沟道便产生而此时的Vgs就是阈值电压Vt;此时在源漏之间加上很小的偏压就会有电流通过;
    Vgs越大,反型层越强,即导电沟道中的电子浓度越高,导电性能越好;如果Vgs不够大(Vgs<Vt时)不足以引起沟道区反型,导电沟道不会产生,MOS管仍是关闭状态;

    MOS管特性曲线

    MOS管工作区间有以下几个
    截止区(夹断区),Vgs<Vth,MOS管没有导电沟道产生,Id≈0(实际电流为PN结的漏电流近似为0);
    线性区(变阻区),Vgs-Vth>Vds>0,Id随Vds呈线性增加,不同的Vgs对应不同的电阻,Id=Kn[(Vgs-Vth)Vds-1/2Vds^2];
    饱和区(恒流区),Vds>Vgs-Vth>0,Id基本不随Vds变化,Id的大小主要决定于电压Vgs,Id=1/2Kn(Vgs-Vth)^2;
    击穿区,此时Vds过大,源漏与衬底构成的PN结承受太大的反向电压而被击穿,应该避免管子工作在该区域;
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    转移特性,是表示Vds一定时,Id与Vgs之间的关系,上图b表示Vds=6V时,Id随Vgs增大而增大

    MOS管各工作状态下的沟道情况;

    截止区(夹断区),如下图a,MOS管没有导电沟道产生,Id≈0;
    线性区(变阻区),如下图b,Id随Vds呈线性增加,不同的Vgs对应不同的电阻,线性区沟道电阻R=1/Kn(Vgs-Vth),Vgs越大导电沟道电子浓度越高,电阻越低,对应上图a I-V斜率越大;
    饱和区(恒流区),如下图c,Vds=Vgs-Vth,等效于Vgd=Vgs-Vds=Vth,此时靠近漏端有效栅压为Vgd刚好等于阈值电压,达到预夹断点后;Id基本不随Vds变化;原因是因为Vds增大的同时,沟道也在成比例缩短(等效于沟道电阻随Vds的增大而呈比例的变大,如下图d),所以最终Id不再随Vds增大而增大,趋于恒定;Id=的大小主要决定于Vgs,Id=1/2Kn(Vgs-Vth)^2;
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  • Mos管

    2018-08-19 11:17:00
    我们常用的是N型的MOS管,因为导通电阻小,容易制造,在原理图可以看到,漏级和源级之间有一个寄生二极管,这叫体二极管, 在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。体二极管只有在单个的Mos管中存在,在继承...

    1主要分为N沟道和P沟道

    我们常用的是N型的MOS管,因为导通电阻小,容易制造,在原理图可以看到,漏级和源级之间有一个寄生二极管,这叫体二极管,

    在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。体二极管只有在单个的Mos管中存在,在继承电路芯片上内部是没有的。

     

    2.导通特性

      G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极

                MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,

        不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。

              场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。

        最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

        因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

     

      NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,使用于源级接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4-10v就可以了。

      PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适用于源级接Vcc情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便的

      用作高端驱动,但是由于导通电阻大,价格贵,种类少,在高端驱动中,还是使用NMOS。

    3.MOS开关管损失
           不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。

           选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
           MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,

         MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。
           导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。

         这两种办法都可以减小开关损失。

    4.MOS管驱动
        跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

        在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,

         因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

        第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,

             所以这时 栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,

             要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

     

    转载于:https://www.cnblogs.com/0505-cheng/p/9500655.html

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  • mos管

    2015-12-17 16:15:42
    mos管 编辑 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在...

    mos管

    编辑
    mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
    中文名
    mos管
    外文名
    metal oxide semiconductor
    元    素
    氧化物(oxid)
    别    称
    金属—绝缘体—半导体
    型    号
    电压/电流 封装

    把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出
    n沟道mos管符号n沟道mos管符号
    一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压Mos管。[1] 
    场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影
    p沟道mos管符号p沟道mos管符号
    一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

    首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
    当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。
    MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。
    正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
    MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。
    在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
    Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了。
    晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

    1.开启电压VT
    ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
    ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
    ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
    2. 直流输入电阻RGS
    ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
    ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
    ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
    3. 漏源击穿电压BVDS
    ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
    ·ID剧增的原因有下列两个方面:
    (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
    (2)漏源极间的穿通击穿
    ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID
    4. 栅源击穿电压BVGS
    ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
    5. 低频跨导gm
    ·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
    ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
    ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
    ·一般在十分之几至几mA/V的范围内
    6. 导通电阻RON
    ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
    ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间
    ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
    ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内
    7. 极间电容
    ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
    ·CGS和CGD约为1~3pF
    ·CDS约在0.1~1pF之间
    8. 低频噪声系数NF
    ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
    ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化
    ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)
    ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
    ·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
    ·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

    做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
    无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图:图1。
    MOS管的工作原理MOS管的工作原理
    图1 MOS管的工作原理
    我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。
    NMOS管的开路漏极电路NMOS管的开路漏极电路
    图2 NMOS管的开路漏极电路
    在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
    我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
    其发热情况有:
    1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
    2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
    3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
    4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。[2] 

    型号 电压/电流 封装[3] 

      2N7000 60V,0.115A TO-92
    2N7002 60V,0.2A SOT-23
    IRF510A 100V,5.6A TO-220
    IRF520A 100V,9.2A TO-220
    IRF530A 100V,14A TO-220
    IRF540A 100V,28A TO-220
    IRF610A 200V,3.3A TO-220
    IRF620A 200V,5A TO-220
    IRF630A 200V,9A TO-220
    IRF634A 250V,8.1A TO-220
    IRF640A 200V,18A TO-220
    IRF644A 250V,14A TO-220
    IRF650A 200V,28A TO-220
    IRF654A 250V,21A TO-220
    IRF720A 400V,3.3A TO-220
    IRF730A 400V,5.5A TO-220
    IRF740A 400V,10A TO-220
    IRF750A 400V,15A TO-220
    IRF820A 500V,2.5A TO-220
    IRF830A 500V,4.5A TO-220
    IRF840A 500V,8A TO-220
    IRFP150A 100V,43A TO-3P
    IRFP250A 200V,32A TO-3P
    IRFP450A 500V,14A TO-3P
    IRFR024A 60V,15A D-PAK
    IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
    IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
    IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
    IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
    IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
    展开全文
  • 详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

    万次阅读 多人点赞 2018-10-31 15:58:30
    出处:P沟道mos管作为开关的条件(GS &gt;GS(TH)) 1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G...
  • MOS管选型技巧  选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,为重要的是,为产品匹配了一款恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到效、稳定、持久的应用...

空空如也

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