单片机可控硅非隔离_单片机加可控硅 - CSDN
  • 基于51单片机可控硅调压调光程序-带过零检测 #include #include sbitledRS=P1^0; sbitledRW=P1^1; sbit ledE=P1^2; sbit keyjia=P2^7; sbitkeyjian=P2^6; sbitcontrolLD=P1^3; bitflag1=1; bitflag2...

    基于51单片机的可控硅调压调光程序-带过零检测


    #include<reg52.h>

    #include<intrins.h>
    sbitledRS=P1^0;
    sbitledRW=P1^1;
    sbit ledE=P1^2;
    sbit keyjia=P2^7;
    sbitkeyjian=P2^6;
    sbitcontrolLD=P1^3;
    bitflag1=1;
    bitflag2=1;
    unsigned
    char code table[]=" guang liangdu
    ";
    unsignedchar code table1[]=" 00 ";
    intnum,flag=0,count=0;
    charliangdu=3;
    voiddelaykt(void) //导通延时
    {
    unsigned char a;
    for(a=2;a>0;a--);
    }
    voiddelay(int z) //可调延时
    {
    unsigned x,y;
    for(x=z;x>0;x--)
    for(y=110;y>0;y--); 
    }
    void
    delay9ms(void) //误差
    -0.43402777778us 延时9ms
    {
    unsigned char a,b,c;
    for(c=1;c>0;c--)
    for(b=224;b>0;b--)
    for(a=17;a>0;a--);
    }
    voidwrite_com(unsigned com) //写指令
    {
    ledRS=0;
    P0=com;
    delay(10);
    ledE=1;
    delay(20);
    ledE=0; 
    }
    voidwrite_date(unsigned date) //写数据
    {
    ledRS=1;
    P0=date;
    delay(10);
    ledE=1;
    delay(20);
    ledE=0;
    }
    voidwrite_liangdu(unsigned liangdu) //写亮度
    {
    int shi,ge;
    shi=(liangdu-3)/10;
    ge=(liangdu-3)%10;
    write_com(0x80+0x40+7);
    write_date(0x30+shi);
    write_date(0x30+ge); 
    }
    voidinit() //初始化

    controlLD=1; //触发控制初始化
    ledRW=0; //液晶初始化
    ledE=0;
    write_com(0x38);
    write_com(0x0c);
    write_com(0x06);
    write_com(0x80);
    for(num=0;num<15;num++)
    {
    write_date(table[num]);
    delaykt();
    }
    write_com(0x80+0x40);
    for(num=0;num<15;num++)
    {
    write_date(table1[num]);
    delaykt();
    }
    EA=1; //外部中断设置
    EX0=1;
    IT0=1;
    }
    voidkeyscanf() //键盘判断
    {
    if(keyjia==0) //加键判断
    {
    delaykt();
    if(keyjia==0)
    {
    if(flag1==1)
    {
    flag1=0;
    liangdu++;
    if(liangdu==10)
    liangdu=3;
    write_com(0x80+0x40+7);
    write_liangdu(liangdu);

    }
    }
    else if(keyjia!=0)
    {
    delaykt();
    if(keyjia!=0)
    flag1=1;
    }
    if(keyjian==0) //减键判断
    {
    delaykt();
    if(keyjian==0)
    {
    if(flag2==1)
    {
    flag2=0; 
    liangdu--;
    if(liangdu==2)
    liangdu=9;
    write_com(0x80+0x40+7);
    write_liangdu(liangdu); 

    }
    }
    else if(keyjian!=0)
    {
    delaykt();
    if(keyjian!=0)
    flag2=1;

    }
    voidzhongduan() interrupt 0 //外部中断
    {
    flag=1; 
    }
    voidtimepd() //同步标志判断与定时器设置
    {
    if(flag==1)
    {
    flag=0;
    TMOD=0x01;
    TH0=(65536-1000*(10-liangdu))/256;
    TL0=(65536-1000*(10-liangdu))%256;
    ET0=1;
    TR0=1;

    }
    voidtime0() interrupt 1 //定时中断程序
    {
    count=1; 
    }
    voidchufa() //MOS3020触发
    {
    if(count==1)
    {
    count=0;
    controlLD=0;
    delaykt();
    controlLD=1;
    delay9ms();
    controlLD=0;
    delaykt();
    controlLD=1;

    }
    voidmain()

    init();
    while(1)
    {
    keyscanf();
    timepd();
    chufa(); 
    }
    }
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  • 可控硅调光是目前比较成熟的调光电路,网络上随时都可以搜出很多中电路,而且还有程序。但是很多时候大家并没有真正理解其调光原理,下面详细说明可控硅调光电路中容易遇到的问题。    使用光耦来驱动双向可控硅...

     可控硅调光是目前比较成熟的调光电路,网络上随时都可以搜出很多中电路,而且还有程序。但是很多时候大家并没有真正理解其调光原理,下面详细说明可控硅调光电路中容易遇到的问题。

     

            使用光耦来驱动双向可控硅,是一个最基本的驱动电路,基本上没有人怀疑这个。那么是否可以使用任何型号的光耦都可以控制可控硅调光呢?

            答案是否定的,不同的光耦得到的现象区别却很大,一般来说,使用MOC3051或者MOC3052(驱动电流不同)等是没有问题的,可以开关也可以调光。但是如果使用MOC3061/62/63则是不可以的,虽然可以开关,但却不可以调光。原因是3063这一系列都是过零导通的,对交流电源的控制只能是对半波,而不能斩波,通常要调光,就需要通过控制导通角,来实现调光。

     

         对于可控硅来说,并不是随时都可以控制,而是必须要过零点后,给可控硅发送一个高电平,可控硅就可以打开了,当到下一个零点时可控硅自动关闭,所以,我们需要周期性的去控制可控硅打开。而调光的亮暗是通过调节与同步信号的延时时间,如果延时的实际越长,那么可控硅打开的时间越短,灯越暗;反之越亮。

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  • 如何用好可控硅

    2008-04-05 15:23:00
    前言: 很多人都应该使用过可控硅吧,但有多少人知道在可控硅的应用电路设计中,需要注意什么问题?哪些参数又是需要考虑的?会用一个可控硅很容易,书上抄个电路图下来,就可以,但想用好可控硅可不是那么简单的...

    前言:
        很多人都应该使用过可控硅吧,但有多少人知道在可控硅的应用电路设计中,需要注意什么问题?哪些参数又是需要考虑的?会用一个可控硅很容易,书上抄个电路图下来,就可以,但想用好可控硅可不是那么简单的事情。因之前我说过对于马达驱动写些资料的,这个就全当是我的第一步吧,我知道很多简单的马达控制中会用到可控硅来实现调速。

        计划以ST的一款可控硅数据手册为例,介绍可控硅应用的电路中哪些参数是需要注意,同时也介绍一款ST的新器件AC Switch。我对它的理解是可使用MCU的IO直接驱动,带有过压保护的可控硅。最后呢,再以ST的一份ST6单片机控制马达的应用笔记为结尾,介绍如何使用MCU来控制Triac。我买的美的的豆浆机用的就是ST的ST6 MCU和ST的可控硅。首先申明我使用可控硅的时间不是很长,如果下述内容有错误,欢迎大家丢鸡蛋,呵呵,记住要是转载需要注明来源哦,要不我可会投诉的。本文档的资料来源于06年初ST在法国的一次培训讲义,加入了一些自己的理解。

        在写本文之前,我想要做到人有我无,人无我有的“境界”,决定用Google搜索一下,看看有没有类似的文章,呵呵,发现可以找到的都是一些可控硅的原理,这些我就不打算提了,仅解释工作原理。目前没有在网上找到一份有对可控硅电路设计哪些参数该如何使用的文章。Philips虽有一个“黄金手则”,可惜要是没有对可控硅有深刻体会的,会很难理解里面的描述。

        刚才看了一下本本里的可控硅资料,一瞄就看到了BTA06,呵呵,就拿它了。AC Switch吗,就用ACS108-6S吧,本文将会实际的对照原始的Datasheet来解释一些参数,Philips、SanRex、瑞萨的不要问我,算是对我的支持吧!TOSHIBA已经退出了这个市场,On才刚进来,我也不了解。

        下面的内容是本文会涉及到的一些资料的下载地址:
        1、ST晶闸管(Thyristors)产品的首页:  
        http://www.stmicroelectronics.com.cn/stonline/products/families/thyristors_acswitch/thyristors.asp

        2、BTA06-600BRG
        http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/2936/bta06.pdf

        3、ACS108-6S
        http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/11962.pdf
         

    正文:

    一、概述
        功率控制使用的半导体器件主要就可控硅、MOSFET、IGBT等,因其各自的特性不同,控制场合方式也很大差异。(继电器不算半导体,没算上它)

        在日常的控制应用中我们都通常会遇到需要开关交流电的应用,一般控制交流电的时候,我们会使用很多种方法,如:

    1、使用继电器来控制,如电饭煲,洗衣机的水阀:
              
                                     

    2、使用大功率的三极管或IGBT来控制:
                                               

    3、使用整流桥加三极管:
                                     

    4、使用两个SCR来控制:
                                     

    5、使用一个Triac来控制:
                                        
      
        
        晶闸管(Thyristor)又叫可控硅,按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类,如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。   

        单向可控硅SCR:全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器)
        

        双向可控硅TRIAC:全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关),也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。

        
         
        请注意上述两图中的红紫箭头方向以及其所在坐标相位!

        可控硅的结构原理我就不提了。


    二、可控硅的控制模式
        现在我们来看一看通常的可控硅控制模式
    1、On/Off 控制:
              
          
        对于这样的一个电路,当通过控制信号来开关Triac时,我们可以看到如下的电流波形
             
        
        通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时,可以看到控制信号、电流、相电压的关联。
        
               
    2、相角控制:
        也叫导通角控制,其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制,在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法
              
          
        在典型的阻性负载中,通过控制触发导通角a在0~180之间变化,从而实现控制电流的大小
             

    3、其它控制
        向去半波控制,比如只要正半周期,等等;        

    三、可控硅电路设计需要注意那些参数?

        我们知道,一个完整周期的交流电波形有四个象限,可控硅控制交流电导通的一个导通周期也可以分为四个步骤:  


        我们分解了可控硅的一次导通周期所需要的过程,通过上面的图我们可以主要在每个过程中我们需要考虑的参数。

    注:以下的内容将会涉及很多的专有参数术语,由于一些参数的叫法,有些参数国内有很多种说法,有些国内的叫法我自己也不是搞得很明白,这里我尽可能的使用英文并给出英文的完整解释,以免产生岐意。

        当我们打开一份可控硅的数据手册,我们可以看到很多数据和图表,那么哪些参数是我们最应该去关心的呢?

        

        上图是ST 的BTA06数据手册提供的主要特性参数表(资料下载地址请到前面寻找)。通过这张表我们可以知道如下参数:

    IT(RMS)    平均电流。  
        指的是BAT06完全导通的情况下,流经A1A2的电流平均值可以达到6A。请注意在数据手册之后的表3提到,该值是在正弦波触发,温度在105度或110度下测得。

    VDRM/VRRM  关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压
        这个参数指的值可以认为是可控硅的正反向耐压(不知道这样解释对不对)。请注意这个值与VDSM/VRSM的差异。

    IGT(Q1)    触发电流
        注意后面的Q1指的是工作在第一象限,这个与可控硅的工作原理是有关系,后面会再说明;

        通过这些资料我们可以大致了解这个可控硅的工作参数,要使用一个可控硅了解这些参数就足以了,但要想用好一个可控硅,这些参数还远远不够。下面我们就一个完整触发的周期来解释如何用好一个可控硅。

        我们从前面的分解图可以清楚的看出,一个可控硅在触发前到触发后到触发关断的一个完整触发周期一共需要经历四个状态,分别是:关断、关断到触发、触发、触发到关断。

    1、首先在触发前,也就是关断状态,我们需要考虑系列参数:

    1)、VDRM/VRRM、VDSM/VRSM
    2)、dV/dt
    3)、Vgd

        通俗的讲在这个状态下我们需要考虑可控硅不要被击穿、不要被误触发

    1)、VDRM/VRRM
        英文全称:Repetitive peak off-state voltage (50-60Hz).
        
        英文解释:This is the maximum peak voltage allowed across the device. This parameter is specified up to the maximum junction temperature and leakage currents IDRM / IRRM are specified under this value.


        中文名称:关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压。

        VDSM/VRSM
        英文全称:Non-repetitive peak off-state voltage.

        英文解释:This is the maximum peak voltage allowed under pulse conditions across the device. It is specified for pulse duration lower or equal to 10ms.This parameter guarantees the ruggedness of the Triac in case of fast line transients exceeding the specified VDRM / VRRM value.       

        中文名称:关断状态正向不可重复峰值电压/关断状态反向不可重复峰值电压




        上图介绍了可控硅在控制过程中会出现的不同电压参数的关系,一共出现了三个电压值(在同一个电压方向上):VDRM、VDSM、Dreakdown Voltage。通常VDSM会比VDRM大100V左右,但是前提条件是这多出100V的电压加在A1A2两端的时间不能超过10mS,超过的结果当然是over!并且是不可逆的过程!阴影部分是绝对禁止越过的!
        
        有人会问,假设超过了这个电压的极限会出现什么样的后果呢?下图展现的就是可控硅物理晶元在此情况下会出现的结果示意图:



        那么面对不同类型的负载要如何考虑?通常我们可以把驱动简化为下面的示意图:
        

        选择适合的参数的目的是要做到下面的保护:


        前面的压敏电阻起到过压保护的作用。通常的VDRM有如下特性:


        选择的时候我们参照下表:

        
        那如何来计算VDR的参数?(此处在NXP的闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则也有提及)

        通常我们选择电压等级275V RMS的压敏电阻用于230V电源,
            VVDR=Vmain x 1.1 = 230Vrms x 1.1 = 360V(min)   (关断状态,最小)

        按照上图,我们找到转折电压(mains Voltage)在360V的曲线(红线)。考虑IEC61000-4-5的标准,2KV的浪涌传入,Vin=Vmains +2kV = 2360V。

        选择好耐压我们还要选择压敏电阻的电流极限。由于存在不同的负载特性,如阻性、感性等,负载的电流曲线并非是线性的,下面的两张图,大家能看出来选择S14K275适合呢还是S05K275适合?  提醒一下S后面的数字05和14代表的是压敏电阻的直径。






    2)、dV/dt
        英文全称:Critical rate of rise of off-state voltage.

        英文解释:This is the maximum value of the slope of the rising voltage that can be applied across a SCR or a Triac in the off-state without risking it turning on spuriously.

        dV/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数!此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。也许有人会问为什么?由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。我们知道dV/dt的变化在电容的两端会出现等效电流,这个电流就会成为Ig,也就是出现了触发电流。需要注意的是dV/dt导致的结果是误触发,但不会对器件本身造成损伤!对设备本身就需要看可控硅控制的是什么了。

        

        细心的人可能会发现在BTA06的数据手册上不是有两个dV/dt吗?为何它们不一样?

        

        前一个指的是静态下,它的值受温度影响。后一个受Rgk(SCR,单向可控硅,R与K的寄生电阻)影响,由于R与K同时也存在寄生电容Cgk,等效如下图:

        

        双向可控硅也是同样,G与A1之间是绝对禁止加入电容!因为不利对电压噪声的抑致。


    3)、Vgd
        英文全称:Non-triggering gate voltage.

        英文解释:This is the maximum voltage which can be applied to the gate without causing undesired turn-on.This parameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junction temperature.

        中文解释:导通需要的门极电压。
           

        只要满足VGA1 > Vgd即可!


        总结:在这一阶段我们最关心两个问题:
        1、不要过压;
        2、误触发。
        
        压敏电阻可以保护过压,误触发有没有什么好的办法?有的,就是RC滤波电路。

     

     

    2、关断到导通
        从关断状态到导通我们需要考虑下列参数:
    1)、Igm
    2)、Igt/Vgt
    3)、IL
    4)、dI/dt


    1)、Igm
        英文全称:Peak gate current.

        英文解释:This is the maximum peak current allowed between gate and cathode, defined for 20μs pulse duration.

        
        对于SCR单向结构,我们知道Ig总是为正,即只有流进的电流。



        这是等效电路:



        对于双向可控硅,就有可能存在正负两种电流。



        下图展示了Ig、Vt、It的关系,假定认为箭头方向全部为正方向。



        如果将Vt与It映射到二维坐标上,我们可以知道他们的关系:



        请注意上图中紫色箭头的方向,可以理解为一个完成的正弦波形。

        下图展示了Ig与It的关系,同样我们将这种关系映射到二维坐标内:


        我们可以得到在一个正弦波内可控硅可以被触发四次(理论上,并不是所有的双向可控硅都可以四个象限被触发,后面会介绍),按照Ig的方向,我们发现Q1、Q4象限电流为正,Q2、Q3象限电流为负;

        如果选择Q1、Q4象限驱动。我们注意一些可控硅的数据手册,Q4象限的Ig要更大并且与Q2不相同,同时Q4的dI/dt也要更小对干扰自身抵抗太差。

        如果选择Q1、Q4象限驱动。电流方向是流出可控硅的门极。参数中电气特性都基本一致。

        如果选择Q1、Q3象限驱动呢?


    2)、Igt、Vgt
        英文全称:Triggering gate current.

        英文解释:This is the minimum current that must be applied between gate and cathode (or gate and electrode A1 for Triac) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of the component for existing quadrants.

        中文名称:触发电流

        前面我们已经知道了Igm的意义,那Igt又是什么?Igt指的是导通需要的门极触发电流。知道这个参数的意义有助于我们任何正确选择一个合适的触发电流。

        

        现在我们回到ST BTA06的数据手册,我们可以看到下表:


        表中列出了三象限驱动方式下,25度下的Igt和Vgt,不同的后缀的Igt是不相同的。那要如何来选择这个参数?
         
        首先解释一下这份表中说指的Igt不是最大允许的触发电流,而是要保证“可靠”触发至少需要提供的电流。Vgt指的是在满足“可靠”触发的电流下,门极的最大电压,该值关系到Rg的选择,Rg在介绍Vgd时的示意图中有出现。

        还是回到BTA06的数据手册,我们可以看到表7:
        

        通常触发电流Igt选择25度时max值的1.5倍就可以了。

        Vgt
        英文全称:Triggering gate voltage.    

        英文解释:This is the minimum voltage that must be applied between gate and cathode (or gate and electrode A1 for Triac) to trigger the device.

        中文名称:触发门极电压

        Vgt的选择有个公式,参考就可以,没什么特别的。




    3)、IL
        英文全称:
       
        英文解释:




    4)、dI/dt
        英文全称:Critical repetitive rate of rise of on-state current.
       
        英文解释:During the turn-on operation, the maximum rate of rise of current must not exceed this maximum value. If the absolute rating is exceeded, the component may be destroyed.


        这是一个非常重要的参数!它导致的后果不会立刻显现,它会先导致G与A1或A2出现“Punch”,至于A1还是A2是由电流决定,然后Vdrm/Vrrm失效或是A1A2短路。有没有办法抑制?有,就是前面也提到的RC网络。

        总结:在这一阶段我们最关心两个问题:
    1、负载加载电压的瞬间峰值电流是否会超出Igm,导通的瞬间电流的突变不能超过dI/dT。这个超限的后果往往是击穿!
    2、触发电流是否可以满足要求?往往可控硅不触发多时因为这个原因导致的!(请校对需要触发的象限对使用的可控硅是否适用)。

     

    这里我们总结一下,当我们使用MCU来控制可控硅的时候,我们对于不同类型的可控硅可以分别实现四个象限的驱动(Q4仅对可允许的可控硅)。通常我们会将MCU地与交流电供地的驱动方式叫“Primary Side”方式,将MCU地与交流电不供地的驱动方式叫“Secondary Side”方式。

        因为每一种方式下与可控制不同的象限,这里大致总结了可能的6种驱动方式结构图。图中最下面的四个系列,分别代表的是ST的四种可控硅类型,打勾的就是支持改方式应用,打叉的就是不支持这种方式应用。

    1、Primary Side方式,正电源,Q1/Q4象限驱动:


    2、Primary Side方式,负电源,Q2/Q3象限驱动:


    3、Primary Side方式,正电源,Q2/Q3象限驱动:



    4、Secondary Side方式,光耦隔离,Q1/Q4象限驱动:


    5、Secondary Side方式,光耦隔离,Q2/Q3象限驱动:


    6、Secondary Side方式,光耦可控硅,Q1/Q3象限驱动:


        

    实例:
        下面的电路是使用ST7FLite09来控制一个灯的电路。
      

    硬件:
    1)、RC吸收网络



        C8、R9

    2)、过压保护




    3)、过零检测



        R1、R2、C2

    4)、可控硅驱动



       PA3(MCU Pin13)、R4


    软件:

     

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  • 单片机抗干扰技术

    2011-02-11 19:40:00
    <br />单片机系统硬件抗干扰的常用方法: 影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰,并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺...如:雷电、继电器、可控硅、电机、

    单片机系统硬件抗干扰的常用方法
    影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰,并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这些都构成单片机系统的干扰因素,常会导致单片机系统运行失常,轻则影响产品质量和产量,重则会导致事故,造成重大经济损失。
      形成干扰的基本要素有三个: 
      (1)干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号, 用数学语言描述如下:du/dt, di/dt大的地方就是干扰源。如:雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。
      (2)传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。 
      (3)敏感器件。指容易被干扰的对象。如:A/D、 D/A变换器,单片机,数字IC,弱信号放大器等。 
      1  干扰的分类 
      1.1 干扰的分类
      干扰的分类有好多种,通常可以按照噪声产生的原因、传导方式、波形特性等等进行不同的分类。按产生的原因分: 
      可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。
      按传导方式分:可分为共模噪声和串模噪声。 
      按波形分:可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲序列等等。 
      1.2 干扰的耦合方式 
      干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道才对测控系统产生作用的。因此,我们有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。干扰的耦合方式,无非是通过导线、空间、公共线等等,细分下来,主要有以下几种:
      (1)直接耦合: 
      这是最直接的方式,也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵入系统。对于这种形式,最有效的方法就是加入去耦电路。 
      (2)公共阻抗耦合: 
      这也是常见的耦合方式,这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。为了防止这种耦合,通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。 
      (3)电容耦合: 
      又称电场耦合或静电耦合。是由于分布电容的存在而产生的耦合。 
      (4)电磁感应耦合: 
      又称磁场耦合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。 
      (5)漏电耦合: 
      这种耦合是纯电阻性的,在绝缘不好时就会发生。 
      2  常用硬件抗干扰技术 
      针对形成干扰的三要素,采取的抗干扰主要有以下手段。 
      2.1 抑制干扰源 
      抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt, di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则,常常会起到事半功倍的效果。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。 
      抑制干扰源的常用措施如下: 
      (1)继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。 
      (2)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路,电阻一般选几K到几十K,电容选0.01uF),减小电火花影响。
      (3)给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短。 
      (4)电路板上每个IC要并接一个0.01μF~0.1 μF高频电容,以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电容的等效串联电阻,会影响滤波效果。 
      (5)布线时避免90度折线,减少高频噪声发射。 
      (6)可控硅两端并接RC抑制电路,减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的)。

    单片机自身的抗干扰措施
    作者:未知

    为提高单片机本身的可靠性。近年来单片机的制造商在单片机设计上采取了一系列措施以期提高可靠性。这些技术主要体现在以下几方面。

    1.降低外时钟频率 
    外时钟是高频的噪声源,除能引起对本应用系统的干扰之外,还可能产生对外界的干扰,使电磁兼容检测不能达标。在对系统可靠性要求很高的应用系统中,选用频率低的单片机是降低系统噪声的原则之一。以8051单片机为例,最短指令周期1μs时,外时钟是12mhz。而同样速度的motorola 
    单片机系统时钟只需4mhz,更适合用于工控系统。近年来,一些生产8051兼容单片机的厂商也采用了一些新技术,在不牺牲运算速度的前提下将对外时钟的需求降至原来的1/3。而motorola 
    单片机在新推出的68hc08系列以及其16/32位单片机中普遍采用了内部琐相环技术,将外部时钟频率降至32khz,而内部总线速度却提高到8mhz乃至更高。

    2.低噪声系列单片机 
    传统的集成电路设计中,在电源、地的引出上通常将其安排在对称的两边。如左下角是地,右下角是电源。这使得电源噪声穿过整个硅片。改进的技术将电源、地安排在两个相邻的引脚上,这样一方面降低了穿过整个硅片的电流,一方面使外部去耦电容在pcb设计上更容易安排,以降低系统噪声。另一个在集成电路设计上降低噪声的例子是驱动电路的设计。一些单片机提供若干个大电流的输出引脚,从几十毫安到数百毫安。这些大功率的驱动电路集成到单片机内部无疑增加了噪声源。而跳变沿的软化技术可消除这方面的影响,办法是将一个大功率管做成若干个小管子的并联,再为每个管子输出端串上不同等效阻值的电阻。以降低di/dt。

    3.时钟监测电路、看门狗技术与低电压复位 
    监测系统时钟,当发现系统时钟停振时产生系统复位信号以恢复系统时钟,是单片机提高系统可靠性的措施之一。而时钟监控有效与省电指令stop是一对矛盾。只能使用其中之一。

    看门狗技术是监测应用程序中的一段定时中断服务程序的运行状况,当这段程序不工作时判断为系统故障,从而产生系统复位。 
    低电压复位技术是监测单片机电源电压,当电压低于某一值时产生复位信号。由于单片机技术的发展,单片机本身对电源电压范围的要求越来越宽。电源电压从当初的5v降至3.3v并继续下降到2.7v、2.2v、1.8v。在是否使用低电压复位功能时应根据具体应用情况权衡一下。

    4. eft技术 
    新近推出的motorola m68hc08 系列单片机采用eft(electrical fast 
    transient)技术进一步提高了单片机的抗干扰能力。当振荡电路的正弦波信号受到外界干扰时,其波形上会叠加一些毛刺。以施密特电路对其整形时,这种毛刺会成为触发信号干扰正常的时钟信号。交替使用施密特电路和rc滤波可以使这类毛刺不起作用,这就是eft技术。随着vlsi技术的不断发展,电路内部的抗干扰技术也在不断发展之中。

    5.软件方面的措施 
    单片机本身在指令设计上也有一些抗干扰的考虑。非法指令复位或非法指令中断是当运行程序时遇到非法指令或非法寻址空间能产生复位或中断。单片机应用系统程序是事先写好的,不可能有非法指令或寻址。一定是系统受到干扰,cpu读指令时出错了。

    以上提到的是当前广泛使用的单片机应该具有的内部抗干扰措施。在选用单片机时,要检查一下这些性能是否都有,以求设计出可靠性高的系统。 
    在应用软件设计方面,设计者都有各自的经验。这里要提醒的是最后对不用的rom要做处理。原则是万一程序落到这里可以自恢复。 
    用于单片机系统的干扰抑制元件 
    1.去耦电容 
    每个集成电路的电源、地之间应配置一个去耦电容,它可以滤掉来自电源的高频噪声。作为储能元件,它吸收或提供该集成电路内部三极管导通、截止引起的电流变化(di/dt),从而降低系统噪声。要选高频特性好的独石电容或瓷片电容作去耦电容。每块印制电路板电源引入的地方要安放一只大容量的储能电容。由于电解电容的缠绕式结构,其分布电感较大,对滤除高频干扰信号几乎不起作用。使用时要与去耦电容成对使用。钽电容则比电解电容效果更好。

    2.抑制高频的电感 
    用粗漆包线穿入轴向有几个孔的铁氧体芯,就构成了高频扼制器件。将其串入电源线或地线中可阻止高频信号从电源/地线引入。这种元件特别适用于隔开一块印制电路板上的模拟电路区、数字电路区、以及大功率驱动区的供电。应该注意的是它必须放在该区储能电容与电源之间而不能放在储能电容与用电器件之间。

    3.自恢复保险丝

    这是用一种新型高分子聚合材料制成的器件,当电流低于其额定值时,它的直流电阻只有零点几欧。而电流大到一定程度,它的阻值迅速升高,引起发热,而越热电阻越大,从而阻断电源电流。当温度降下来以后能自动恢复正常。这种器件可防止cmos器件在遇到强冲击型干扰时引起所谓“可控硅触发”现象。这种现象指集成电路硅片的基体变得导通,从而引起电流增大,导致cmos集成电路发热乃至烧毁。

    4.防雷击器件

    室外使用的单片机系统或电源线、信号线从室外架空引入室内的,要考虑系统的防雷击问题。常用的防雷击器件有:气体放电管,tvs(transient 
    voltage 
    supervention)等,气体放电管是当电源电压大于某一值时,通常为数十伏或数百伏,气体击穿放电,将电源线上强冲击脉冲导入大地,tvs可以看成两个并联且方向相反的齐纳二极管,当电两端电压高于某一额定值时导通。其特点是可以瞬态通过数百乃至上千安培的电流。这类元器件要和抗共模和抗差模干扰的电感配合使用以提高抗干扰效果。

    提高单片机系统抗干扰能力的主要手段 
    1.接地 
    这里的接地指接大地,也称作保护地。为单片机系统提供良好的地线,对提高系统的抗干扰能力极为有益。特别是对有防雷击要求的系统,良好的接地至关重要。上面提到的一系列抗干扰元件,意在将雷击、浪涌式干扰以及快脉冲群干扰去除,而去除的方法都是将干扰引入大地,如果系统不接地,或虽有地线但接地电阻过大,则这些元件都不能发挥作用。为单片机供电的电源的地俗称逻辑地,它们和大地的地的关系可以相通、浮空、或接一电阻,要视应用场合而定。不能把地线随便接在暖气管子上。绝对不能把接地线与动力线的火线、零线中的零线混淆。

    2.隔离与屏蔽 
    典型的信号隔离是光电隔离。使用光电隔离器件将单片机的输入输出隔离开,一方面使干扰信号不得进入单片机系统,另一方面单片机系统本身的噪声也不会以传导的方式传播出去。屏蔽则是用来隔离空间辐射的,对噪声特别大的部件,如开关电源,用金属盒罩起来,可减少噪声源对单片机系统的干扰。对特别怕干扰的模拟电路,如高灵敏度的弱信号放大电路可屏蔽起来。而重要的是金属屏蔽本身必须接真正的地。

    3.滤波 
    滤波指各类信号按频率特性分类并控制它们的方向。常用的有各种低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器。低通滤波器用在接入的交流电源线上,旨在让50周的交流电顺利通过,将其它高频噪声导入大地。低通滤波器的配置指标是插入损耗,选择的低通滤波器插入损耗过低起不到抑制噪声的作用,而过高的插入损耗会导致“漏电”,影响系统的人身安全性。高通、带通滤波器则应根据系统中对信号的处理要求选择使用。

    印制电路板的布线与工艺

    印制电路板的设计对单片机系统能否抗干扰非常重要。要本着尽量控制噪声源、尽量减小噪声的传播与耦合,尽量减小噪声的吸收这三大原则设计印制电路板和布线。当你设计单片机用印制电路板时,不仿对照下面的条条检查一下。

    ·印制电路板要合理区分,单片机系统通常可分三区,即模拟电路区(怕干扰),数字电路区(即怕干扰、又产生干扰),功率驱动区(干扰源)。 
    ·印刷板按单点接电源、单点接地原则送电。三个区域的电源线、地线由该点分三路引出。噪声元件与非噪声元件要离得远一些。 
    ·时钟振荡电路、特殊高速逻辑电路部分用地线圈起来。让周围电场趋近于零。 
    ·i/o驱动器件、功率放大器件尽量靠近印刷板的边,靠近引出接插件。 
    ·能用低速的就不用高速的,高速器件只用在关键的地方。 
    ·使用满足系统要求的最低频率的时钟,时钟产生器要尽量靠近用到该时钟的器件。 
    ·石英晶体振荡器外壳要接地,时钟线要尽量短,且不要引得到处都是。 
    ·使用450的折线布线,不要使用900折线,以减小高频信号的发射。 
    ·单面板、双面板,电源线、地线要尽量的粗。信号线的过孔要尽量少。 
    ·4 层板比双面板噪声低20db。6层板比4层板噪声低10db。经济条件允许时尽量用多层板。 
    ·关键的线尽量短并要尽量粗,并在两边加上保护地。将敏感信号和噪声场带信号通过一条扁带电缆引出的话,要用地线-信号-地线......的方式引出。 
    ·石英振荡器下面、噪声敏感器件下面要加大地的面积而不应该走其它信号线。 
    ·任何信号线都不要形成环路,如不可避免,环路应尽量小。 
    ·时钟线垂直于i/o线比平行于i/o线干扰小,时钟线要远离i/o线。 
    ·对a/d类器件,数字部分与模拟部分宁可绕一下也不要交叉。噪声敏感线不要与高速线、大电流线平行。 
    ·单片机及其它ic电路,如有多个电源、地端的话,每端都要加一个去耦电容。 
    ·单片机不用的i/o端口要定义成输出。 
    ·每个集成电路要加一个去耦电容,要选高频信号好的独石电容式瓷片电容作去耦电容。去耦电容焊在印制电路板上时,引脚要尽量短。 
    ·从高噪声区来的信号要加滤波。继电器线圈处要加放电二极管。可以用串一个电阻的办法来软化i/o线的跳变沿或提供一定的阻尼。 
    ·用大容量的钽电容或聚脂电容而不用电解电容作电路充电的储能电容。因为电解电容分布电感较大,对高频无效。使用电解电容时要与高特性好的去耦电容成对使用。

    ·需要时,电源线、地线上可加用铜线绕制铁氧体而成的高频扼流器件阻断高频噪声的传导。 
    ·弱信号引出线、高频、大功率引出电缆要加屏蔽。引出线与地线要绞起来。 
    ·印刷板过大、或信号线频率过高,使得线上的延迟时间大于等于信号上升时间时,该线要按传输线处理,要加终端匹配电阻。 
    ·尽量不要使用ic 插座,把ic直接焊在印刷板上,ic座有较大的分布电容。


      2.2 切断干扰传播路径 
      按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。 
      所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和有用信号的频带不同,可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰噪声的传播,有时也可加隔离光耦来解决。电源噪声的危害最大,要特别注意处理。
      所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离,用地线把它们隔离和在敏感器件上加屏蔽罩。 
      切断干扰传播路径的常用措施如下: 
      (1)充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好,整个电路的抗干扰就解决了一大半。许多单片机对电源噪声很敏感,要给单片机电源加滤波电路或稳压器,以减小电源噪声对单片机的干扰。比如,可以利用磁珠和电容组成π形滤波电路,当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠。 
      (2)如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件,在I/O口与噪声源之间应加隔离(增加π形滤波电路)。
      (3)注意晶振布线。晶振与单片机引脚尽量靠近,用地线把时钟区隔离起来,晶振外壳接地并固定。
      (4)电路板合理分区,如强、弱信号,数字、模拟信号。尽可能把干扰源(如电机、继电器)与敏感元件(如单片机)远离。
      (5)用地线把数字区与模拟区隔离。数字地与模拟地要分离,最后在一点接于电源地。A/D、D/A芯片布线也以此为原则。 
      (6)单片机和大功率器件的地线要单独接地,以减小相互干扰。大功率器件尽可能放在电路板边缘。 
      (7)在单片机I/O口、电源线、电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器、屏蔽罩,可显著提高电路的抗干扰性能。 
      2.3 提高敏感器件的抗干扰性能 
      提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声的拾取,以及从不正常状态尽快恢复的方法。 
      提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下: 
      (1)布线时尽量减少回路环的面积,以降低感应噪声。 
      (2)布线时,电源线和地线要尽量粗。除减小压降外,更重要的是降低耦合噪声。 
      (3)对于单片机闲置的I/O口,不要悬空,要接地或接电源。其它IC的闲置端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。 
      (4)对单片机使用电源监控及看门狗电路,如: IMP809,IMP706,IMP813, X5043,X5045等,可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。 
      (5)在速度能满足要求的前提下,尽量降低单片机的晶振和选用低速数字电路。 
      (6)IC器件尽量直接焊在电路板上,少用IC座。 
      2.4 其它常用抗干扰措施 
      (1)交流端用电感电容滤波:去掉高频低频干扰脉冲。
      (2)变压器双隔离措施:变压器初级输入端串接电容,初、次级线圈间屏蔽层与初级间电容中心接点接大地,次级外屏蔽层接印制板地,这是硬件抗干扰的关键手段。次级加低通滤波器:吸收变压器产生的浪涌电压。 
      (3)采用集成式直流稳压电源: 有过流、过压、过热等保护作用。
      (4)I/O口采用光电、磁电、继电器隔离,同时去掉公共地。 
      (5)通讯线用双绞线:排除平行互感。 
      (6)防雷电用光纤隔离最为有效。 
      (7)A/D转换用隔离放大器或采用现场转换:减少误差。 
      (8)外壳接大地:解决人身安全及防外界电磁场干扰。 
      (9)加复位电压检测电路。防止复位不充分, CPU就工作,尤其有EEPROM的器件,复位不充份会改变EEPROM的内容。 
      (10)印制板工艺抗干扰: 
      ① 电源线加粗,合理走线、接地,三总线分开以减少互感振荡。 
      ② CPU、RAM、ROM等主芯片,VCC和GND之间接电解电容及瓷片电容,去掉高、低频干扰信号。
      ③ 独立系统结构,减少接插件与连线,提高可靠性,减少故障率。 
      ④ 集成块与插座接触可靠,用双簧插座,最好集成块直接焊在印制板上,防止器件接触不良故障。
      ⑤ 有条件的采用四层以上印制板,中间两层为电源及地。

     

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